Oui, le SiO2 peut être pulvérisé. Pour ce faire, on utilise un processus appelé pulvérisation réactive, dans lequel le silicium (Si) est utilisé comme matériau cible en présence d'un gaz non inerte, en l'occurrence l'oxygène (O2). L'interaction entre les atomes de silicium pulvérisés et l'oxygène gazeux dans la chambre de pulvérisation conduit à la formation d'un film mince de dioxyde de silicium (SiO2).
Explication de la pulvérisation réactive :
La pulvérisation réactive est une technique utilisée pour le dépôt de couches minces dans laquelle un gaz réactif, tel que l'oxygène, est introduit dans l'environnement de pulvérisation. Dans le cas de la formation de SiO2, une cible de silicium est placée dans la chambre de pulvérisation et de l'oxygène gazeux est introduit. Lorsque le silicium est pulvérisé, les atomes éjectés réagissent avec l'oxygène pour former du SiO2. Ce processus est crucial pour obtenir la composition chimique et les propriétés souhaitées dans le film mince.Personnalisation de l'indice de réfraction :
La référence mentionne également la co-sputérisation, qui consiste à utiliser plusieurs cibles dans la chambre de pulvérisation. Par exemple, en pulvérisant conjointement des cibles de silicium et de titane dans un environnement riche en oxygène, il est possible de créer des films ayant un indice de réfraction personnalisé. La puissance appliquée à chaque cible peut être modifiée pour ajuster la composition du film déposé, contrôlant ainsi l'indice de réfraction entre les valeurs typiques du SiO2 (1,5) et du TiO2 (2,4).
Avantages de la pulvérisation cathodique :
La pulvérisation est préférée à d'autres méthodes de dépôt en raison de sa capacité à produire des films ayant une bonne adhérence aux substrats et à manipuler des matériaux ayant des points de fusion élevés. Le processus peut être réalisé du haut vers le bas, ce qui n'est pas possible avec le dépôt par évaporation. En outre, les systèmes de pulvérisation peuvent être équipés de diverses options telles que le nettoyage in situ ou le préchauffage du substrat, ce qui améliore la qualité et la fonctionnalité des films déposés.
Fabrication de cibles de pulvérisation de silicium :
