Produits Équipement thermique MPCVD Système de réacteur de machine MPCVD à résonateur cylindrique pour dépôt chimique en phase vapeur par plasma micro-ondes et croissance de diamants de laboratoire
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Système de réacteur de machine MPCVD à résonateur cylindrique pour dépôt chimique en phase vapeur par plasma micro-ondes et croissance de diamants de laboratoire

MPCVD

Système de réacteur de machine MPCVD à résonateur cylindrique pour dépôt chimique en phase vapeur par plasma micro-ondes et croissance de diamants de laboratoire

Numéro d'article : KTWB315

Le prix varie en fonction de Spécifications et personnalisations


Puissance micro-ondes
Fréquence micro-ondes 2450±15MHZ
Puissance de sortie
1~10 KW réglable en continu
Fuite micro-ondes
≤2MW/cm2
Interface guide d'ondes de sortie
WR340, 430 avec bride standard FD-340, 430
Support d'échantillon
Diamètre de la table d'échantillon≥72mm, zone d'utilisation effective≥66 mm
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MPCVD signifie dépôt chimique en phase vapeur par plasma micro-ondes. C'est une méthode de croissance de films de diamant de haute qualité en laboratoire en utilisant un gaz contenant du carbone et un plasma micro-ondes.

KinTek MPCVD

Système MPCVD

Le système MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) est un processus utilisé pour déposer des films minces sur la surface d'un substrat. Le système se compose d'une chambre à vide où se déroule le processus de dépôt, d'un générateur de micro-ondes et d'un système d'alimentation en gaz. Le générateur de micro-ondes est utilisé pour générer un plasma à l'intérieur de la chambre à vide, qui est utilisé pour décomposer et déposer les espèces gazeuses sur le substrat.

Le générateur de micro-ondes est généralement un magnétron ou un klystron, qui génère des micro-ondes dans la gamme de 2,45 GHz. Les micro-ondes sont couplées à la chambre à vide par une fenêtre en quartz.

Le système d'alimentation en gaz se compose de contrôleurs de débit massique (MFC) qui régulent le débit de gaz dans la chambre à vide. Les MFC sont calibrés en centimètres cubes standard par minute (sccm).

La température du substrat est contrôlée par la position du plasma et mesurée par un thermocouple. Le plasma est utilisé pour chauffer le substrat, et la température est surveillée par le thermocouple pour s'assurer que le substrat est à la température souhaitée pendant le processus de dépôt.

Applications

La MPCVD est une technologie prometteuse pour la production de diamants de grande taille, de haute qualité et à faible coût.

Les propriétés uniques du diamant, notamment sa dureté, sa rigidité, sa conductivité thermique élevée, sa faible dilatation thermique, sa résistance aux radiations et son inertie chimique, en font un matériau précieux.

Malgré son grand potentiel, le coût élevé, la taille limitée et la difficulté à contrôler les impuretés des diamants naturels et synthétiques haute pression, haute température ont limité leurs applications.

La MPCVD est l'équipement principal utilisé pour la croissance de pierres précieuses et de films de diamant.

La croissance de films de diamant peut être monocristalline ou polycristalline, et elle est largement utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs pour les substrats de diamant de grande taille ainsi que dans l'industrie des outils de coupe ou de perçage de diamant.

Comparée à la méthode HPHT pour les diamants cultivés en laboratoire, la méthode CVD micro-ondes est avantageuse pour la croissance de diamants de grande taille à moindre coût, ce qui en fait une solution idéale pour les applications de diamants semi-conducteurs, la croissance de diamants optiques et les besoins du marché de la bijouterie de diamants de grande taille.

Machines MPCVD KINTEK
Machines à diamants MPCVD KINTEK
Nouveau modèle de machine à diamants MPCVD KINTEK
Nouveau modèle de machine à diamants MPCVD KINTEK
Nouveau modèle de machine à diamants MPCVD KINTEK
Nouveau modèle de machine à diamants MPCVD KINTEK
Diamants bruts cultivés par MPCVD KINTEK
Diamants bruts cultivés par MPCVD KINTEK
Dans la machine MPCVD KinTek, des diamants sont en croissance
Dans la machine MPCVD KinTek, des diamants sont en croissance
Dans la machine MPCVD KinTek, des diamants sont en croissance
Dans la machine MPCVD KinTek, des diamants sont en croissance
Dans la machine MPCVD KinTek, des diamants sont en croissance
Dans la machine MPCVD KinTek, des diamants sont en croissance
Dans la machine MPCVD KinTek, des diamants sont en croissance
Dans la machine MPCVD KinTek, des diamants sont en croissance
Dans la machine MPCVD KinTek, des diamants sont en croissance
Dans la machine MPCVD KinTek, des diamants sont en croissance
Diamant brut cultivé par machine MPCVD KINTEK
Diamant brut cultivé par machine MPCVD KINTEK
Diamant brut cultivé par machine MPCVD KINTEK
Diamant brut cultivé par machine MPCVD KINTEK
Diamant brut cultivé par machine MPCVD KINTEK
Diamant brut cultivé par machine MPCVD KINTEK
Diamants cultivés par MPCVD après polissage
Diamants cultivés par MPCVD après polissage
Polycristallin par MPCVD KinTek
Polycristallin par MPCVD KinTek

Avantages de la MPCVD

La MPCVD est une méthode de synthèse de diamants qui présente plusieurs avantages par rapport à d'autres méthodes, telles que la HFCVD et la DC-PJ CVD. Elle évite la contamination du diamant par des fils chauds et permet l'utilisation de plusieurs gaz pour répondre à différents besoins industriels. Comparée à la DC-PJ CVD, elle permet un ajustement doux et continu de la puissance des micro-ondes et un contrôle stable de la température de réaction, ce qui évite la chute des germes cristallins du substrat due aux arcs et aux pannes de flamme. Avec une grande surface de plasma à décharge stable, la méthode MPCVD est considérée comme la méthode de synthèse de diamants la plus prometteuse pour les applications industrielles.

Les diamants produits par MPCVD sont de plus grande pureté par rapport à ceux produits par la méthode HPHT, et le processus de production consomme moins d'énergie. De plus, la méthode MPCVD facilite la production de diamants plus grands.

Avantages de notre système MPCVD

Nous sommes profondément impliqués dans l'industrie depuis de nombreuses années, et par conséquent, nous avons une vaste clientèle qui fait confiance à notre équipement et l'utilise. Notre équipement MPCVD fonctionne de manière stable depuis plus de 40 000 heures, démontrant une stabilité, une fiabilité, une répétabilité et une rentabilité exceptionnelles. Les avantages supplémentaires de notre système MPCVD comprennent :

  • Zone de croissance de substrat de 3 pouces, charge par lot max. jusqu'à 45 diamants
  • Puissance micro-ondes de sortie réglable de 1 à 10 kW pour une consommation d'électricité réduite
  • Équipe de recherche expérimentée avec support de recettes de croissance de diamants de pointe
  • Programme de support technique exclusif pour les équipes sans expérience de croissance de diamants

En tirant parti de notre technologie avancée accumulée, nous avons mis en œuvre plusieurs cycles de mises à niveau et d'améliorations de notre système MPCVD, ce qui a entraîné une efficacité considérablement améliorée et des coûts d'équipement réduits. Par conséquent, notre équipement MPCVD est à la pointe des avancées technologiques et proposé à un prix compétitif. Bienvenue à nous consulter.

Simulation MPCVD KinTek
Simulation MPCVD KinTek

Processus de travail

La machine MPCVD contrôle le flux de chaque trajet de gaz et la pression de la cavité tout en introduisant les gaz réactifs (tels que CH4, H2, Ar, O2, N2, etc.) dans la cavité sous une pression spécifique. Après stabilisation du flux d'air, le générateur de micro-ondes à état solide de 6 kW génère des micro-ondes qui sont ensuite introduites dans la cavité par le guide d'ondes.

Le gaz de réaction se transforme en état de plasma sous le champ micro-ondes, formant une boule de plasma qui flotte au-dessus du substrat de diamant. La température élevée du plasma chauffe le substrat à une température spécifique. L'excès de chaleur produit dans la cavité est dissipé par l'unité de refroidissement par eau.

Pour assurer des conditions de croissance optimales pendant le processus de croissance de diamants monocristallins par MPCVD, nous ajustons des facteurs tels que la puissance, la composition de la source de gaz et la pression de la cavité. De plus, comme la boule de plasma n'entre pas en contact avec la paroi de la cavité, le processus de croissance du diamant est exempt d'impuretés, améliorant ainsi la qualité du diamant.

Détails et pièces

Système micro-ondes

Système micro-ondes

Chambre de réaction

Chambre de réaction

Système de débit de gaz

Système de débit de gaz

Système de vide et de capteurs

Système de vide et de capteurs

Spécifications techniques

Système micro-ondes
  • Fréquence micro-ondes 2450±15MHZ,
  • Puissance de sortie 1~10 KW réglable en continu
  • Stabilité de la puissance de sortie micro-ondes : <±1%
  • Fuite micro-ondes ≤2MW/cm2
  • Interface du guide d'ondes de sortie : WR340, 430 avec bride standard FD-340, 430
  • Débit d'eau de refroidissement : 6-12 L/min
  • Coefficient d'onde stationnaire du système : VSWR ≤ 1,5
  • Régleur manuel à 3 broches pour micro-ondes, cavité d'excitation, charge haute puissance
  • Alimentation d'entrée : 380VAC/50Hz ± 10%, triphasé
Chambre de réaction
  • Taux de fuite sous vide < 5 × 10-9 Pa .m3/s
  • La pression limite est inférieure à 0,7 Pa (configuration standard avec manomètre Pirani)
  • L'augmentation de pression de la chambre ne doit pas dépasser 50 Pa après 12 heures de maintien de la pression
  • Mode de fonctionnement de la chambre de réaction : mode TM021 ou TM023
  • Type de cavité : cavité résonante cylindrique, avec une puissance de charge maximale de 10 KW, en acier inoxydable 304, avec une double paroi refroidie par eau, et une méthode d'étanchéité par plaque de quartz de haute pureté.
  • Mode d'admission d'air : admission d'air uniforme annulaire par le haut
  • Étanchéité sous vide : la connexion inférieure de la chambre principale et la porte d'injection sont scellées avec des joints en caoutchouc, la pompe à vide et le soufflet sont scellés avec KF, la plaque de quartz est scellée avec un joint torique métallique C, et le reste est scellé avec CF
  • Fenêtre d'observation et de mesure de température : 8 ports d'observation
  • Porte de chargement d'échantillons à l'avant de la chambre
  • Décharge stable dans la plage de pression de 0,7 KPa ~ 30 KPa (la puissance et la pression doivent être adaptées)
Support d'échantillon
  • Diamètre de la table d'échantillon ≥ 72 mm, surface utile ≥ 66 mm
  • Structure sandwich refroidie par eau de la plate-forme de la plaque de base
  • Le support d'échantillon peut être levé et abaissé uniformément électriquement dans la cavité
Système de débit de gaz
  • Disque d'air soudé entièrement métallique
  • Des joints soudés ou VCR doivent être utilisés pour tous les circuits de gaz internes de l'équipement.
  • Débitmètre MFC à 5 canaux, H2/CH4/O2/N/Ar. H2 : 1000 sccm ; CH4 : 100 sccm ; O2 : 2 sccm ; N2 : 2 sccm ; Ar : 10 sccm
  • Pression de travail 0,05-0,3 MPa, précision ±2%
  • Vanne pneumatique indépendante pour le contrôle du débitmètre de chaque canal
Système de refroidissement
  • Refroidissement par eau à 3 lignes, surveillance en temps réel de la température et du débit.
  • Le débit d'eau de refroidissement du système est ≤ 50 L/min
  • La pression de l'eau de refroidissement est < 4 KG, et la température de l'eau d'entrée est de 20-25 ℃.
Capteur de température
  • Le thermomètre infrarouge externe a une plage de température de 300-1400 ℃
  • Précision du contrôle de température < 2 ℃ ou 2%
Système de contrôle
  • PLC Siemens Smart 200 et contrôle par écran tactile sont adoptés.
  • Le système dispose de divers programmes, qui peuvent réaliser l'équilibrage automatique de la température de croissance, le contrôle précis de la pression d'air de croissance, la montée en température automatique, la baisse de température automatique et d'autres fonctions.
  • Le fonctionnement stable de l'équipement et la protection complète de l'équipement peuvent être réalisés grâce à la surveillance du débit d'eau, de la température, de la pression et d'autres paramètres, et la fiabilité et la sécurité de l'opération peuvent être garanties grâce à un interverrouillage fonctionnel.
Fonction optionnelle
  • Système de surveillance centralisée
  • Puissance de base du substrat

Avertissements

La sécurité des opérateurs est la question la plus importante ! Veuillez faire fonctionner l'équipement avec des précautions. Travailler avec des gaz inflammables, explosifs ou toxiques est très dangereux, les opérateurs doivent prendre toutes les précautions nécessaires avant de démarrer le équipement. Travailler en pression positive à l’intérieur des réacteurs ou des chambres est dangereux, l'opérateur doit suivre strictement les procédures de sécurité. Supplémentaire des précautions doivent également être prises lors de l'utilisation de matériaux réactifs à l'air, surtout sous vide. Une fuite peut aspirer de l'air dans l'appareil et provoquer un une réaction violente se produit.

Conçu pour vous

KinTek fournit un service et des équipements sur mesure aux clients du monde entier, notre travail d'équipe spécialisé et nos riches ingénieurs expérimentés sont capables de entreprendre les exigences en matière d'équipement matériel et logiciel sur mesure, et aider notre client à constituer l'équipement exclusif et personnalisé et solution!

Pourriez-vous s'il vous plaît nous faire part de vos idées, nos ingénieurs sont prêts à vous accueillir maintenant !

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FAQ

Qu'est-ce Que Mpcvd ?

MPCVD signifie Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition et c'est un processus de dépôt de couches minces sur une surface. Il utilise une chambre à vide, un générateur de micro-ondes et un système de distribution de gaz pour créer un plasma composé de produits chimiques réactifs et des catalyseurs nécessaires. Le MPCVD est largement utilisé dans le réseau ANFF pour déposer des couches de diamant en utilisant du méthane et de l'hydrogène pour faire pousser de nouveaux diamants sur un substrat ensemencé de diamant. Il s'agit d'une technologie prometteuse pour produire de gros diamants de haute qualité à faible coût et elle est largement utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs et de la taille des diamants.

Qu'est-ce Qu'une Machine Mpcvd ?

La machine MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) est un équipement de laboratoire utilisé pour développer des films de diamant de haute qualité. Il utilise un gaz contenant du carbone et un plasma micro-ondes pour créer une boule de plasma au-dessus du substrat de diamant, qui le chauffe à une température spécifique. La boule de plasma n'entre pas en contact avec la paroi de la cavité, ce qui rend le processus de croissance du diamant exempt d'impuretés et améliore la qualité du diamant. Le système MPCVD se compose d'une chambre à vide, d'un générateur de micro-ondes et d'un système de distribution de gaz qui contrôle le flux de gaz dans la chambre.

Quels Sont Les Avantages De Mpcvd ?

Le MPCVD présente plusieurs avantages par rapport aux autres méthodes de production de diamants, tels qu'une pureté plus élevée, une consommation d'énergie moindre et la capacité de produire des diamants plus gros.

Les Diamants CVD Sont-ils Vrais Ou Faux ?

Les diamants CVD sont de vrais diamants et non des faux. Ils sont cultivés en laboratoire par un procédé appelé dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Contrairement aux diamants naturels qui sont extraits sous la surface de la terre, les diamants CVD sont créés à l'aide d'une technologie de pointe dans des laboratoires. Ces diamants sont 100% carbone et sont la forme la plus pure de diamants connus sous le nom de diamants de type IIa. Ils ont les mêmes propriétés optiques, thermiques, physiques et chimiques que les diamants naturels. La seule différence est que les diamants CVD sont créés dans un laboratoire et non extraits de la terre.
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Fiche Technique du Produit

Système de réacteur de machine MPCVD à résonateur cylindrique pour dépôt chimique en phase vapeur par plasma micro-ondes et croissance de diamants de laboratoire

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Mpcvd


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