Produits Équipement thermique MPCVD Cylindrical Resonator MPCVD Diamond Machine for lab diamond growth
Machine à diamant MPCVD à résonateur cylindrique pour la croissance de diamants en laboratoire

MPCVD

Machine à diamant MPCVD à résonateur cylindrique pour la croissance de diamants en laboratoire

Numéro d'article : KTWB315

Le prix varie en fonction de specs and customizations


Puissance des micro-ondes
Fréquence des micro-ondes 2450±15MHZ
Puissance de sortie
1~10 KW réglable en continu
Fuite de micro-ondes
≤2MW/cm2
Interface du guide d'ondes de sortie
WR340, 430 avec bride standard FD-340, 430
Porte-échantillon
Diamètre de la table d'échantillonnage≥72mm, surface d'utilisation effective≥66 mm
ISO & CE icon

Livraison:

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MPCVD signifie Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition (dépôt chimique en phase vapeur par plasma micro-ondes). Il s'agit d'une méthode permettant de produire des films de diamant de haute qualité en laboratoire en utilisant un gaz contenant du carbone et un plasma à micro-ondes.

KinTek MPCVD

Système MPCVD

Le système MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) est un procédé utilisé pour déposer des films minces sur la surface d'un substrat. Le système se compose d'une chambre à vide où se déroule le processus de dépôt, d'un générateur de micro-ondes et d'un système de distribution de gaz. Le générateur de micro-ondes est utilisé pour générer un plasma à l'intérieur de la chambre à vide, qui est utilisé pour décomposer et déposer les espèces gazeuses sur le substrat.

Le générateur de micro-ondes est généralement un magnétron ou un klystron, qui génère des micro-ondes dans la gamme des 2,45 GHz. Les micro-ondes sont couplées à la chambre à vide à travers une fenêtre en quartz.

Le système d'alimentation en gaz se compose de régulateurs de débit massique (MFC) qui contrôlent le débit de gaz dans la chambre à vide. Les MFC sont calibrés en centimètres cubes standard par minute (sccm).

La température du substrat est contrôlée par la position du plasma et mesurée par un thermocouple. Le plasma est utilisé pour chauffer le substrat et la température est contrôlée par le thermocouple pour s'assurer que le substrat est à la température désirée pendant le processus de dépôt.

Applications

La MPCVD est une technologie prometteuse pour la production de gros diamants de haute qualité à faible coût.

Les propriétés uniques du diamant, notamment sa dureté, sa rigidité, sa conductivité thermique élevée, sa faible dilatation thermique, sa dureté aux radiations et son inertie chimique, en font un matériau précieux.

Malgré son grand potentiel, le coût élevé, la taille limitée et la difficulté à contrôler les impuretés des diamants naturels et synthétiques à haute pression et à haute température ont limité leurs applications.

La technologie MPCVD est le principal équipement utilisé pour la croissance des pierres précieuses et des films de diamant.

La croissance de films de diamant peut être monocristalline ou polycristalline, et elle est largement utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs pour les substrats diamantés de grande taille, ainsi que dans l'industrie des outils de coupe ou de forage diamantés.

Comparée à la méthode HPHT pour les diamants cultivés en laboratoire, la méthode CVD micro-ondes est avantageuse pour la croissance de diamants de grande taille à un coût inférieur, ce qui en fait une solution idéale pour les applications de diamants semi-conducteurs, la croissance de diamants optiques et les besoins du marché des grands diamants de joaillerie.

Machines KINTEK MPCVD
Machines à diamant KINTEK MPCVD
Nouveau modèle de machine KINTEK MPCVD pour le diamant
Nouveau modèle de machine à diamant KINTEK MPCVD
Nouveau modèle de machine diamantaire KINTEK MPCVD
Nouveau modèle de machine à diamant KINTEK MPCVD
Diamants bruts cultivés par KINTEK MPCVD
Diamants bruts cultivés par KINTEK MPCVD
Dans la machine KinTek MPCVD, les diamants poussent
Dans la machine KinTek MPCVD, les diamants poussent
Dans la machine MPCVD de KinTek, les diamants poussent
Dans la machine MPCVD de KinTek, les diamants poussent
Dans la machine MPCVD de KinTek, les diamants poussent
Dans la machine MPCVD de KinTek, les diamants poussent
Dans la machine MPCVD de KinTek, les diamants poussent
Dans la machine MPCVD de KinTek, les diamants poussent
Dans la machine MPCVD de KinTek, les diamants poussent
Dans la machine MPCVD de KinTek, les diamants poussent
Diamant brut cultivé par une machine KINTEK MPCVD
Diamant brut cultivé par une machine KINTEK MPCVD
Diamant brut cultivé par une machine KINTEK MPCVD
Diamant brut cultivé par une machine KINTEK MPCVD
Diamant brut cultivé par la machine KINTEK MPCVD
Diamant brut cultivé par la machine KINTEK MPCVD
Diamants cultivés par MPCVD après polissage
Diamants cultivés par MPCVD après polissage
Polycristallin par KinTek MPCVD
Polycristallin par KinTek MPCVD

Avantages de la méthode MPCVD

La méthode MPCVD est une méthode de synthèse du diamant qui présente plusieurs avantages par rapport à d'autres méthodes, telles que la HFCVD et la DC-PJ CVD. Elle évite la contamination du diamant par les fils chauds et permet l'utilisation de plusieurs gaz pour répondre à différents besoins industriels. Par rapport à la DC-PJ CVD, elle permet un réglage souple et continu de la puissance des micro-ondes et un contrôle stable de la température de réaction, ce qui évite que les germes de cristaux ne tombent du substrat en raison d'un arc électrique ou d'une défaillance de la flamme. Avec une large zone de plasma de décharge stable, la méthode MPCVD est considérée comme la méthode de synthèse du diamant la plus prometteuse pour les applications industrielles.

Les diamants produits par MPCVD sont d'une plus grande pureté que ceux produits par la méthode HPHT, et le processus de production consomme moins d'énergie. En outre, la méthode MPCVD facilite la production de diamants de plus grande taille.

Avantages de notre système MPCVD

Nous sommes très impliqués dans l'industrie depuis de nombreuses années, ce qui nous permet d'avoir une vaste base de clients qui font confiance à notre équipement et l'utilisent. Notre équipement MPCVD a fonctionné régulièrement pendant plus de 40 000 heures, faisant preuve d'une stabilité, d'une fiabilité, d'une répétabilité et d'une rentabilité exceptionnelles. Voici d'autres avantages de notre système MPCVD :

  • Zone de croissance de substrat de 3 pouces, charge de lot maximale jusqu'à 45 pièces de diamant
  • Puissance de sortie des micro-ondes réglable de 1 à 10 kW pour réduire la consommation d'électricité.
  • Une équipe de recherche expérimentée avec un support de recettes de culture de diamants à la pointe de la technologie.
  • Programme d'assistance technique exclusif pour l'équipe expérimentée dans la culture de diamants zéro.

En tirant parti de la technologie de pointe que nous avons accumulée, nous avons mis en œuvre plusieurs séries de mises à niveau et d'améliorations de notre système MPCVD, ce qui a permis d'améliorer considérablement l'efficacité et de réduire les coûts d'équipement. Par conséquent, notre équipement MPCVD est à la pointe des avancées technologiques et est proposé à un prix compétitif. N'hésitez pas à nous consulter.

Simulation KinTek MPCVD
Simulation MPCVD KinTek

Processus de travail

La machine MPCVD contrôle le débit de chaque voie de gaz et la pression de la cavité tout en introduisant les gaz réactifs (tels que CH4, H2, Ar, O2, N2, etc.) dans la cavité sous une pression spécifique. Après avoir stabilisé le flux d'air, le générateur de micro-ondes à semi-conducteurs de 6KW génère des micro-ondes qui sont ensuite introduites dans la cavité à travers le guide d'ondes.

Le gaz de réaction se transforme en plasma sous l'effet du champ de micro-ondes, formant une boule de plasma qui plane au-dessus du substrat de diamant. La température élevée du plasma chauffe le substrat à une température spécifique. L'excès de chaleur produit dans la cavité est dissipé par l'unité de refroidissement à eau.

Pour garantir des conditions de croissance optimales au cours du processus de croissance du diamant monocristallin MPCVD, nous ajustons des facteurs tels que la puissance, la composition de la source de gaz et la pression de la cavité. En outre, comme la boule de plasma n'entre pas en contact avec la paroi de la cavité, le processus de croissance du diamant est exempt d'impuretés, ce qui améliore la qualité du diamant.

Détails et pièces

Système à micro-ondes

Système à micro-ondes

Chambre de réaction

Chambre de réaction

Système de flux de gaz

Système de flux de gaz

Système de vide et de capteurs

Système de vide et de capteurs

Spécifications techniques

Système à micro-ondes
  • Fréquence des micro-ondes 2450±15MHZ,
  • Puissance de sortie 1~10 KW réglable en continu
  • Stabilité de la puissance de sortie des micro-ondes : <±1%
  • Fuite de micro-ondes ≤2MW/cm2
  • Interface de guide d'ondes de sortie : WR340, 430 avec bride standard FD-340, 430
  • Débit d'eau de refroidissement : 6-12L/min
  • Coefficient d'onde stationnaire du système : VSWR ≤ 1.5
  • Réglage manuel des micro-ondes à 3 broches, cavité d'excitation, charge haute puissance
  • Alimentation d'entrée : 380VAC/50Hz ± 10%, triphasé
Chambre de réaction
  • Taux de fuite du vide<5 × 10-9 Pa .m3/s
  • La pression limite est inférieure à 0,7 Pa (configuration standard avec jauge à vide Pirani).
  • L'augmentation de la pression de la chambre ne doit pas dépasser 50 Pa après 12 heures de maintien de la pression.
  • Mode de fonctionnement de la chambre de réaction : Mode TM021 ou TM023
  • Type de cavité : Cavité résonante cylindrique, d'une puissance maximale de 10 kW, en acier inoxydable 304, avec couche intermédiaire refroidie à l'eau et méthode d'étanchéité par plaque de quartz de haute pureté.
  • Mode d'admission d'air : Entrée d'air uniforme annulaire supérieure
  • Scellage sous vide : Le raccord inférieur de la chambre principale et la porte d'injection sont scellés par des anneaux en caoutchouc, la pompe à vide et le soufflet sont scellés par du KF, la plaque de quartz est scellée par un anneau métallique en C, et le reste est scellé par du CF.
  • Fenêtre d'observation et de mesure de la température : 8 ports d'observation
  • Port de chargement de l'échantillon à l'avant de la chambre
  • Décharge stable dans la plage de pression de 0,7KPa~30KPa (la pression d'alimentation doit être adaptée)
Porte-échantillon
  • Diamètre de la table d'échantillonnage≥72mm, surface d'utilisation effective≥66 mm
  • Plate-forme de la plaque de base, structure sandwich refroidie à l'eau
  • Le porte-échantillon peut être soulevé et abaissé uniformément électriquement dans la cavité.
Système de flux de gaz
  • Disque d'air pour le soudage de tous les métaux
  • Des joints de soudure ou des joints VCR doivent être utilisés pour tous les circuits de gaz internes de l'équipement.
  • Débitmètre MFC à 5 canaux, H2/CH4/O2/N/Ar. H2 : 1000 sccm ;CH4:100 sccm ; O2 : 2 sccm ; N2 : 2 sccm ; Ar : 10 sccm
  • Pression de travail 0,05-0,3MPa, précision ±2%.
  • Contrôle indépendant des vannes pneumatiques pour chaque débitmètre de canal
Système de refroidissement
  • 3 lignes de refroidissement par eau, surveillance en temps réel de la température et du débit.
  • Le débit d'eau de refroidissement du système est ≤ 50L/min
  • La pression de l'eau de refroidissement est <4KG, et la température de l'eau d'entrée est de 20-25 ℃.
Capteur de température
  • Le thermomètre infrarouge externe a une plage de température de 300-1400 ℃.
  • Précision du contrôle de la température < 2 ℃ ou 2 %.
Système de contrôle
  • L'automate Siemens smart 200 et le contrôle par écran tactile sont adoptés.
  • Le système dispose d'une variété de programmes, qui peuvent réaliser l'équilibre automatique de la température de croissance, le contrôle précis de la pression de l'air de croissance, l'augmentation automatique de la température, la baisse automatique de la température et d'autres fonctions.
  • La surveillance du débit d'eau, de la température, de la pression et d'autres paramètres permet d'assurer un fonctionnement stable et une protection complète de l'équipement. La fiabilité et la sécurité du fonctionnement peuvent être garanties par un verrouillage fonctionnel.
Fonction optionnelle
  • Système de surveillance du centre
  • Puissance de base du substrat

Avertissements

La sécurité de l'opérateur est la question la plus importante ! Veuillez utiliser l'équipement avec prudence. Travailler avec des gaz inflammables et explosifs ou toxiques est très dangereux, les opérateurs doivent prendre toutes les précautions nécessaires avant de démarrer l'équipement. Travailler avec une pression positive à l'intérieur des réacteurs ou des chambres est dangereux, l'opérateur doit respecter strictement les procédures de sécurité. Des précautions supplémentaires doivent également être prises lors de l'utilisation de matériaux réactifs à l'air, en particulier sous vide. Une fuite peut aspirer de l'air dans l'appareil et provoquer une réaction violente.

Conçu pour vous

KinTek fournit un service et des équipements sur mesure approfondis aux clients du monde entier, notre travail d'équipe spécialisé et nos riches ingénieurs expérimentés sont capables d'entreprendre les exigences d'équipement matériel et logiciel sur mesure, et d'aider nos clients à créer l'équipement et la solution exclusifs et personnalisés !

Souhaitez-vous s'il vous plaît nous faire part de vos idées, nos ingénieurs sont prêts pour vous maintenant !

FAQ

Qu'est-ce qu'un four CVD ?

Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une technologie qui utilise diverses sources d'énergie telles que le chauffage, l'excitation du plasma ou le rayonnement lumineux pour faire réagir chimiquement des substances chimiques gazeuses ou en phase vapeur sur la phase gazeuse ou l'interface gaz-solide pour former des dépôts solides dans le réacteur au moyen de réaction chimique. Pour le dire simplement, deux ou plusieurs matières premières gazeuses sont introduites dans une chambre de réaction, puis elles réagissent l'une avec l'autre pour former un nouveau matériau et le déposer sur la surface du substrat.

Le four CVD est un système de four combiné avec une unité de four tubulaire à haute température, une unité de contrôle des gaz et une unité de vide, il est largement utilisé pour l'expérimentation et la production de préparation de matériaux composites, de processus microélectronique, d'optoélectronique semi-conducteur, d'utilisation de l'énergie solaire, de communication par fibre optique, supraconducteur technologie, domaine des revêtements de protection.

Comment fonctionne le four CVD ?

Le système de four CVD se compose d'une unité de four tubulaire à haute température, d'une unité de contrôle précise de la source de gaz réactif, d'une station de pompe à vide et des pièces d'assemblage correspondantes.

La pompe à vide consiste à éliminer l'air du tube de réaction et à s'assurer qu'il n'y a pas de gaz indésirables à l'intérieur du tube de réaction, après quoi le four tubulaire chauffera le tube de réaction à une température cible, puis l'unité de contrôle précise de la source de gaz de réaction peut introduire différents gaz avec un rapport défini dans le tube du four pour la réaction chimique, le dépôt chimique en phase vapeur sera formé dans le four CVD.

Qu'est-ce que Mpcvd ?

MPCVD signifie Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition et c'est un processus de dépôt de couches minces sur une surface. Il utilise une chambre à vide, un générateur de micro-ondes et un système de distribution de gaz pour créer un plasma composé de produits chimiques réactifs et des catalyseurs nécessaires. Le MPCVD est largement utilisé dans le réseau ANFF pour déposer des couches de diamant en utilisant du méthane et de l'hydrogène pour faire pousser de nouveaux diamants sur un substrat ensemencé de diamant. Il s'agit d'une technologie prometteuse pour produire de gros diamants de haute qualité à faible coût et elle est largement utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs et de la taille des diamants.

Qu'est-ce qu'une machine à diamant CVD?

Une machine à diamant CVD est un dispositif utilisé pour produire des diamants synthétiques par un processus appelé dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ce processus implique la précipitation de vapeurs chimiques pour créer un diamant, qui a des propriétés équivalentes aux diamants naturels. Machines diamantées CVD, y compris CVD thermique assisté par filament, CVD amélioré par plasma et CVD assisté par flamme de combustion, etc. Les diamants CVD résultants sont utiles dans l'industrie des outils de coupe en raison de leur dureté élevée et de leur longue durée de vie, ce qui en fait un outil important. et outil économique pour couper les matériaux non ferreux.

Quels types de machines de croissance de diamants sont disponibles ?

Plusieurs machines sont disponibles pour la croissance de diamants artificiels, notamment le CVD à filament chaud, le CVD à flamme plasma à courant continu, le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma micro-ondes (MPCVD) et le CVD microplasma (MPCVD). Parmi ceux-ci, le MPCVD est largement utilisé en raison de son chauffage homogène par micro-ondes. De plus, le taux de croissance du diamant peut être augmenté en augmentant la densité du plasma, et de l'azote peut être ajouté pour améliorer le taux de croissance du diamant. Pour obtenir une surface plane, diverses techniques de polissage, y compris le polissage mécanique et chimio-mécanique, peuvent être utilisées. La croissance de diamants de grande taille peut être obtenue par croissance en mosaïque ou croissance hétéroépitaxiale.

Quelles sont les méthodes utilisées pour déposer des couches minces ?

Les deux principales méthodes utilisées pour déposer des couches minces sont le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt physique en phase vapeur (PVD). Le CVD consiste à introduire des gaz réactifs dans une chambre, où ils réagissent à la surface de la plaquette pour former un film solide. Le PVD n'implique pas de réactions chimiques ; au lieu de cela, des vapeurs de matériaux constitutifs sont créées à l'intérieur de la chambre, qui se condensent ensuite sur la surface de la tranche pour former un film solide. Les types courants de PVD comprennent le dépôt par évaporation et le dépôt par pulvérisation. Les trois types de techniques de dépôt par évaporation sont l'évaporation thermique, l'évaporation par faisceau d'électrons et le chauffage par induction.

Quel gaz est utilisé dans le procédé CVD ?

Il existe d'énormes sources de gaz pouvant être utilisées dans le processus CVD, les réactions chimiques courantes de CVD comprennent la pyrolyse, la photolyse, la réduction, l'oxydation, le redox, de sorte que les gaz impliqués dans ces réactions chimiques peuvent être utilisés dans le processus CVD.

Nous prenons la croissance du graphène CVD par exemple, les gaz utilisés dans le processus CVD seront CH4, H2, O2 et N2.

Qu'est-ce qu'une machine Mpcvd ?

La machine MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) est un équipement de laboratoire utilisé pour développer des films de diamant de haute qualité. Il utilise un gaz contenant du carbone et un plasma micro-ondes pour créer une boule de plasma au-dessus du substrat de diamant, qui le chauffe à une température spécifique. La boule de plasma n'entre pas en contact avec la paroi de la cavité, ce qui rend le processus de croissance du diamant exempt d'impuretés et améliore la qualité du diamant. Le système MPCVD se compose d'une chambre à vide, d'un générateur de micro-ondes et d'un système de distribution de gaz qui contrôle le flux de gaz dans la chambre.

Quels sont les avantages des diamants cultivés en laboratoire ?

Les avantages des diamants cultivés en laboratoire incluent la connaissance de leur origine, un prix plus bas, le fait d'être plus respectueux de l'environnement et la possibilité de créer des diamants de couleur plus facilement. Les diamants cultivés en laboratoire sont presque sûrs à 100 % de leur origine, ce qui les rend exempts de conflits, d'exploitation d'enfants ou de guerres. Ils sont également au moins 20 % moins chers que les diamants naturels de même taille, pureté et coupe. Les diamants cultivés en laboratoire sont plus durables car il n'y a pas d'exploitation minière et ils nécessitent moins d'impact sur l'environnement. Enfin, les diamants de couleur synthétiques sont plus faciles à fabriquer dans une large gamme de couleurs et sont proposés à un prix nettement moins cher.

Quel est le principe de base du CVD ?

Le principe de base du dépôt chimique en phase vapeur (CVD) consiste à exposer un substrat à un ou plusieurs précurseurs volatils qui réagissent ou se décomposent à sa surface pour produire un dépôt en couche mince. Ce processus peut être utilisé pour diverses applications, telles que les films à motifs, les matériaux isolants et les couches métalliques conductrices. Le CVD est un processus polyvalent qui peut synthétiser des revêtements, des poudres, des fibres, des nanotubes et des composants monolithiques. Il est également capable de produire la plupart des métaux et alliages métalliques et leurs composés, semi-conducteurs et systèmes non métalliques. Le dépôt d'un solide sur une surface chauffée à partir d'une réaction chimique en phase vapeur caractérise le procédé CVD.

Qu'est-ce qu'un équipement de dépôt de couches minces ?

L'équipement de dépôt de couches minces fait référence aux outils et aux méthodes utilisés pour créer et déposer des revêtements de couches minces sur un matériau de substrat. Ces revêtements peuvent être constitués de divers matériaux et avoir différentes caractéristiques qui peuvent améliorer ou altérer les performances du substrat. Le dépôt physique en phase vapeur (PVD) est une technique populaire qui consiste à vaporiser un matériau solide sous vide, puis à le déposer sur un substrat. D'autres méthodes incluent l'évaporation et la pulvérisation. L'équipement de dépôt de couches minces est utilisé dans la production de dispositifs optoélectroniques, d'implants médicaux et d'optiques de précision, entre autres.

Quel est l'avantage du système CVD ?

  • Une large gamme de films peut être produite, film métallique, film non métallique et film d'alliage multi-composants selon les besoins. En même temps, il peut préparer des cristaux de haute qualité difficiles à obtenir par d'autres méthodes, telles que GaN, BP, etc.
  • La vitesse de formation du film est rapide, généralement plusieurs microns par minute voire des centaines de microns par minute. Il est possible de déposer simultanément de grandes quantités de revêtements avec une composition uniforme, ce qui est incomparable aux autres méthodes de préparation de film, telles que l'épitaxie en phase liquide (LPE) et l'épitaxie par jet moléculaire (MBE).
  • Les conditions de travail sont réalisées dans des conditions de pression normale ou de vide faible, de sorte que le revêtement a une bonne diffraction et que les pièces aux formes complexes peuvent être uniformément revêtues, ce qui est bien supérieur au PVD.
  • En raison de la diffusion mutuelle du gaz de réaction, du produit de réaction et du substrat, un revêtement avec une bonne force d'adhérence peut être obtenu, ce qui est crucial pour la préparation de films renforcés en surface tels que des films résistants à l'usure et anti-corrosion.
  • Certains films se développent à une température bien inférieure au point de fusion du matériau du film. Dans des conditions de croissance à basse température, le gaz de réaction et la paroi du réacteur et les impuretés qu'ils contiennent ne réagissent presque pas, de sorte qu'un film de haute pureté et de bonne cristallinité peut être obtenu.
  • Le dépôt chimique en phase vapeur permet d'obtenir une surface de dépôt lisse. En effet, par rapport au LPE, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est effectué sous une saturation élevée, avec un taux de nucléation élevé, une densité de nucléation élevée et une distribution uniforme sur tout le plan, ce qui donne une surface lisse macroscopique. Dans le même temps, dans le dépôt chimique en phase vapeur, le libre parcours moyen des molécules (atomes) est beaucoup plus grand que le LPE, de sorte que la distribution spatiale des molécules est plus uniforme, ce qui favorise la formation d'une surface de dépôt lisse.
  • Faibles dommages causés par les radiations, condition nécessaire à la fabrication de semi-conducteurs à oxyde métallique (MOS) et d'autres dispositifs

Quels sont les avantages de Mpcvd ?

Le MPCVD présente plusieurs avantages par rapport aux autres méthodes de production de diamants, tels qu'une pureté plus élevée, une consommation d'énergie moindre et la capacité de produire des diamants plus gros.

Quel est le prix de la machine de culture CVD ?

Le prix d'une machine de culture CVD peut varier considérablement en fonction de la taille et de la complexité de l'unité. Les petits modèles de table conçus à des fins de recherche et de développement peuvent coûter environ 50 000 dollars, tandis que les machines à l'échelle industrielle capables de produire de grandes quantités de diamants de haute qualité peuvent coûter jusqu'à 200 000 dollars. Cependant, le prix des diamants CVD est généralement inférieur à celui des diamants extraits, ce qui en fait une option plus abordable pour les consommateurs.

Quels sont les différents types de méthode CVD ?

Les différents types de méthodes CVD comprennent le CVD à pression atmosphérique (APCVD), le CVD à basse pression (LPCVD), le CVD sous ultravide, le CVD supporté par des aérosols, le CVD à injection directe de liquide, le CVD à paroi chaude, le CVD à paroi froide, le CVD au plasma micro-ondes, le plasma- CVD amélioré (PECVD), CVD amélioré par plasma à distance, CVD amélioré par plasma à faible énergie, CVD à couche atomique, CVD par combustion et CVD à filament chaud. Ces méthodes diffèrent par le mécanisme par lequel les réactions chimiques sont déclenchées et les conditions opératoires.

Qu'est-ce que la technologie de dépôt en couche mince ?

La technologie de dépôt de couches minces est le processus d'application d'un film très mince de matériau, dont l'épaisseur varie de quelques nanomètres à 100 micromètres, sur une surface de substrat ou sur des revêtements préalablement déposés. Cette technologie est utilisée dans la production d'électronique moderne, y compris les semi-conducteurs, les dispositifs optiques, les panneaux solaires, les CD et les lecteurs de disque. Les deux grandes catégories de dépôt de couches minces sont le dépôt chimique, où un changement chimique produit un revêtement déposé chimiquement, et le dépôt physique en phase vapeur, où un matériau est libéré d'une source et déposé sur un substrat à l'aide de processus mécaniques, électromécaniques ou thermodynamiques.

Que signifie PECVD ?

Le PECVD est une technologie qui utilise le plasma pour activer le gaz de réaction, favoriser la réaction chimique à la surface du substrat ou près de l'espace de surface et générer un film solide. Le principe de base de la technologie de dépôt chimique en phase vapeur par plasma est que, sous l'action d'un champ électrique RF ou CC, le gaz source est ionisé pour former un plasma, le plasma à basse température est utilisé comme source d'énergie, une quantité appropriée de gaz de réaction est introduit, et la décharge de plasma est utilisée pour activer le gaz de réaction et réaliser le dépôt chimique en phase vapeur.

Selon la méthode de génération de plasma, il peut être divisé en plasma RF, plasma DC et plasma micro-ondes CVD, etc.

Les diamants CVD sont-ils vrais ou faux ?

Les diamants CVD sont de vrais diamants et non des faux. Ils sont cultivés en laboratoire par un procédé appelé dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Contrairement aux diamants naturels qui sont extraits sous la surface de la terre, les diamants CVD sont créés à l'aide d'une technologie de pointe dans des laboratoires. Ces diamants sont 100% carbone et sont la forme la plus pure de diamants connus sous le nom de diamants de type IIa. Ils ont les mêmes propriétés optiques, thermiques, physiques et chimiques que les diamants naturels. La seule différence est que les diamants CVD sont créés dans un laboratoire et non extraits de la terre.

Quelle est la différence entre CVD et PECVD ?

La différence entre la technologie PECVD et la technologie CVD traditionnelle est que le plasma contient un grand nombre d'électrons à haute énergie, qui peuvent fournir l'énergie d'activation requise dans le processus de dépôt chimique en phase vapeur, modifiant ainsi le mode d'alimentation en énergie du système de réaction. Étant donné que la température des électrons dans le plasma est aussi élevée que 10000K, la collision entre les électrons et les molécules de gaz peut favoriser la rupture de la liaison chimique et la recombinaison des molécules de gaz de réaction pour générer des groupes chimiques plus actifs, tandis que l'ensemble du système de réaction maintient une température plus basse.

Ainsi, par rapport au processus CVD, le PECVD peut effectuer le même processus de dépôt chimique en phase vapeur avec une température plus basse.

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4.9

out of

5

KINTEK's MPCVD machine is a game-changer! Its 1-10Kw adjustable output microwave power feature not only saves electricity but also ensures precise control over the diamond growth process.

Harshitha Gujjar

4.8

out of

5

As a lab manager, I appreciate the stability and reliability of the KINTEK MPCVD system. It has been running non-stop for over 40,000 hours, providing us with consistent, high-quality diamond growth.

Elvin Wang

4.7

out of

5

The rich experience and frontier diamond growing recipe support from KINTEK's research team have been invaluable. Their expertise has helped us optimize our MPCVD process and achieve exceptional results.

Sophia Mitchell

4.8

out of

5

KINTEK's exclusive technical support program for teams with zero diamond growing experience is a lifesaver. Their guidance and assistance have been instrumental in our successful adoption of the MPCVD system.

Mustafa Kamal

5.0

out of

5

The 3 inches substrate growing area and max. batch load of up to 45 pieces diamonds make the KINTEK MPCVD machine a highly efficient and productive choice for our lab. We can now produce more diamonds in less time.

Isabella Garcia

4.9

out of

5

The KINTEK MPCVD system is a technological marvel. Its advanced features and continuous upgrades have kept us at the forefront of diamond growth innovation.

Oliver Chen

4.7

out of

5

The competitive price of the KINTEK MPCVD equipment makes it an affordable and accessible solution for labs like ours. We're grateful for the opportunity to leverage its cutting-edge technology without breaking the bank.

Aisha Khan

5.0

out of

5

The KINTEK MPCVD machine has exceeded our expectations. Its user-friendly interface, stable performance, and exceptional diamond quality have made it an indispensable tool in our lab.

Elijah Harper

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Découvrez les performances imbattables des ébauches de dressage diamant CVD : conductivité thermique élevée, résistance à l'usure exceptionnelle et indépendance d'orientation.

Machine de découpe de fil diamanté de haute précision

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La machine de découpe à fil diamanté de haute précision est un outil de coupe polyvalent et précis conçu spécifiquement pour les chercheurs en matériaux. Il utilise un mécanisme de coupe continu à fil diamanté, permettant une coupe précise de matériaux fragiles tels que la céramique, les cristaux, le verre, les métaux, les roches et divers autres matériaux.

Machine à four tubulaire à dépôt chimique assisté par plasma rotatif incliné (PECVD)

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Présentation de notre four PECVD rotatif incliné pour un dépôt précis de couches minces. Profitez d'une source d'adaptation automatique, d'un contrôle de température programmable PID et d'un contrôle de débitmètre massique MFC de haute précision. Fonctions de sécurité intégrées pour une tranquillité d'esprit.

Four tubulaire à glissière PECVD avec gazéificateur de liquide Machine PECVD

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Système PECVD à glissière KT-PE12 : large plage de puissance, contrôle de la température programmable, chauffage/refroidissement rapide avec système coulissant, contrôle du débit massique MFC et pompe à vide.

Matrice d'étirage revêtement nano-diamant HFCVD Equipment

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Le moule d'étirage du revêtement composite nano-diamant utilise du carbure cémenté (WC-Co) comme substrat et utilise la méthode chimique en phase vapeur (méthode CVD en abrégé) pour revêtir le diamant conventionnel et le revêtement composite nano-diamant sur la surface de l'orifice intérieur du moule.

Four tubulaire CVD à chambre divisée avec machine CVD à station de vide

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Four CVD à chambre divisée efficace avec station de vide pour un contrôle intuitif des échantillons et un refroidissement rapide. Température maximale jusqu'à 1200℃ avec contrôle précis par débitmètre de masse MFC.

Machine de revêtement par évaporation améliorée par plasma PECVD

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Améliorez votre processus de revêtement avec l'équipement de revêtement PECVD. Idéal pour les LED, les semi-conducteurs de puissance, les MEMS, etc. Dépose des films solides de haute qualité à basse température.

Ébauches d'outils de coupe

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Outils de coupe diamantés CVD : résistance supérieure à l'usure, faible friction, conductivité thermique élevée pour l'usinage de matériaux non ferreux, de céramiques et de composites

Four de fusion d'arc de système de filature de fonte d'induction de vide

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Développez facilement des matériaux métastables à l'aide de notre système de filature sous vide. Idéal pour la recherche et les travaux expérimentaux avec des matériaux amorphes et microcristallins. Commandez maintenant pour des résultats efficaces.

Cible de pulvérisation de carbure de molybdène (Mo2C) / Poudre / Fil / Bloc / Granule

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Vous recherchez des matériaux en carbure de molybdène (Mo2C) de haute qualité pour votre laboratoire ? Cherchez pas plus loin! Nos matériaux fabriqués par des experts sont disponibles dans une gamme de puretés, de formes et de tailles pour répondre à vos besoins uniques. Achetez des cibles de pulvérisation, des revêtements, des poudres et plus encore aujourd'hui.

Four tubulaire CVD à zones de chauffage multiples Machine CVD

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KT-CTF14 Four CVD à zones de chauffage multiples - Contrôle précis de la température et du débit de gaz pour les applications avancées. Température maximale jusqu'à 1200℃, débitmètre massique MFC à 4 canaux, et contrôleur à écran tactile TFT 7".

Système RF PECVD Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma à radiofréquence

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RF-PECVD est un acronyme pour "Radio Frequency Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition". Ce procédé permet de déposer un film de carbone de type diamant (DLC) sur des substrats de germanium et de silicium. Il est utilisé dans la gamme de longueurs d'onde infrarouge 3-12um.

Four tubulaire CVD polyvalent fabriqué par le client

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Obtenez votre four CVD exclusif avec le four polyvalent fabriqué par le client KT-CTF16. Fonctions de glissement, de rotation et d'inclinaison personnalisables pour des réactions précises. Commandez maintenant!

Broyeur vibrant à disque / tasse

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Le broyeur à disques vibrants convient au broyage non destructif et au broyage fin d'échantillons avec de grandes tailles de particules, et peut préparer rapidement des échantillons avec une finesse et une pureté analytiques.

Ébauches de matrices de tréfilage diamant CVD

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Ébauches de matrices de tréfilage diamantées CVD : dureté supérieure, résistance à l'abrasion et applicabilité dans le tréfilage de divers matériaux. Idéal pour les applications d'usinage à usure abrasive comme le traitement du graphite.

Cible de pulvérisation de palladium (Pd) de haute pureté / poudre / fil / bloc / granule

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Vous recherchez des matériaux Palladium abordables pour votre laboratoire ? Nous proposons des solutions personnalisées avec différentes puretés, formes et tailles - des cibles de pulvérisation aux poudres nanométriques et aux poudres d'impression 3D. Parcourez notre gamme maintenant!

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