La pulvérisation RF est une technique utilisée pour créer des couches minces, en particulier dans les secteurs de l'informatique et des semi-conducteurs. Elle consiste à utiliser des ondes de radiofréquence (RF) pour alimenter un gaz inerte, créant ainsi des ions positifs qui frappent un matériau cible. Ce processus décompose le matériau cible en une fine pulvérisation qui recouvre un substrat, formant ainsi un film mince. La pulvérisation RF se distingue de la pulvérisation à courant continu en termes de tension, de pression du système, de modèle de dépôt par pulvérisation et de type de matériau cible utilisé.
Mécanisme de la pulvérisation RF :
La pulvérisation RF fonctionne en fournissant de l'énergie à des fréquences radio, généralement 13,56 MHz, avec un réseau d'adaptation. Cette méthode alterne le potentiel électrique, ce qui permet de "nettoyer" la surface du matériau cible de l'accumulation de charges à chaque cycle. Au cours du cycle positif, les électrons sont attirés vers la cible, ce qui lui confère une polarisation négative. Au cours du cycle négatif, le bombardement ionique de la cible se poursuit, facilitant ainsi le processus de pulvérisation.Avantages de la pulvérisation RF :
L'un des principaux avantages de la pulvérisation RF est sa capacité à réduire l'accumulation de charges à des endroits spécifiques de la surface du matériau cible. Cette réduction permet de minimiser l'"érosion en piste", un phénomène dans lequel le matériau cible s'érode de manière irrégulière en raison de l'accumulation localisée de charges.
Application aux matériaux isolants :
La pulvérisation RF est particulièrement efficace pour déposer des couches minces de matériaux isolants ou non conducteurs. Contrairement à la pulvérisation DC, qui nécessite des cibles conductrices, la pulvérisation RF peut traiter des matériaux non conducteurs en gérant efficacement l'accumulation de charges grâce à son potentiel électrique alternatif.
Pulvérisation magnétron RF :
