Four CVD & PECVD
Four tubulaire à glissière PECVD avec gazéificateur de liquide Machine PECVD
Numéro d'article : KT-PE12
Le prix varie en fonction de Spécifications et personnalisations
- Max. température
- 1200 ℃
- Température de travail constante
- 1100 ℃
- Diamètre du tube du four
- 60 millimètres
- Longueur de la zone de chauffage
- 1x450mm
- Taux de chauffage
- 0-20 ℃/min
- Distance de glissement
- 600mm
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Le système KT-PE12 Slide PECVD avec gazéificateur de liquide se compose d'une source de plasma RF de 500 W, d'un four coulissant TF-1200, d'une unité de contrôle précise de 4 gaz MFC et d'une station de vide standard. Système coulissant de rail de chambre de four, qui peut réaliser le chauffage rapide et le refroidissement rapide, un ventilateur de circulation d'air forcé auxiliaire en option peut être installé pour accélérer la vitesse de refroidissement ; mouvement coulissant en option fonctionnant automatiquement ; max. La température de fonctionnement est jusqu'à 1200 ℃, le tube de four est un tube de quartz de 60 mm de diamètre; Débitmètre massique MFC à 4 canaux avec sources de gaz CH4, H2, O2 et N2 ; La station de vide est une pompe à vide à palettes rotatives 4L/S, max. La pression du vide est jusqu'à 10 Pa.
Avantages
- Source d'adaptation automatique au plasma RF, large plage de puissance de sortie de 5 à 500 W, sortie stable
- Un système de coulissement de la chambre du four pour un chauffage à grande vitesse et un refroidissement de courte durée, un refroidissement rapide auxiliaire et un mouvement de coulissement automatique sont disponibles
- Contrôle de température programmable PID, excellente précision de contrôle et prise en charge de la télécommande et du contrôle centralisé
- Contrôle du débitmètre massique MFC de haute précision, prémélange des gaz sources et vitesse d'alimentation en gaz stable
- Bride à vide en acier inoxydable avec divers orifices d'adaptation pour répondre aux différentes configurations de station de pompe à vide, bonne étanchéité et degré de vide élevé
- CTF Pro applique un contrôleur d'écran tactile TFT de 7 pouces, un réglage de programme plus convivial et une analyse des données d'historique
Différents systèmes CVD de température et de configuration disponibles
Avantage de sécurité
- Le four à tube Kindle Tech possède une protection contre les surintensités et une fonction d'alarme de surchauffe, le four s'éteindra automatiquement
- Four construit dans la fonction de détection de couple thermique, le four arrête de chauffer et l'alarme s'allume une fois cassé ou une panne détectée
- PE Pro prend en charge la fonction de redémarrage en cas de panne de courant, le four reprendra le programme de chauffage du four lorsque le courant arrive après une panne
Spécifications techniques
| Modèle de four | KT-PE12-60 |
| Max. température | 1200℃ |
| Température de travail constante | 1100℃ |
| Matériau du tube du four | Quartz de haute pureté |
| Diamètre du tube du four | 60mm |
| Longueur de la zone de chauffage | 1x450mm |
| Matériau de la chambre | Fibre d'alumine du Japon |
| Élément chauffant | Bobine de fil Cr2Al2Mo2 |
| Taux de chauffage | 0-20℃/min |
| Couple thermique | Construit en type K |
| Contrôleur de température | Contrôleur PID numérique/contrôleur PID à écran tactile |
| Précision du contrôle de la température | ±1℃ |
| Distance de glissement | 600mm |
| Unité Plasma RF | |
| Puissance de sortie | 5 -500W réglable avec ± 1% de stabilité |
| Fréquence RF | 13,56 MHz ± 0,005 % de stabilité |
| Puissance de réflexion | 350W max. |
| Correspondant à | Automatique |
| Bruit | <50 dB |
| Refroidissement | Refroidissement par air. |
| Unité de contrôle précise du gaz | |
| Débitmètre | Débitmètre massique MFC |
| Canaux de gaz | 4 canaux |
| Débit | MFC1 : 0-5SCCM O2 MFC2 : 0-20SCMCH4 MFC3 : 0-100 SCCM H2 MFC4 : 0-500 SCCM N2 |
| Linéarité | ±0,5 % PE |
| Répétabilité | ±0,2 % PE |
| Conduite et vanne | Acier inoxydable |
| Pression de fonctionnement maximale | 0.45MPa |
| Contrôleur de débitmètre | Contrôleur de bouton numérique/contrôleur d'écran tactile |
| Unité de vide standard (facultatif) | |
| Pompe à vide | Pompe à vide à palettes |
| Débit de la pompe | 4L/S |
| Orifice d'aspiration sous vide | KF25 |
| Jauge à vide | Vacuomètre silicone Pirani/Resistance |
| Pression de vide nominale | 10 Pa |
| Unité de vide poussé (facultatif) | |
| Pompe à vide | Pompe à palettes rotatives + pompe moléculaire |
| Débit de la pompe | 4L/S+110L/S |
| Orifice d'aspiration sous vide | KF25 |
| Jauge à vide | Jauge à vide composée |
| Pression de vide nominale | 6x10-5Pa |
| Les spécifications et configurations ci-dessus peuvent être personnalisées | |
Forfait Standard
| Non. | Description | Quantité |
| 1 | fourneau | 1 |
| 2 | Tube de quartz | 1 |
| 3 | Bride de vide | 2 |
| 4 | Bloc thermique du tube | 2 |
| 5 | Crochet de bloc thermique de tube | 1 |
| 6 | Gant résistant à la chaleur | 1 |
| 7 | Source de plasma RF | 1 |
| 8 | Contrôle précis du gaz | 1 |
| 9 | Unité de vide | 1 |
| dix | Mode d'emploi | 1 |
Configuration facultative
- Dans la détection et la surveillance des gaz à tube, comme H2, O2, etc.
- Surveillance et enregistrement indépendants de la température du four
- Port de communication RS 485 pour télécommande PC et exportation de données
- Insérez le contrôle du débit d'alimentation en gaz, comme le débitmètre massique et le débitmètre à flotteur
- Régulateur de température à écran tactile avec fonctions polyvalentes conviviales pour l'opérateur
- Configurations de stations de pompage à vide élevé, comme la pompe à vide à palettes, la pompe moléculaire, la pompe à diffusion
Avertissements
La sécurité des opérateurs est la question la plus importante ! Veuillez faire fonctionner l'équipement avec des précautions. Travailler avec des gaz inflammables, explosifs ou toxiques est très dangereux, les opérateurs doivent prendre toutes les précautions nécessaires avant de démarrer le équipement. Travailler en pression positive à l’intérieur des réacteurs ou des chambres est dangereux, l'opérateur doit suivre strictement les procédures de sécurité. Supplémentaire des précautions doivent également être prises lors de l'utilisation de matériaux réactifs à l'air, surtout sous vide. Une fuite peut aspirer de l'air dans l'appareil et provoquer un une réaction violente se produit.
Conçu pour vous
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FAQ
Qu'est-ce qu'un four CVD ?
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une technologie qui utilise diverses sources d'énergie telles que le chauffage, l'excitation du plasma ou le rayonnement lumineux pour faire réagir chimiquement des substances chimiques gazeuses ou en phase vapeur sur la phase gazeuse ou l'interface gaz-solide pour former des dépôts solides dans le réacteur au moyen de réaction chimique. Pour le dire simplement, deux ou plusieurs matières premières gazeuses sont introduites dans une chambre de réaction, puis elles réagissent l'une avec l'autre pour former un nouveau matériau et le déposer sur la surface du substrat.
Le four CVD est un système de four combiné avec une unité de four tubulaire à haute température, une unité de contrôle des gaz et une unité de vide, il est largement utilisé pour l'expérimentation et la production de préparation de matériaux composites, de processus microélectronique, d'optoélectronique semi-conducteur, d'utilisation de l'énergie solaire, de communication par fibre optique, supraconducteur technologie, domaine des revêtements de protection.
Qu'est-ce que le dépôt physique en phase vapeur (PVD) ?
Qu'est-ce que la méthode PECVD ?
Comment fonctionne le four CVD ?
Le système de four CVD se compose d'une unité de four tubulaire à haute température, d'une unité de contrôle précise de la source de gaz réactif, d'une station de pompe à vide et des pièces d'assemblage correspondantes.
La pompe à vide consiste à éliminer l'air du tube de réaction et à s'assurer qu'il n'y a pas de gaz indésirables à l'intérieur du tube de réaction, après quoi le four tubulaire chauffera le tube de réaction à une température cible, puis l'unité de contrôle précise de la source de gaz de réaction peut introduire différents gaz avec un rapport défini dans le tube du four pour la réaction chimique, le dépôt chimique en phase vapeur sera formé dans le four CVD.
Qu'est-ce que le PECVD RF ?
Quelles sont les méthodes utilisées pour déposer des couches minces ?
Qu'est-ce que la pulvérisation magnétron ?
Qu'est-ce que Mpcvd ?
A quoi sert le PECVD ?
Quel gaz est utilisé dans le procédé CVD ?
Il existe d'énormes sources de gaz pouvant être utilisées dans le processus CVD, les réactions chimiques courantes de CVD comprennent la pyrolyse, la photolyse, la réduction, l'oxydation, le redox, de sorte que les gaz impliqués dans ces réactions chimiques peuvent être utilisés dans le processus CVD.
Nous prenons la croissance du graphène CVD par exemple, les gaz utilisés dans le processus CVD seront CH4, H2, O2 et N2.
Qu'est-ce qu'un équipement de dépôt de couches minces ?
Le PACVD est-il le PECVD ?
Pourquoi la pulvérisation magnétron ?
Qu'est-ce qu'une machine Mpcvd ?
Quels sont les avantages du PECVD ?
Quel est l'avantage du système CVD ?
- Une large gamme de films peut être produite, film métallique, film non métallique et film d'alliage multi-composants selon les besoins. En même temps, il peut préparer des cristaux de haute qualité difficiles à obtenir par d'autres méthodes, telles que GaN, BP, etc.
- La vitesse de formation du film est rapide, généralement plusieurs microns par minute voire des centaines de microns par minute. Il est possible de déposer simultanément de grandes quantités de revêtements avec une composition uniforme, ce qui est incomparable aux autres méthodes de préparation de film, telles que l'épitaxie en phase liquide (LPE) et l'épitaxie par jet moléculaire (MBE).
- Les conditions de travail sont réalisées dans des conditions de pression normale ou de vide faible, de sorte que le revêtement a une bonne diffraction et que les pièces aux formes complexes peuvent être uniformément revêtues, ce qui est bien supérieur au PVD.
- En raison de la diffusion mutuelle du gaz de réaction, du produit de réaction et du substrat, un revêtement avec une bonne force d'adhérence peut être obtenu, ce qui est crucial pour la préparation de films renforcés en surface tels que des films résistants à l'usure et anti-corrosion.
- Certains films se développent à une température bien inférieure au point de fusion du matériau du film. Dans des conditions de croissance à basse température, le gaz de réaction et la paroi du réacteur et les impuretés qu'ils contiennent ne réagissent presque pas, de sorte qu'un film de haute pureté et de bonne cristallinité peut être obtenu.
- Le dépôt chimique en phase vapeur permet d'obtenir une surface de dépôt lisse. En effet, par rapport au LPE, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est effectué sous une saturation élevée, avec un taux de nucléation élevé, une densité de nucléation élevée et une distribution uniforme sur tout le plan, ce qui donne une surface lisse macroscopique. Dans le même temps, dans le dépôt chimique en phase vapeur, le libre parcours moyen des molécules (atomes) est beaucoup plus grand que le LPE, de sorte que la distribution spatiale des molécules est plus uniforme, ce qui favorise la formation d'une surface de dépôt lisse.
- Faibles dommages causés par les radiations, condition nécessaire à la fabrication de semi-conducteurs à oxyde métallique (MOS) et d'autres dispositifs
Qu'est-ce que la technologie de dépôt en couche mince ?
Quels sont les matériaux utilisés dans le dépôt de couches minces ?
Le dépôt de couches minces utilise couramment des métaux, des oxydes et des composés comme matériaux, chacun avec ses avantages et ses inconvénients uniques. Les métaux sont préférés pour leur durabilité et leur facilité de dépôt mais sont relativement coûteux. Les oxydes sont très durables, peuvent résister à des températures élevées et peuvent se déposer à basse température, mais peuvent être cassants et difficiles à travailler. Les composés offrent résistance et durabilité, peuvent être déposés à basse température et adaptés pour présenter des propriétés spécifiques.
Le choix du matériau pour un revêtement en couche mince dépend des exigences de l'application. Les métaux sont idéaux pour la conduction thermique et électrique, tandis que les oxydes sont efficaces pour offrir une protection. Les composés peuvent être adaptés pour répondre à des besoins spécifiques. En fin de compte, le meilleur matériau pour un projet particulier dépendra des besoins spécifiques de l'application.
Quels sont les avantages de Mpcvd ?
Quelle est la différence entre ALD et PECVD ?
Que signifie PECVD ?
Le PECVD est une technologie qui utilise le plasma pour activer le gaz de réaction, favoriser la réaction chimique à la surface du substrat ou près de l'espace de surface et générer un film solide. Le principe de base de la technologie de dépôt chimique en phase vapeur par plasma est que, sous l'action d'un champ électrique RF ou CC, le gaz source est ionisé pour former un plasma, le plasma à basse température est utilisé comme source d'énergie, une quantité appropriée de gaz de réaction est introduit, et la décharge de plasma est utilisée pour activer le gaz de réaction et réaliser le dépôt chimique en phase vapeur.
Selon la méthode de génération de plasma, il peut être divisé en plasma RF, plasma DC et plasma micro-ondes CVD, etc.
Quelles sont les méthodes pour obtenir un dépôt optimal de couches minces ?
Pour obtenir des films minces aux propriétés souhaitables, des cibles de pulvérisation et des matériaux d'évaporation de haute qualité sont essentiels. La qualité de ces matériaux peut être influencée par divers facteurs, tels que la pureté, la granulométrie et l'état de surface.
La pureté des cibles de pulvérisation ou des matériaux d'évaporation joue un rôle crucial, car les impuretés peuvent provoquer des défauts dans le film mince résultant. La taille des grains affecte également la qualité du film mince, des grains plus gros entraînant de mauvaises propriétés du film. De plus, l'état de surface est crucial, car les surfaces rugueuses peuvent entraîner des défauts dans le film.
Pour atteindre des cibles de pulvérisation et des matériaux d'évaporation de la plus haute qualité, il est crucial de sélectionner des matériaux qui possèdent une grande pureté, une petite taille de grain et des surfaces lisses.
Utilisations du dépôt de couches minces
Films minces à base d'oxyde de zinc
Les couches minces de ZnO trouvent des applications dans plusieurs industries telles que la thermique, l'optique, le magnétique et l'électricité, mais leur utilisation principale est dans les revêtements et les dispositifs à semi-conducteurs.
Résistances à couches minces
Les résistances à couches minces sont cruciales pour la technologie moderne et sont utilisées dans les récepteurs radio, les circuits imprimés, les ordinateurs, les appareils à radiofréquence, les moniteurs, les routeurs sans fil, les modules Bluetooth et les récepteurs de téléphones portables.
Couches Minces Magnétiques
Les couches minces magnétiques sont utilisées dans l'électronique, le stockage de données, l'identification par radiofréquence, les dispositifs à micro-ondes, les écrans, les cartes de circuits imprimés et l'optoélectronique en tant que composants clés.
Couches minces optiques
Les revêtements optiques et l'optoélectronique sont des applications standard des couches minces optiques. L'épitaxie par faisceau moléculaire peut produire des dispositifs optoélectroniques à couches minces (semi-conducteurs), où les films épitaxiaux sont déposés un atome à la fois sur le substrat.
Films minces polymères
Les couches minces de polymère sont utilisées dans les puces de mémoire, les cellules solaires et les appareils électroniques. Les techniques de dépôt chimique (CVD) offrent un contrôle précis des revêtements de film polymère, y compris la conformité et l'épaisseur du revêtement.
Batteries à couches minces
Les batteries à couches minces alimentent les appareils électroniques tels que les dispositifs médicaux implantables, et la batterie lithium-ion a considérablement progressé grâce à l'utilisation de couches minces.
Revêtements à couche mince
Les revêtements en couches minces améliorent les caractéristiques chimiques et mécaniques des matériaux cibles dans diverses industries et domaines technologiques. Les revêtements antireflets, les revêtements anti-ultraviolets ou anti-infrarouges, les revêtements anti-rayures et la polarisation des lentilles en sont des exemples courants.
Cellules solaires à couche mince
Les cellules solaires à couches minces sont essentielles à l'industrie de l'énergie solaire, permettant la production d'électricité relativement bon marché et propre. Les systèmes photovoltaïques et l'énergie thermique sont les deux principales technologies applicables.
Les diamants CVD sont-ils vrais ou faux ?
Quelle est la différence entre le PECVD et la pulvérisation ?
Quelle est la différence entre CVD et PECVD ?
La différence entre la technologie PECVD et la technologie CVD traditionnelle est que le plasma contient un grand nombre d'électrons à haute énergie, qui peuvent fournir l'énergie d'activation requise dans le processus de dépôt chimique en phase vapeur, modifiant ainsi le mode d'alimentation en énergie du système de réaction. Étant donné que la température des électrons dans le plasma est aussi élevée que 10000K, la collision entre les électrons et les molécules de gaz peut favoriser la rupture de la liaison chimique et la recombinaison des molécules de gaz de réaction pour générer des groupes chimiques plus actifs, tandis que l'ensemble du système de réaction maintient une température plus basse.
Ainsi, par rapport au processus CVD, le PECVD peut effectuer le même processus de dépôt chimique en phase vapeur avec une température plus basse.
Facteurs et paramètres qui influencent le dépôt de couches minces
Taux de dépôt :
La vitesse à laquelle le film est produit, généralement mesurée en épaisseur divisée par le temps, est cruciale pour sélectionner une technologie adaptée à l'application. Des taux de dépôt modérés sont suffisants pour les films minces, tandis que des taux de dépôt rapides sont nécessaires pour les films épais. Il est important de trouver un équilibre entre la vitesse et le contrôle précis de l'épaisseur du film.
Uniformité:
La consistance du film à travers le substrat est connue sous le nom d'uniformité, qui fait généralement référence à l'épaisseur du film, mais peut également être liée à d'autres propriétés telles que l'indice de réfraction. Il est important d'avoir une bonne compréhension de l'application pour éviter de sous-spécifier ou de sur-spécifier l'uniformité.
Capacité de remplissage :
La capacité de remplissage ou la couverture des étapes fait référence à la façon dont le processus de dépôt couvre la topographie du substrat. La méthode de dépôt utilisée (par exemple, CVD, PVD, IBD ou ALD) a un impact significatif sur la couverture et le remplissage des étapes.
Caractéristiques du film :
Les caractéristiques du film dépendent des exigences de l'application, qui peuvent être classées comme photoniques, optiques, électroniques, mécaniques ou chimiques. La plupart des films doivent satisfaire aux exigences dans plus d'une catégorie.
Température de processus :
Les caractéristiques du film sont considérablement affectées par la température du procédé, qui peut être limitée par l'application.
Dommage:
Chaque technologie de dépôt a le potentiel d'endommager le matériau sur lequel elle est déposée, les éléments plus petits étant plus susceptibles d'être endommagés par le processus. La pollution, le rayonnement UV et le bombardement ionique font partie des sources potentielles de dommages. Il est crucial de comprendre les limites des matériaux et des outils.
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Le PECVD est un procédé de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma qui est largement utilisé dans la production de couches minces pour diverses applications.
Un guide complet des fours tubulaires divisés : applications, caractéristiques
Il est exact qu'un four tubulaire divisé est un type d'équipement de laboratoire qui se compose d'un tube ou d'une chambre creux qui peut être ouvert pour permettre l'insertion et le retrait d'échantillons ou de matériaux chauffés.
Pourquoi le PECVD est essentiel pour la fabrication de dispositifs microélectroniques
PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) est une technique de dépôt de couches minces populaire utilisée dans la fabrication de dispositifs microélectroniques.
Un guide du débutant sur les machines MPCVD
Le MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) est un procédé utilisé pour déposer des couches minces de matériau sur un substrat à l'aide d'un plasma généré par des micro-ondes.