RF PECVD signifie dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma radiofréquence. Il s'agit d'une méthode bien établie pour déposer des couches minces sur des substrats plats utilisés dans la technologie standard des circuits intégrés au silicium. La méthode RF PECVD est peu coûteuse et très efficace. La croissance du film est due à l'activation de précurseurs en phase gazeuse dans un environnement plasma. Les réactions chimiques activées par le plasma ont lieu sur et au niveau du substrat. RF PECVD est capable de déposer des matériaux tels que le carbure de silicium et peut être utilisé pour revêtir des objets de différentes formes.
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RF pecvd
Système RF PECVD Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à radiofréquence
Numéro d'article : KT-RFPE
Four de graphitisation à ultra haute température
Numéro d'article : GF-09
Numéro d'article : cvdm-05
Machine à diamant MPCVD 915MHz
Numéro d'article : MP-CVD-101
Matrice d'étirage revêtement nano-diamant HFCVD Equipment
Numéro d'article : MP-CVD-100
Four tubulaire CVD à chambre divisée avec machine CVD à station de vide
Numéro d'article : KT-CTF12
Bell-jar Resonator MPCVD Machine pour la croissance de laboratoire et de diamants
Numéro d'article : KTMP315
Machine à diamant MPCVD à résonateur cylindrique pour la croissance de diamants en laboratoire
Numéro d'article : KTWB315
Four de frittage par plasma étincelant Four SPS
Numéro d'article : KTSP
Machine de revêtement par évaporation améliorée par plasma PECVD
Numéro d'article : KT-PED
Machine à four tubulaire à dépôt chimique assisté par plasma rotatif incliné (PECVD)
Numéro d'article : KT-PE16
Four tubulaire à glissière PECVD avec gazéificateur de liquide Machine PECVD
Numéro d'article : KT-PE12
Four tubulaire CVD polyvalent fabriqué par le client
Numéro d'article : KT-CTF16
Cible de pulvérisation de silicium (Si) de haute pureté / poudre / fil / bloc / granule
Numéro d'article : LM-SI
Cible de pulvérisation de carbure de silicium (SiC) / Poudre / Fil / Bloc / Granule
Numéro d'article : LM-SiC
Creuset d'évaporation en graphite
Numéro d'article : KME07
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Numéro d'article : KMS02
Revêtement par évaporation par faisceau d'électrons Creuset en cuivre sans oxygène
Numéro d'article : KMS06
Carbure de silicium (SIC) Feuille céramique résistante à l'usure
Numéro d'article : KM-DG02
Plaque en céramique en carbure de silicium (SIC)
Numéro d'article : KM-DG03
Rack de nettoyage de substrat en verre conducteur PTFE
Numéro d'article : PTFE-03
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Obtenez votre devis maintenant! Laisser un message Obtenir un devis rapidement Via WhatsappNous avons les meilleures solutions RF-PECVD pour les besoins de votre laboratoire. Notre vaste portefeuille offre une gamme de solutions standard adaptées à une variété d'applications. Pour des exigences plus uniques, notre service de conception sur mesure peut adapter une solution pour répondre à vos spécifications.
Applications de RF PECVD
- Fabrication de films à gradient d'indice de réfraction
- Dépôt d'empilement de nano-films aux propriétés différentes
- Revêtement de formes complexes avec un film de carbure de silicium uniforme
- Préparation de matériaux graphène verticaux avec des microstructures uniques
- Création de films polycristallins sur un substrat
- Fabrication de films à faible coût
- Haute efficacité de dépôt
- Formation de films minces de haute qualité à basse température
- Préparation de couches minces de silicium
- Dépôt de couches minces sur des substrats élevés dans le réacteur à plasma
Avantages du PECVD RF
- Temps de préparation court
- Processus contrôlable
- Faible coût
- Capacité de dépôt à grande échelle
- Technologie respectueuse de l'environnement
- Possibilité d'ajuster la source de carbone et le gaz vecteur pour les propriétés souhaitées
- Peut être utilisé pour le dépôt sur des substrats aux formes complexes et aux surfaces surélevées
- Possibilité de fabrication de film à faible coût
- Haute efficacité de dépôt
- Les matériaux peuvent être déposés sous forme de films à gradient d'indice de réfraction ou sous la forme d'un empilement de nano-films ayant chacun des propriétés différentes
Notre technologie RF PECVD est la solution parfaite pour ceux qui ont besoin d'un équipement de laboratoire efficace, peu coûteux et personnalisable. Avec son temps de préparation court et ses caractéristiques contrôlables, RF PECVD est le choix préféré pour ceux qui ont besoin de matériaux de graphène verticaux de haute qualité. Notre vaste gamme de produits garantit que nous avons une solution standard qui répond à vos besoins, et notre service de conception personnalisée nous permet de répondre à vos besoins spécifiques.
FAQ
Qu'est-ce que le PECVD RF ?
RF PECVD signifie dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma radiofréquence, qui est une technique utilisée pour préparer des films polycristallins sur un substrat en utilisant un plasma à décharge luminescente pour influencer le processus pendant le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression. La méthode RF PECVD est bien établie pour la technologie standard des circuits intégrés au silicium, où des tranches généralement plates sont utilisées comme substrats. Cette méthode est avantageuse en raison de la possibilité d'une fabrication de film à faible coût et d'une grande efficacité de dépôt. Les matériaux peuvent également être déposés sous forme de films à gradient d'indice de réfraction ou sous forme d'empilement de nano-films ayant chacun des propriétés différentes.
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