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Four CVD & PECVD
Système RF PECVD Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à radiofréquence
Numéro d'article : KT-RFPE
Le prix varie en fonction de Spécifications et personnalisations
- Fréquence
- Fréquence RF 13,56MHZ
- Température de chauffage
- max 200°C
- Dimensions de la chambre à vide
- Ф420mm × 400 mm
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Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à radiofréquence (RF PECVD) est une technique de dépôt de couches minces qui utilise le plasma pour améliorer le processus de dépôt chimique en phase vapeur. Ce procédé est utilisé pour déposer une grande variété de matériaux, notamment des métaux, des diélectriques et des semi-conducteurs. La PECVD RF est une technique polyvalente qui peut être utilisée pour déposer des films présentant un large éventail de propriétés, notamment l'épaisseur, la composition et la morphologie.
Applications
La RF-PECVD, une technique révolutionnaire dans le domaine du dépôt de couches minces, trouve de nombreuses applications dans diverses industries, notamment :
- la fabrication de composants et de dispositifs optiques
- la fabrication de dispositifs semi-conducteurs
- la production de revêtements protecteurs
- Développement de la microélectronique et des MEMS
- la synthèse de nouveaux matériaux.
Composants et fonctions
Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à radiofréquence (RF PECVD) est une technique utilisée pour déposer des couches minces sur des substrats en utilisant un générateur de radiofréquence pour créer un plasma qui ionise les gaz précurseurs. Les gaz ionisés réagissent entre eux et se déposent sur le substrat, formant un film mince. La PECVD RF est couramment utilisée pour déposer des films de carbone de type diamant (DLC) sur des substrats de germanium et de silicium pour des applications dans la gamme de longueurs d'onde infrarouge 3-12um.
Composé d'une chambre à vide, d'un système de pompage à vide, de cibles cathodiques et anodiques, d'une source RF, d'un système de mélange de gaz gonflable, d'un système d'armoire de commande informatisée, etc., cet appareil permet d'effectuer le revêtement à l'aide d'un seul bouton, de stocker et d'extraire le processus, d'activer des fonctions d'alarme, de commuter des signaux et des vannes, ainsi que d'enregistrer l'ensemble des opérations du processus.
Détails et exemples
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Caractéristiques
Caractéristiques du système RF-PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à radiofréquence) :
- Revêtement à bouton unique : Simplifie le processus de revêtement et le rend facile à utiliser pour les utilisateurs.
- Stockage et récupération des processus : Permet aux utilisateurs d'enregistrer et de rappeler les paramètres du processus, ce qui garantit des résultats cohérents.
- Fonctions d'alarme : Elles alertent les utilisateurs en cas de problèmes ou d'erreurs pendant le processus de revêtement, ce qui minimise les temps d'arrêt.
- Commutation de signaux et de vannes : contrôle précis du processus d'enrobage, permettant aux utilisateurs d'obtenir les résultats souhaités.
- Enregistrement complet des opérations de traitement : Enregistre tous les paramètres du processus, ce qui facilite le suivi et l'analyse du processus de revêtement.
- Chambre à vide, système de pompage à vide, cibles cathodiques et anodiques, source RF, système de mélange de gaz gonflable, système d'armoire de commande informatique : Assure un environnement stable et contrôlé pour le processus de revêtement.
Avantages
- Dépôt d'un film de haute qualité à basse température, adapté aux substrats sensibles à la température.
- Contrôle précis de l'épaisseur et de la composition du film.
- Dépôt uniforme et conforme du film sur des géométries complexes.
- Faible contamination par les particules et films de grande pureté.
- Procédé évolutif et rentable pour la production en grande quantité.
- Procédé respectueux de l'environnement avec une production minimale de déchets dangereux.
Spécifications techniques
Partie principale de l'équipement
Forme de l'équipement |
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Chambre à vide |
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Squelette de l'hôte |
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Système de refroidissement de l'eau |
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Armoire de commande |
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Système de vide
Vide ultime |
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Temps de rétablissement du vide |
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Taux de montée en pression |
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Configuration du système de vide |
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Mesure du système de vide |
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Fonctionnement du système de vide | Il existe deux modes de sélection du vide : manuel et automatique ;
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Lorsque le vide est anormal ou que l'alimentation électrique est coupée, la pompe moléculaire de la soupape à vide doit revenir à l'état fermé. La vanne de vide est équipée d'une fonction de protection de verrouillage, et l'entrée d'air de chaque cylindre est équipée d'un dispositif de réglage de la vanne d'arrêt, et il y a une position définie par le capteur pour afficher l'état fermé du cylindre ; |
|
Conformément aux conditions techniques générales de la machine de revêtement sous vide GB11164.
- Système de chauffage
- Méthode de chauffage : méthode de chauffage par lampe à iode et tungstène ;
- Régulateur de puissance : régulateur de puissance numérique ;
- Température de chauffage : température maximale de 200°C, puissance 2000W/220V, affichage contrôlable et réglable, contrôle ±2°C ;
Méthode de connexion : insertion et extraction rapides, couvercle de blindage en métal pour éviter l'encrassement, source d'alimentation isolée pour garantir la sécurité du personnel.
- Alimentation radiofréquence RF
- Fréquence : Fréquence RF 13.56MHZ ;
- Puissance : 0-2000W réglable en continu ;
- Fonction : réglage entièrement automatique de la fonction d'adaptation d'impédance, réglage entièrement automatique pour maintenir la fonction de réflexion à un niveau très bas, réflexion interne à 0,5 % près, avec fonction de réglage manuel et automatique de la conversion ;
Affichage : avec tension de polarisation, position du condensateur CT, position du condensateur RT, puissance réglée, affichage de la fonction de réflexion, avec fonction de communication, communication avec l'écran tactile, réglage et affichage des paramètres sur le logiciel de configuration, affichage de la ligne d'accord, etc.
- Cible cathodique anodique
- Cible anodique : un substrat de cuivre de φ300 mm est utilisé comme cible cathodique, la température est basse pendant le fonctionnement et aucune eau de refroidissement n'est nécessaire ;
Cible cathodique : cible cathodique en cuivre de φ200 mm refroidie à l'eau, la température est élevée pendant le travail et l'intérieur est refroidi à l'eau, afin de garantir une température constante pendant le travail. La distance maximale entre l'anode et la cible cathodique est de 100 à 250 mm.
- Contrôle du gonflage
- Débitmètre : Le débitmètre britannique à quatre voies est utilisé, le débit est compris entre 0 et 200 SCCM, avec affichage de la pression, paramètres de communication et type de gaz réglables ;
- Valve d'arrêt : La vanne d'arrêt Qixing Huachuang DJ2C-VUG6 fonctionne avec le débitmètre, mélange le gaz, le remplit dans la chambre à travers le dispositif de gonflage annulaire et s'écoule uniformément à travers la surface de la cible ;
- Bouteille de stockage de gaz de pré-étape : il s'agit principalement d'une bouteille de conversion de rinçage, qui vaporise le liquide C4H10, puis entre dans la canalisation de pré-étape du débitmètre. La bouteille de stockage de gaz est équipée d'un instrument DSP à affichage numérique de la pression, qui déclenche des alarmes de surpression et de basse pression ;
- Bouteille tampon de gaz mélangés : La bouteille tampon est mélangée à quatre gaz au cours de la dernière étape. Après le mélange, le gaz sort de la bouteille tampon jusqu'au fond de la chambre et jusqu'au sommet, et l'un d'entre eux peut être fermé indépendamment ;
Dispositif de gonflage : la conduite de gaz uniforme à la sortie du circuit de gaz du corps de la chambre, qui est chargée uniformément sur la surface cible pour améliorer l'uniformité du revêtement.
- Système de contrôle
- Écran tactile : écran tactile TPC1570GI comme ordinateur hôte + clavier et souris ;
- Logiciel de contrôle : réglage des paramètres de processus tabulaires, affichage des paramètres d'alarme, affichage des paramètres de vide et affichage des courbes, réglage et affichage des paramètres de l'alimentation RF et de l'alimentation en courant continu, enregistrement de l'état de fonctionnement de toutes les vannes et de tous les commutateurs, enregistrement des processus, enregistrement des alarmes, enregistrement des paramètres de vide, peuvent être stockés pendant environ six mois, et le fonctionnement du processus de l'ensemble de l'équipement est sauvegardé en 1 seconde pour sauvegarder les paramètres ;
- PLC : L'API d'Omron est utilisé comme ordinateur inférieur pour collecter les données de divers composants et interrupteurs en position, vannes de contrôle et divers composants, puis effectuer l'interaction des données, l'affichage et le contrôle à l'aide d'un logiciel de configuration. Ce système est plus sûr et plus fiable ;
- État de contrôle : revêtement à bouton unique, mise sous vide automatique, vide constant automatique, chauffage automatique, dépôt automatique de processus multicouches, achèvement automatique du ramassage et autres travaux ;
Avantages de l'écran tactile : le logiciel de contrôle de l'écran tactile ne peut pas être modifié, le fonctionnement stable est plus pratique et plus flexible, mais la quantité de données stockées est limitée, les paramètres peuvent être directement exportés, et lorsqu'il y a un problème avec le processus ; 6. alarme : adopter le mode d'alarme sonore et lumineuse, et enregistrer l'alarme dans la bibliothèque de paramètres d'alarme de configuration. Elle peut être consultée à tout moment dans le futur, et les données enregistrées peuvent être consultées et appelées à tout moment.
- Vide constant
- Vanne papillon à vide constant : la vanne papillon DN80 coopère avec la jauge à film capacitif Inficon CDG025 pour travailler à vide constant, l'inconvénient est que l'orifice de la vanne est facilement pollué et difficile à nettoyer ;
Mode de position de la vanne : Définir le mode de contrôle de la position.
- Eau, électricité, gaz
- Les principaux tuyaux d'entrée et de sortie sont en acier inoxydable et équipés d'entrées d'eau de secours ;
- Tous les tuyaux refroidis par eau à l'extérieur de la chambre à vide adoptent des joints fixes à changement rapide en acier inoxydable et des tuyaux en plastique à haute pression (tuyaux d'eau de haute qualité, qui peuvent être utilisés pendant longtemps sans fuite ni rupture), et les tuyaux d'entrée et de sortie d'eau en plastique à haute pression doivent être affichés en deux couleurs différentes et marqués de manière correspondante ; marque Airtek ;
- Tous les tubes refroidis à l'eau à l'intérieur de la chambre à vide sont fabriqués en matériau SUS304 de haute qualité ;
- Les circuits d'eau et de gaz sont respectivement installés avec des instruments de pression d'eau et de pression d'air sûrs et fiables, à affichage de haute précision.
- Équipé d'un refroidisseur 8P pour l'écoulement de l'eau de la machine à film de carbone.
Equipé d'une machine à eau chaude de 6KW, lorsque la porte est ouverte, l'eau chaude circule dans la pièce.
- Exigences en matière de protection de la sécurité
- La machine est équipée d'un dispositif d'alarme ;
- Lorsque la pression de l'eau ou de l'air n'atteint pas le débit spécifié, toutes les pompes à vide et les vannes sont protégées et ne peuvent pas être démarrées ; une alarme sonore et un signal lumineux rouge sont émis ;
- Lorsque la machine fonctionne normalement, si la pression de l'eau ou de l'air est soudainement insuffisante, toutes les vannes sont automatiquement fermées et une alarme sonore et un signal lumineux rouge apparaissent ;
- Lorsque le système d'exploitation est anormal (haute tension, source d'ions, système de contrôle), une alarme sonore et un signal lumineux rouge apparaissent ;
La haute tension est activée et il existe un dispositif d'alarme de protection.
- Exigences en matière d'environnement de travail
- Température ambiante : 10~35℃ ;
- Humidité relative : pas plus de 80 % ;
L'environnement autour de l'équipement est propre et l'air est pur. Il ne doit pas y avoir de poussière ou de gaz susceptibles de provoquer la corrosion des appareils électriques et d'autres surfaces métalliques ou de provoquer une conduction électrique entre les métaux.
- Exigences en matière d'alimentation électrique de l'équipement
- Source d'eau : eau douce industrielle, pression de l'eau 0,2~0,3Mpa, volume d'eau~60L/min, température d'entrée de l'eau≤25°C ; connexion du tuyau d'eau 1,5 pouces ;
- Source d'air : pression d'air 0,6MPa ;
- Alimentation électrique : système triphasé à cinq fils 380V, 50Hz, plage de fluctuation de tension : tension de ligne 342 ~ 399V, tension de phase 198 ~ 231V ; plage de fluctuation de fréquence : 49 ~ 51Hz ; consommation électrique de l'équipement : ~ 16KW ; résistance de mise à la terre ≤ 1Ω ;
Avertissements
La sécurité des opérateurs est la question la plus importante ! Veuillez faire fonctionner l'équipement avec des précautions. Travailler avec des gaz inflammables, explosifs ou toxiques est très dangereux, les opérateurs doivent prendre toutes les précautions nécessaires avant de démarrer le équipement. Travailler en pression positive à l’intérieur des réacteurs ou des chambres est dangereux, l'opérateur doit suivre strictement les procédures de sécurité. Supplémentaire des précautions doivent également être prises lors de l'utilisation de matériaux réactifs à l'air, surtout sous vide. Une fuite peut aspirer de l'air dans l'appareil et provoquer un une réaction violente se produit.
Conçu pour vous
KinTek fournit un service et des équipements sur mesure aux clients du monde entier, notre travail d'équipe spécialisé et nos riches ingénieurs expérimentés sont capables de entreprendre les exigences en matière d'équipement matériel et logiciel sur mesure, et aider notre client à constituer l'équipement exclusif et personnalisé et solution!
FAQ
Qu'est-ce Que La Méthode PECVD ?
A Quoi Sert Le PECVD ?
Quels Sont Les Avantages Du PECVD ?
Quelle Est La Différence Entre ALD Et PECVD ?
Quelle Est La Différence Entre Le PECVD Et La Pulvérisation ?
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Cellule électrolytique optique à fenêtre latérale
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Filtres à bande étroite / Filtres passe-bande
Un filtre passe-bande étroit est un filtre optique spécialement conçu pour isoler une gamme étroite de longueurs d'onde tout en rejetant efficacement toutes les autres longueurs d'onde de lumière.
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Comprendre le PECVD : un guide pour le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma
Le PECVD est une technique utile pour créer des revêtements en couches minces car il permet le dépôt d'une grande variété de matériaux, y compris des oxydes, des nitrures et des carbures.
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Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) : Un guide complet
Apprenez tout ce que vous devez savoir sur le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), une technique de dépôt de couches minces utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs. Découvrez ses principes, ses applications et ses avantages.
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Comment obtenir un diamant monocristallin de haute qualité avec MPCVD
Le dépôt chimique en phase vapeur par plasma micro-ondes (MPCVD) est une technique populaire pour produire du diamant monocristallin de haute qualité.
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Le rôle du plasma dans les revêtements PECVD
PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) est un type de procédé de dépôt de couches minces largement utilisé pour créer des revêtements sur divers substrats. Dans ce processus, un plasma est utilisé pour déposer des films minces de divers matériaux sur un substrat.
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Une introduction au dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
Le dépôt chimique en phase vapeur, ou CVD, est un procédé de revêtement qui implique l'utilisation de réactifs gazeux pour produire des films minces et des revêtements de haute qualité.
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Un guide étape par étape du processus PECVD
Le PECVD est un type de procédé de dépôt chimique en phase vapeur qui utilise le plasma pour améliorer les réactions chimiques entre les précurseurs en phase gazeuse et le substrat.
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Avantages et inconvénients du dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une technique polyvalente de dépôt de couches minces largement utilisée dans diverses industries. Découvrez ses avantages, ses inconvénients et ses nouvelles applications potentielles.
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Pourquoi le PECVD est essentiel pour la fabrication de dispositifs microélectroniques
PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) est une technique de dépôt de couches minces populaire utilisée dans la fabrication de dispositifs microélectroniques.
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Comparaison des performances de PECVD et HPCVD dans les applications de revêtement
Bien que le PECVD et le HFCVD soient tous deux utilisés pour les applications de revêtement, ils diffèrent en termes de méthodes de dépôt, de performances et d'adéquation à des applications spécifiques.
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Matériaux clés pour des processus CVD réussis
Le succès des procédés CVD dépend de la disponibilité et de la qualité des précurseurs utilisés au cours du procédé.
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Un guide complet sur la maintenance des équipements PECVD
Un bon entretien de l'équipement PECVD est crucial pour assurer ses performances, sa longévité et sa sécurité optimales.
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Comprendre la méthode PECVD
Le PECVD est un procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma qui est largement utilisé dans la production de couches minces pour diverses applications.