Four CVD & PECVD
Four tubulaire CVD à zones de chauffage multiples Machine CVD
Numéro d'article : KT-CTF14
Le prix varie en fonction de Spécifications et personnalisations
- Température maximale
- 1400 ℃
- Température de travail constante
- 1300 ℃
- Diamètre du tube du four
- 60 mm
- Zone de chauffage
- 2x450 mm
- Vitesse de chauffe
- 0-10 ℃/min
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Un four tubulaire multizone CVD est un type d'équipement de laboratoire utilisé pour le dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Le dépôt en phase vapeur est un processus dans lequel un film mince est déposé sur un substrat par la réaction chimique d'un gaz ou d'une vapeur. Les fours tubulaires multizones pour dépôt en phase vapeur sont dotés de plusieurs zones de chauffage, ce qui permet un contrôle précis du profil de température à l'intérieur du four. Ceci est important pour de nombreux procédés CVD, car la température peut affecter les propriétés du film déposé.
Les fours tubulaires CVD multizones sont généralement utilisés à des fins de recherche et de développement, mais ils peuvent également être utilisés dans des applications de production. Ils sont disponibles dans une variété de tailles et de configurations, et peuvent être personnalisés pour répondre aux exigences spécifiques d'une application particulière.
Applications
Le four tubulaire CVD à zones de chauffage multiples est largement utilisé dans divers domaines, notamment :
- Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) : Croissance de couches minces pour les appareils électroniques, les semi-conducteurs et les cellules solaires.
- Diffusion : Dopage des semi-conducteurs et des métaux
- le recuit : Traitement thermique des matériaux pour améliorer leurs propriétés
- Frittage : Liaison de matériaux par la chaleur et la pression
- les thermotraitements : Chauffage et refroidissement contrôlés des matériaux à des fins diverses.
Détail et pièces
Principe
Le four tubulaire CVD à zones de chauffage multiples utilise le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour déposer des couches minces sur des substrats. Le dépôt en phase vapeur est un processus qui implique la réaction de précurseurs gazeux pour former un matériau solide. Dans le cas de ce four, les précurseurs gazeux sont généralement des composés métallo-organiques et/ou des hydrures, qui sont introduits dans la chambre du four et réagissent les uns avec les autres pour former le matériau de film souhaité. Le four est équipé de plusieurs zones de chauffage qui permettent un contrôle précis de la température de dépôt et du gradient de température. Cela permet de déposer des films de haute qualité avec des propriétés adaptées, telles que l'épaisseur, la composition et la cristallinité. Le four est également équipé d'un système de vide qui permet d'éliminer les impuretés et de contrôler la pression de dépôt.
Caractéristiques
Les fours tubulaires CVD multizones offrent un large éventail d'avantages aux utilisateurs, notamment
- Zones de chauffage indépendantes : Cela permet de créer des champs de température constante plus longs, ainsi que des gradients de température contrôlés. C'est l'idéal pour les applications où un contrôle précis de la température est essentiel.
- Contrôle de température programmable PID : Elle offre une excellente précision de contrôle et prend en charge le contrôle à distance et le contrôle centralisé. Il est ainsi facile de surveiller et d'ajuster la température du four depuis n'importe quel endroit.
- Contrôle du débitmètre massique MFC de haute précision : Elle garantit une vitesse d'alimentation en gaz stable. Ceci est important pour les applications où le contrôle précis du débit de gaz est critique.
- Bride à vide en acier inoxydable avec différents ports d'adaptation : Elle assure une bonne étanchéité et un degré de vide élevé. Elle est idéale pour les applications nécessitant un vide élevé.
- Le KT-CTF14 Pro est équipé d'un contrôleur à écran tactile TFT de 7 pouces : Il facilite la définition des programmes et l'analyse des données historiques. Il est idéal pour les applications où la convivialité est importante.
Avantages
- Zones de chauffage indépendantes : Crée un champ de température constant plus long et un gradient de température contrôlé.
- Régulation de température programmable PID : Excellente précision de contrôle, prise en charge du contrôle à distance et centralisé.
- Contrôle par débitmètre massique MFC de haute précision : prémélange des gaz à la source et vitesse d'alimentation en gaz stable.
- Bride de vide en acier inoxydable : Différents ports d'adaptation pour différentes configurations de stations de pompage à vide, bonne étanchéité et degré de vide élevé.
- Contrôleur KT-CTF14 Pro : écran tactile TFT de 7 pouces, réglage convivial des programmes et analyse des données historiques.
- Polyvalence : CVD, diffusion et autres traitements thermiques sous vide et protection de l'atmosphère.
- Économie d'énergie : Le matériau en fibre céramique et la structure à double couche réduisent la température externe.
- Longue zone de température : Facile à utiliser.
- Scellage fiable : Indice de performance global élevé.
- Options de matériaux : Le tube du four est disponible en acier résistant à la chaleur, en verre de quartz et en céramique.
- Nombreuses applications : Analyse et détermination des éléments, trempe de petites pièces d'acier, recuit, revenu, céramiques électroniques et autres nouveaux matériaux.
Caractéristiques techniques
| Modèle de four | KT-CTF14-60 |
| Température maximale | 1400℃ |
| Température de travail constante | 1300℃ |
| Matériau du tube du four | Tube en Al2O3 de haute pureté |
| Diamètre du tube du four | 60 mm |
| Zone de chauffage | 2 x 450 mm |
| Matériau de la chambre | Fibre polycristalline d'alumine |
| Élément chauffant | Carbure de silicium |
| Vitesse de chauffe | 0-10℃/min |
| Couple thermique | Type S |
| Régulateur de température | Régulateur PID numérique/écran tactile |
| Précision du contrôle de la température | ±1℃ |
| Unité de contrôle précis des gaz | |
| Débitmètre | Débitmètre massique MFC |
| Canaux de gaz | 4 canaux |
| Débit | MFC1 : 0-5SCCM O2 MFC2 : 0-20SCMCH4 MFC3 : 0- 100SCCM H2 MFC4 : 0-500 SCCM N2 |
| Linéarité | ±0,5 % DE L'E.M. |
| Répétabilité | ±0,2 % DE L'E.M. |
| Tuyau et vanne | Acier inoxydable |
| Pression de fonctionnement maximale | 0,45 MPa |
| Contrôleur de débitmètre | Contrôleur numérique à bouton/écran tactile |
| Unité de vide standard (en option) | |
| Pompe à vide | Pompe à vide à palettes |
| Débit de la pompe | 4L/S |
| Orifice d'aspiration du vide | KF25 |
| Jauge à vide | Jauge à vide Pirani/Résistance en silicone |
| Pression nominale du vide | 10Pa |
| Unité de vide poussé (en option) | |
| Pompe à vide | Pompe à palettes+pompe moléculaire |
| Débit de la pompe | 4L/S+110L/S |
| Port d'aspiration du vide | KF25 |
| Jauge à vide | Jauge à vide composée |
| Pression nominale du vide | 6x10-5Pa |
| Les spécifications et configurations ci-dessus peuvent être personnalisées. | |
Paquet standard
| Non. | Description | Quantité |
| 1 | Fourneau | 1 |
| 2 | Tube de quartz | 1 |
| 3 | Bride à vide | 2 |
| 4 | Bloc thermique du tube | 2 |
| 5 | Crochet du bloc thermique du tube | 1 |
| 6 | Gant résistant à la chaleur | 1 |
| 7 | Contrôle précis du gaz | 1 |
| 8 | Unité de vide | 1 |
| 9 | Manuel d'utilisation | 1 |
Configuration en option
- Détection et surveillance des gaz dans le tube, comme H2, O2, etc.
- Surveillance et enregistrement indépendants de la température du four
- Port de communication RS 485 pour le contrôle à distance par PC et l'exportation de données
- Contrôle du débit d'alimentation des gaz insérés, comme le débitmètre massique et le débitmètre à flotteur
- Contrôleur de température à écran tactile avec des fonctions polyvalentes et conviviales pour l'opérateur
- Installation d'une station de pompage à vide poussé, comme une pompe à vide à palettes, une pompe moléculaire, une pompe à diffusion
Avertissements
La sécurité des opérateurs est la question la plus importante ! Veuillez faire fonctionner l'équipement avec des précautions. Travailler avec des gaz inflammables, explosifs ou toxiques est très dangereux, les opérateurs doivent prendre toutes les précautions nécessaires avant de démarrer le équipement. Travailler en pression positive à l’intérieur des réacteurs ou des chambres est dangereux, l'opérateur doit suivre strictement les procédures de sécurité. Supplémentaire des précautions doivent également être prises lors de l'utilisation de matériaux réactifs à l'air, surtout sous vide. Une fuite peut aspirer de l'air dans l'appareil et provoquer un une réaction violente se produit.
Conçu pour vous
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FAQ
Qu'est-ce qu'un four CVD ?
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une technologie qui utilise diverses sources d'énergie telles que le chauffage, l'excitation du plasma ou le rayonnement lumineux pour faire réagir chimiquement des substances chimiques gazeuses ou en phase vapeur sur la phase gazeuse ou l'interface gaz-solide pour former des dépôts solides dans le réacteur au moyen de réaction chimique. Pour le dire simplement, deux ou plusieurs matières premières gazeuses sont introduites dans une chambre de réaction, puis elles réagissent l'une avec l'autre pour former un nouveau matériau et le déposer sur la surface du substrat.
Le four CVD est un système de four combiné avec une unité de four tubulaire à haute température, une unité de contrôle des gaz et une unité de vide, il est largement utilisé pour l'expérimentation et la production de préparation de matériaux composites, de processus microélectronique, d'optoélectronique semi-conducteur, d'utilisation de l'énergie solaire, de communication par fibre optique, supraconducteur technologie, domaine des revêtements de protection.
Quelles sont les sources d'évaporation thermique ?
Comment fonctionne le four CVD ?
Le système de four CVD se compose d'une unité de four tubulaire à haute température, d'une unité de contrôle précise de la source de gaz réactif, d'une station de pompe à vide et des pièces d'assemblage correspondantes.
La pompe à vide consiste à éliminer l'air du tube de réaction et à s'assurer qu'il n'y a pas de gaz indésirables à l'intérieur du tube de réaction, après quoi le four tubulaire chauffera le tube de réaction à une température cible, puis l'unité de contrôle précise de la source de gaz de réaction peut introduire différents gaz avec un rapport défini dans le tube du four pour la réaction chimique, le dépôt chimique en phase vapeur sera formé dans le four CVD.
Qu'est-ce que la méthode PECVD ?
Quelles sont les méthodes utilisées pour déposer des couches minces ?
Qu'est-ce que Mpcvd ?
Quels sont les principaux types de sources d'évaporation thermique ?
Quel gaz est utilisé dans le procédé CVD ?
Il existe d'énormes sources de gaz pouvant être utilisées dans le processus CVD, les réactions chimiques courantes de CVD comprennent la pyrolyse, la photolyse, la réduction, l'oxydation, le redox, de sorte que les gaz impliqués dans ces réactions chimiques peuvent être utilisés dans le processus CVD.
Nous prenons la croissance du graphène CVD par exemple, les gaz utilisés dans le processus CVD seront CH4, H2, O2 et N2.
A quoi sert le PECVD ?
Quel est le principe de base du CVD ?
Qu'est-ce qu'un équipement de dépôt de couches minces ?
Qu'est-ce qu'une machine Mpcvd ?
Le PACVD est-il le PECVD ?
Quels sont les types de fours rotatifs ?
Comment fonctionnent les sources d'évaporation thermique ?
Quel est l'avantage du système CVD ?
- Une large gamme de films peut être produite, film métallique, film non métallique et film d'alliage multi-composants selon les besoins. En même temps, il peut préparer des cristaux de haute qualité difficiles à obtenir par d'autres méthodes, telles que GaN, BP, etc.
- La vitesse de formation du film est rapide, généralement plusieurs microns par minute voire des centaines de microns par minute. Il est possible de déposer simultanément de grandes quantités de revêtements avec une composition uniforme, ce qui est incomparable aux autres méthodes de préparation de film, telles que l'épitaxie en phase liquide (LPE) et l'épitaxie par jet moléculaire (MBE).
- Les conditions de travail sont réalisées dans des conditions de pression normale ou de vide faible, de sorte que le revêtement a une bonne diffraction et que les pièces aux formes complexes peuvent être uniformément revêtues, ce qui est bien supérieur au PVD.
- En raison de la diffusion mutuelle du gaz de réaction, du produit de réaction et du substrat, un revêtement avec une bonne force d'adhérence peut être obtenu, ce qui est crucial pour la préparation de films renforcés en surface tels que des films résistants à l'usure et anti-corrosion.
- Certains films se développent à une température bien inférieure au point de fusion du matériau du film. Dans des conditions de croissance à basse température, le gaz de réaction et la paroi du réacteur et les impuretés qu'ils contiennent ne réagissent presque pas, de sorte qu'un film de haute pureté et de bonne cristallinité peut être obtenu.
- Le dépôt chimique en phase vapeur permet d'obtenir une surface de dépôt lisse. En effet, par rapport au LPE, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est effectué sous une saturation élevée, avec un taux de nucléation élevé, une densité de nucléation élevée et une distribution uniforme sur tout le plan, ce qui donne une surface lisse macroscopique. Dans le même temps, dans le dépôt chimique en phase vapeur, le libre parcours moyen des molécules (atomes) est beaucoup plus grand que le LPE, de sorte que la distribution spatiale des molécules est plus uniforme, ce qui favorise la formation d'une surface de dépôt lisse.
- Faibles dommages causés par les radiations, condition nécessaire à la fabrication de semi-conducteurs à oxyde métallique (MOS) et d'autres dispositifs
Quels sont les avantages du PECVD ?
Quels sont les différents types de méthode CVD ?
Qu'est-ce que la technologie de dépôt en couche mince ?
Quels sont les avantages de Mpcvd ?
Quels sont les avantages du four à rotor ?
Quels sont les avantages des sources d'évaporation thermique ?
Que signifie PECVD ?
Le PECVD est une technologie qui utilise le plasma pour activer le gaz de réaction, favoriser la réaction chimique à la surface du substrat ou près de l'espace de surface et générer un film solide. Le principe de base de la technologie de dépôt chimique en phase vapeur par plasma est que, sous l'action d'un champ électrique RF ou CC, le gaz source est ionisé pour former un plasma, le plasma à basse température est utilisé comme source d'énergie, une quantité appropriée de gaz de réaction est introduit, et la décharge de plasma est utilisée pour activer le gaz de réaction et réaliser le dépôt chimique en phase vapeur.
Selon la méthode de génération de plasma, il peut être divisé en plasma RF, plasma DC et plasma micro-ondes CVD, etc.
Quelle est la différence entre ALD et PECVD ?
Les diamants CVD sont-ils vrais ou faux ?
Quelle est l'efficacité d'un four rotatif ?
Quelles sont les applications des sources d'évaporation thermique ?
Quelle est la différence entre CVD et PECVD ?
La différence entre la technologie PECVD et la technologie CVD traditionnelle est que le plasma contient un grand nombre d'électrons à haute énergie, qui peuvent fournir l'énergie d'activation requise dans le processus de dépôt chimique en phase vapeur, modifiant ainsi le mode d'alimentation en énergie du système de réaction. Étant donné que la température des électrons dans le plasma est aussi élevée que 10000K, la collision entre les électrons et les molécules de gaz peut favoriser la rupture de la liaison chimique et la recombinaison des molécules de gaz de réaction pour générer des groupes chimiques plus actifs, tandis que l'ensemble du système de réaction maintient une température plus basse.
Ainsi, par rapport au processus CVD, le PECVD peut effectuer le même processus de dépôt chimique en phase vapeur avec une température plus basse.
Quelle est la différence entre le PECVD et la pulvérisation ?
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