Produits Équipement thermique Four CVD & PECVD Machine à four tubulaire à dépôt chimique assisté par plasma rotatif incliné (PECVD)
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Machine à four tubulaire à dépôt chimique assisté par plasma rotatif incliné (PECVD)

Four CVD & PECVD

Machine à four tubulaire à dépôt chimique assisté par plasma rotatif incliné (PECVD)

Numéro d'article : KT-PE16

Le prix varie en fonction de Spécifications et personnalisations


Max. température
1600 ℃
Température de travail constante
1550 ℃
Diamètre du tube du four
60 millimètres
Longueur de la zone de chauffage
2x300mm
Taux de chauffage
0-10 ℃/min
ISO & CE icon

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Applications

KT-PE16 Four PECVD rotatif incliné Le four PECVD se compose d'une source de plasma RF de 500 W, d'un four tubulaire à deux zones TF-1200, d'une unité de contrôle précise de 4 gaz MFC et d'une station de vide standard. Four max. La température de travail est jusqu'à 1600 ℃, le tube de four est un tube en céramique Al2O2 de 60 mm de diamètre; Débitmètre massique MFC à 4 canaux avec sources de gaz CH4, H2, O2 et N2 ; La station de vide est une pompe à vide à palettes rotatives 4L/S, max. La pression du vide est jusqu'à 10 Pa

Avantages

  • Source d'adaptation automatique au plasma RF, large plage de puissance de sortie de 5 à 500 W, sortie stable
  • Un système de coulissement de la chambre du four pour un chauffage à grande vitesse et un refroidissement de courte durée, un refroidissement rapide auxiliaire et un mouvement de coulissement automatique sont disponibles
  • Contrôle de température programmable PID, excellente précision de contrôle et prise en charge de la télécommande et du contrôle centralisé
  • Contrôle du débitmètre massique MFC de haute précision, prémélange des gaz sources et vitesse d'alimentation en gaz stable
  • Bride à vide en acier inoxydable avec divers orifices d'adaptation pour répondre aux différentes configurations de station de pompe à vide, bonne étanchéité et degré de vide élevé
  • CTF Pro applique un contrôleur d'écran tactile TFT de 7 pouces, un réglage de programme plus convivial et une analyse des données d'historique

Avantage de sécurité

  • Le four à tube Kindle Tech possède une protection contre les surintensités et une fonction d'alarme de surchauffe, le four s'éteindra automatiquement
  • Four construit dans la fonction de détection de couple thermique, le four arrête de chauffer et l'alarme s'allume une fois cassé ou une panne détectée
  • PE Pro prend en charge la fonction de redémarrage en cas de panne de courant, le four reprendra le programme de chauffage du four lorsque le courant arrive après une panne

Spécifications techniques

Modèle de four PE-1600-60
Max. température 1600℃
Température de travail constante 1550℃
Matériau du tube du four Tube Al2O3 haute pureté
Diamètre du tube du four 60mm
Longueur de la zone de chauffage 2x300mm
Matériau de la chambre Fibre d'alumine du Japon
Élément chauffant Disiliciure de molybdène
Taux de chauffage 0-10℃/min
Couple thermique Type B
Contrôleur de température Contrôleur PID numérique/contrôleur PID à écran tactile
Précision du contrôle de la température ±1℃
Unité Plasma RF
Puissance de sortie 5 -500W réglable avec ± 1% de stabilité
Fréquence RF 13,56 MHz ± 0,005 % de stabilité
Puissance de réflexion 350W max.
Correspondant à Automatique
Bruit <50 dB
Refroidissement Refroidissement par air.
Unité de contrôle précise du gaz
Débitmètre Débitmètre massique MFC
Canaux de gaz 4 canaux
Débit MFC1 : 0-5SCCM O2
MFC2 : 0-20SCMCH4
MFC3 : 0-100 SCCM H2
MFC4 : 0-500 SCCM N2
Linéarité ±0,5 % PE
Répétabilité ±0,2 % PE
Conduite et vanne Acier inoxydable
Pression de fonctionnement maximale 0.45MPa
Contrôleur de débitmètre Contrôleur de bouton numérique/contrôleur d'écran tactile
Unité de vide standard (facultatif)
Pompe à vide Pompe à vide à palettes
Débit de la pompe 4L/S
Orifice d'aspiration sous vide KF25
Jauge à vide Vacuomètre silicone Pirani/Resistance
Pression de vide nominale 10 Pa
Unité de vide poussé (facultatif)
Pompe à vide Pompe à palettes rotatives + pompe moléculaire
Débit de la pompe 4L/S+110L/S
Orifice d'aspiration sous vide KF25
Jauge à vide Jauge à vide composée
Pression de vide nominale 6x10-5Pa
Les spécifications et configurations ci-dessus peuvent être personnalisées

Forfait standard

Non. Description Quantité
1 fourneau 1
2 Tube de quartz 1
3 Bride de vide 2
4 Bloc thermique du tube 2
5 Crochet de bloc thermique de tube 1
6 Gant résistant à la chaleur 1
7 Source de plasma RF 1
8 Contrôle précis du gaz 1
9 Unité de vide 1
dix Mode d'emploi 1

Configuration facultative

  • Dans la détection et la surveillance des gaz à tube, comme H2, O2, etc.
  • Surveillance et enregistrement indépendants de la température du four
  • Port de communication RS 485 pour télécommande PC et exportation de données
  • Insérez le contrôle du débit d'alimentation en gaz, comme le débitmètre massique et le débitmètre à flotteur
  • Régulateur de température à écran tactile avec fonctions polyvalentes conviviales pour l'opérateur
  • Configurations de stations de pompage à vide élevé, comme la pompe à vide à palettes, la pompe moléculaire, la pompe à diffusion

Avertissements

La sécurité des opérateurs est la question la plus importante ! Veuillez faire fonctionner l'équipement avec des précautions. Travailler avec des gaz inflammables, explosifs ou toxiques est très dangereux, les opérateurs doivent prendre toutes les précautions nécessaires avant de démarrer le équipement. Travailler en pression positive à l’intérieur des réacteurs ou des chambres est dangereux, l'opérateur doit suivre strictement les procédures de sécurité. Supplémentaire des précautions doivent également être prises lors de l'utilisation de matériaux réactifs à l'air, surtout sous vide. Une fuite peut aspirer de l'air dans l'appareil et provoquer un une réaction violente se produit.

Conçu pour vous

KinTek fournit un service et des équipements sur mesure aux clients du monde entier, notre travail d'équipe spécialisé et nos riches ingénieurs expérimentés sont capables de entreprendre les exigences en matière d'équipement matériel et logiciel sur mesure, et aider notre client à constituer l'équipement exclusif et personnalisé et solution!

Pourriez-vous s'il vous plaît nous faire part de vos idées, nos ingénieurs sont prêts à vous accueillir maintenant !

FAQ

Qu'est-ce Que Le Dépôt Physique En Phase Vapeur (PVD) ?

Le dépôt physique en phase vapeur (PVD) est une technique de dépôt de couches minces en vaporisant un matériau solide sous vide puis en le déposant sur un substrat. Les revêtements PVD sont très durables, résistants aux rayures et à la corrosion, ce qui les rend idéaux pour une variété d'applications, des cellules solaires aux semi-conducteurs. Le PVD crée également des films minces qui peuvent résister à des températures élevées. Cependant, le PVD peut être coûteux et le coût varie en fonction de la méthode utilisée. Par exemple, l'évaporation est une méthode PVD peu coûteuse, tandis que la pulvérisation par faisceau d'ions est plutôt coûteuse. La pulvérisation magnétron, en revanche, est plus coûteuse mais plus évolutive.

Qu'est-ce Que La Méthode PECVD ?

Le PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) est un procédé utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs pour déposer des couches minces sur des dispositifs microélectroniques, des cellules photovoltaïques et des panneaux d'affichage. Dans le PECVD, un précurseur est introduit dans la chambre de réaction à l'état gazeux, et l'aide de milieux réactifs au plasma dissocie le précurseur à des températures beaucoup plus basses qu'avec le CVD. Les systèmes PECVD offrent une excellente uniformité de film, un traitement à basse température et un rendement élevé. Ils sont utilisés dans un large éventail d'applications et joueront un rôle de plus en plus important dans l'industrie des semi-conducteurs à mesure que la demande de dispositifs électroniques avancés ne cesse de croître.

Qu'est-ce Que La Pulvérisation Magnétron ?

La pulvérisation magnétron est une technique de revêtement à base de plasma utilisée pour produire des films très denses avec une excellente adhérence, ce qui en fait une méthode polyvalente pour créer des revêtements sur des matériaux qui ont des points de fusion élevés et ne peuvent pas être évaporés. Cette méthode génère un plasma magnétiquement confiné près de la surface d'une cible, où des ions énergétiques chargés positivement entrent en collision avec le matériau cible chargé négativement, provoquant l'éjection ou la "pulvérisation" des atomes. Ces atomes éjectés sont ensuite déposés sur un substrat ou une plaquette pour créer le revêtement souhaité.

A Quoi Sert Le PECVD ?

Le PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) est largement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs pour fabriquer des circuits intégrés, ainsi que dans les domaines photovoltaïque, tribologique, optique et biomédical. Il est utilisé pour déposer des couches minces pour les dispositifs microélectroniques, les cellules photovoltaïques et les panneaux d'affichage. Le PECVD peut produire des composés et des films uniques qui ne peuvent pas être créés uniquement par des techniques CVD courantes, et des films qui présentent une résistance élevée aux solvants et à la corrosion avec une stabilité chimique et thermique. Il est également utilisé pour produire des polymères organiques et inorganiques homogènes sur de grandes surfaces, et du Diamond-like Carbon (DLC) pour des applications tribologiques.

Pourquoi La Pulvérisation Magnétron ?

La pulvérisation magnétron est préférée en raison de sa capacité à obtenir une grande précision dans l'épaisseur du film et la densité des revêtements, surpassant les méthodes d'évaporation. Cette technique est particulièrement adaptée à la création de revêtements métalliques ou isolants aux propriétés optiques ou électriques particulières. De plus, les systèmes de pulvérisation magnétron peuvent être configurés avec plusieurs sources de magnétron.

Quels Sont Les Avantages Du PECVD ?

Les principaux avantages du PECVD sont sa capacité à fonctionner à des températures de dépôt plus basses, offrant une meilleure conformité et une meilleure couverture des étapes sur des surfaces inégales, un contrôle plus strict du processus de couche mince et des taux de dépôt élevés. PECVD permet des applications réussies dans des situations où les températures CVD conventionnelles pourraient potentiellement endommager le dispositif ou le substrat en cours de revêtement. En fonctionnant à une température plus basse, le PECVD crée moins de contraintes entre les couches de film mince, permettant des performances électriques à haut rendement et une liaison à des normes très élevées.

Quels Sont Les Matériaux Utilisés Dans Le Dépôt De Couches Minces ?

Le dépôt de couches minces utilise couramment des métaux, des oxydes et des composés comme matériaux, chacun avec ses avantages et ses inconvénients uniques. Les métaux sont préférés pour leur durabilité et leur facilité de dépôt mais sont relativement coûteux. Les oxydes sont très durables, peuvent résister à des températures élevées et peuvent se déposer à basse température, mais peuvent être cassants et difficiles à travailler. Les composés offrent résistance et durabilité, peuvent être déposés à basse température et adaptés pour présenter des propriétés spécifiques.

Le choix du matériau pour un revêtement en couche mince dépend des exigences de l'application. Les métaux sont idéaux pour la conduction thermique et électrique, tandis que les oxydes sont efficaces pour offrir une protection. Les composés peuvent être adaptés pour répondre à des besoins spécifiques. En fin de compte, le meilleur matériau pour un projet particulier dépendra des besoins spécifiques de l'application.

Quelle Est La Différence Entre ALD Et PECVD ?

L'ALD est un processus de dépôt de couches minces qui permet une résolution de l'épaisseur de la couche atomique, une excellente uniformité des surfaces à rapport hauteur/largeur élevé et des couches sans trous d'épingle. Ceci est réalisé par la formation continue de couches atomiques dans une réaction auto-limitante. Le PECVD, d'autre part, implique le mélange du matériau source avec un ou plusieurs précurseurs volatils à l'aide d'un plasma pour interagir chimiquement et décomposer le matériau source. Les processus utilisent de la chaleur avec des pressions plus élevées conduisant à un film plus reproductible où les épaisseurs de film pourraient être gérées par le temps/la puissance. Ces films sont plus stoechiométriques, plus denses et sont capables de produire des films isolants de meilleure qualité.

Quelles Sont Les Méthodes Pour Obtenir Un Dépôt Optimal De Couches Minces ?

Pour obtenir des films minces aux propriétés souhaitables, des cibles de pulvérisation et des matériaux d'évaporation de haute qualité sont essentiels. La qualité de ces matériaux peut être influencée par divers facteurs, tels que la pureté, la granulométrie et l'état de surface.

La pureté des cibles de pulvérisation ou des matériaux d'évaporation joue un rôle crucial, car les impuretés peuvent provoquer des défauts dans le film mince résultant. La taille des grains affecte également la qualité du film mince, des grains plus gros entraînant de mauvaises propriétés du film. De plus, l'état de surface est crucial, car les surfaces rugueuses peuvent entraîner des défauts dans le film.

Pour atteindre des cibles de pulvérisation et des matériaux d'évaporation de la plus haute qualité, il est crucial de sélectionner des matériaux qui possèdent une grande pureté, une petite taille de grain et des surfaces lisses.

Utilisations Du Dépôt De Couches Minces

Films minces à base d'oxyde de zinc

Les couches minces de ZnO trouvent des applications dans plusieurs industries telles que la thermique, l'optique, le magnétique et l'électricité, mais leur utilisation principale est dans les revêtements et les dispositifs à semi-conducteurs.

Résistances à couches minces

Les résistances à couches minces sont cruciales pour la technologie moderne et sont utilisées dans les récepteurs radio, les circuits imprimés, les ordinateurs, les appareils à radiofréquence, les moniteurs, les routeurs sans fil, les modules Bluetooth et les récepteurs de téléphones portables.

Couches Minces Magnétiques

Les couches minces magnétiques sont utilisées dans l'électronique, le stockage de données, l'identification par radiofréquence, les dispositifs à micro-ondes, les écrans, les cartes de circuits imprimés et l'optoélectronique en tant que composants clés.

Couches minces optiques

Les revêtements optiques et l'optoélectronique sont des applications standard des couches minces optiques. L'épitaxie par faisceau moléculaire peut produire des dispositifs optoélectroniques à couches minces (semi-conducteurs), où les films épitaxiaux sont déposés un atome à la fois sur le substrat.

Films minces polymères

Les couches minces de polymère sont utilisées dans les puces de mémoire, les cellules solaires et les appareils électroniques. Les techniques de dépôt chimique (CVD) offrent un contrôle précis des revêtements de film polymère, y compris la conformité et l'épaisseur du revêtement.

Batteries à couches minces

Les batteries à couches minces alimentent les appareils électroniques tels que les dispositifs médicaux implantables, et la batterie lithium-ion a considérablement progressé grâce à l'utilisation de couches minces.

Revêtements à couche mince

Les revêtements en couches minces améliorent les caractéristiques chimiques et mécaniques des matériaux cibles dans diverses industries et domaines technologiques. Les revêtements antireflets, les revêtements anti-ultraviolets ou anti-infrarouges, les revêtements anti-rayures et la polarisation des lentilles en sont des exemples courants.

Cellules solaires à couche mince

Les cellules solaires à couches minces sont essentielles à l'industrie de l'énergie solaire, permettant la production d'électricité relativement bon marché et propre. Les systèmes photovoltaïques et l'énergie thermique sont les deux principales technologies applicables.

Quelle Est La Différence Entre Le PECVD Et La Pulvérisation ?

La PECVD et la pulvérisation sont toutes deux des techniques de dépôt physique en phase vapeur utilisées pour le dépôt de couches minces. Le PECVD est un procédé diffusif à gaz qui produit des films minces de très haute qualité tandis que la pulvérisation cathodique est un dépôt en ligne de mire. Le PECVD permet une meilleure couverture sur les surfaces inégales telles que les tranchées, les murs et une conformité élevée et peut produire des composés et des films uniques. D'autre part, la pulvérisation cathodique est bonne pour le dépôt de fines couches de plusieurs matériaux, idéales pour créer des systèmes de revêtement multicouches et multigradués. Le PECVD est principalement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs, les domaines tribologiques, optiques et biomédicaux, tandis que la pulvérisation cathodique est principalement utilisée pour les matériaux diélectriques et les applications tribologiques.

Facteurs Et Paramètres Qui Influencent Le Dépôt De Couches Minces

Taux de dépôt :

La vitesse à laquelle le film est produit, généralement mesurée en épaisseur divisée par le temps, est cruciale pour sélectionner une technologie adaptée à l'application. Des taux de dépôt modérés sont suffisants pour les films minces, tandis que des taux de dépôt rapides sont nécessaires pour les films épais. Il est important de trouver un équilibre entre la vitesse et le contrôle précis de l'épaisseur du film.

Uniformité:

La consistance du film à travers le substrat est connue sous le nom d'uniformité, qui fait généralement référence à l'épaisseur du film, mais peut également être liée à d'autres propriétés telles que l'indice de réfraction. Il est important d'avoir une bonne compréhension de l'application pour éviter de sous-spécifier ou de sur-spécifier l'uniformité.

Capacité de remplissage :

La capacité de remplissage ou la couverture des étapes fait référence à la façon dont le processus de dépôt couvre la topographie du substrat. La méthode de dépôt utilisée (par exemple, CVD, PVD, IBD ou ALD) a un impact significatif sur la couverture et le remplissage des étapes.

Caractéristiques du film :

Les caractéristiques du film dépendent des exigences de l'application, qui peuvent être classées comme photoniques, optiques, électroniques, mécaniques ou chimiques. La plupart des films doivent satisfaire aux exigences dans plus d'une catégorie.

Température de processus :

Les caractéristiques du film sont considérablement affectées par la température du procédé, qui peut être limitée par l'application.

Dommage:

Chaque technologie de dépôt a le potentiel d'endommager le matériau sur lequel elle est déposée, les éléments plus petits étant plus susceptibles d'être endommagés par le processus. La pollution, le rayonnement UV et le bombardement ionique font partie des sources potentielles de dommages. Il est crucial de comprendre les limites des matériaux et des outils.

Voir plus de FAQ pour ce produit

4.8

out of

5

I'm amazed by how well this PECVD machine works. It truly lives up to its promises.

Arnie Halvorsen

4.7

out of

5

The rotary design allows for uniform heating and mixing of materials, leading to consistent results.

Olav Rønning

4.9

out of

5

The plasma generator boosts reaction efficiency and reduces processing temperatures, making it an efficient choice.

Ramiro Amezcua

4.6

out of

5

The variable-diameter furnace tube design ensures proper mixing and optimal heating effects.

Søren Nystrøm

4.8

out of

5

The three-way mass flow meter and gas mixing device offer precise control over the process atmosphere.

Jón Halldórsson

4.7

out of

5

The high-performance mechanical pump facilitates rapid evacuation of the furnace tube, speeding up the process.

Atli Valdimarsson

4.9

out of

5

The continuous coating and modification of powder materials using the CVD method is a game-changer.

Stefan Erfurth

4.6

out of

5

The user-friendly interface and remote control capabilities make operation a breeze.

Helga Rönningsdóttir

4.8

out of

5

The safety features, like over current protection and temperature alarming, ensure peace of mind during operation.

Hermann Lindström

4.7

out of

5

The automatic matching RF plasma source simplifies setup and ensures stable output power.

Jósef Ðurčík

4.9

out of

5

The furnace chamber's sliding system enables fast heating and cooling, enhancing productivity.

Jón Þorleifsson

4.6

out of

5

The high-accuracy MFC mass flowmeter ensures precise control of source gases, leading to consistent results.

Milena Schäfer

4.8

out of

5

The stainless steel vacuum flange with adaptable ports allows for easy integration with different vacuum pump stations.

Hrafnhildur Björnsdóttir

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