Produits Équipement thermique Four CVD & PECVD Machine à four tubulaire à dépôt chimique assisté par plasma rotatif incliné (PECVD)
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Machine à four tubulaire à dépôt chimique assisté par plasma rotatif incliné (PECVD)

Four CVD & PECVD

Machine à four tubulaire à dépôt chimique assisté par plasma rotatif incliné (PECVD)

Numéro d'article : KT-PE16

Le prix varie en fonction de Spécifications et personnalisations


Max. température
1600 ℃
Température de travail constante
1550 ℃
Diamètre du tube du four
60 millimètres
Longueur de la zone de chauffage
2x300mm
Taux de chauffage
0-10 ℃/min
ISO & CE icon

Livraison:

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Applications

KT-PE16 Four PECVD rotatif incliné Le four PECVD se compose d'une source de plasma RF de 500 W, d'un four tubulaire à deux zones TF-1200, d'une unité de contrôle précise de 4 gaz MFC et d'une station de vide standard. Four max. La température de travail est jusqu'à 1600 ℃, le tube de four est un tube en céramique Al2O2 de 60 mm de diamètre; Débitmètre massique MFC à 4 canaux avec sources de gaz CH4, H2, O2 et N2 ; La station de vide est une pompe à vide à palettes rotatives 4L/S, max. La pression du vide est jusqu'à 10 Pa

Avantages

  • Source d'adaptation automatique au plasma RF, large plage de puissance de sortie de 5 à 500 W, sortie stable
  • Un système de coulissement de la chambre du four pour un chauffage à grande vitesse et un refroidissement de courte durée, un refroidissement rapide auxiliaire et un mouvement de coulissement automatique sont disponibles
  • Contrôle de température programmable PID, excellente précision de contrôle et prise en charge de la télécommande et du contrôle centralisé
  • Contrôle du débitmètre massique MFC de haute précision, prémélange des gaz sources et vitesse d'alimentation en gaz stable
  • Bride à vide en acier inoxydable avec divers orifices d'adaptation pour répondre aux différentes configurations de station de pompe à vide, bonne étanchéité et degré de vide élevé
  • CTF Pro applique un contrôleur d'écran tactile TFT de 7 pouces, un réglage de programme plus convivial et une analyse des données d'historique

Avantage de sécurité

  • Le four à tube Kindle Tech possède une protection contre les surintensités et une fonction d'alarme de surchauffe, le four s'éteindra automatiquement
  • Four construit dans la fonction de détection de couple thermique, le four arrête de chauffer et l'alarme s'allume une fois cassé ou une panne détectée
  • PE Pro prend en charge la fonction de redémarrage en cas de panne de courant, le four reprendra le programme de chauffage du four lorsque le courant arrive après une panne

Spécifications techniques

Modèle de four PE-1600-60
Max. température 1600℃
Température de travail constante 1550℃
Matériau du tube du four Tube Al2O3 haute pureté
Diamètre du tube du four 60mm
Longueur de la zone de chauffage 2x300mm
Matériau de la chambre Fibre d'alumine du Japon
Élément chauffant Disiliciure de molybdène
Taux de chauffage 0-10℃/min
Couple thermique Type B
Contrôleur de température Contrôleur PID numérique/contrôleur PID à écran tactile
Précision du contrôle de la température ±1℃
Unité Plasma RF
Puissance de sortie 5 -500W réglable avec ± 1% de stabilité
Fréquence RF 13,56 MHz ± 0,005 % de stabilité
Puissance de réflexion 350W max.
Correspondant à Automatique
Bruit <50 dB
Refroidissement Refroidissement par air.
Unité de contrôle précise du gaz
Débitmètre Débitmètre massique MFC
Canaux de gaz 4 canaux
Débit MFC1 : 0-5SCCM O2
MFC2 : 0-20SCMCH4
MFC3 : 0-100 SCCM H2
MFC4 : 0-500 SCCM N2
Linéarité ±0,5 % PE
Répétabilité ±0,2 % PE
Conduite et vanne Acier inoxydable
Pression de fonctionnement maximale 0.45MPa
Contrôleur de débitmètre Contrôleur de bouton numérique/contrôleur d'écran tactile
Unité de vide standard (facultatif)
Pompe à vide Pompe à vide à palettes
Débit de la pompe 4L/S
Orifice d'aspiration sous vide KF25
Jauge à vide Vacuomètre silicone Pirani/Resistance
Pression de vide nominale 10 Pa
Unité de vide poussé (facultatif)
Pompe à vide Pompe à palettes rotatives + pompe moléculaire
Débit de la pompe 4L/S+110L/S
Orifice d'aspiration sous vide KF25
Jauge à vide Jauge à vide composée
Pression de vide nominale 6x10-5Pa
Les spécifications et configurations ci-dessus peuvent être personnalisées

Forfait standard

Non. Description Quantité
1 fourneau 1
2 Tube de quartz 1
3 Bride de vide 2
4 Bloc thermique du tube 2
5 Crochet de bloc thermique de tube 1
6 Gant résistant à la chaleur 1
7 Source de plasma RF 1
8 Contrôle précis du gaz 1
9 Unité de vide 1
dix Mode d'emploi 1

Configuration facultative

  • Dans la détection et la surveillance des gaz à tube, comme H2, O2, etc.
  • Surveillance et enregistrement indépendants de la température du four
  • Port de communication RS 485 pour télécommande PC et exportation de données
  • Insérez le contrôle du débit d'alimentation en gaz, comme le débitmètre massique et le débitmètre à flotteur
  • Régulateur de température à écran tactile avec fonctions polyvalentes conviviales pour l'opérateur
  • Configurations de stations de pompage à vide élevé, comme la pompe à vide à palettes, la pompe moléculaire, la pompe à diffusion

Avertissements

La sécurité des opérateurs est la question la plus importante ! Veuillez faire fonctionner l'équipement avec des précautions. Travailler avec des gaz inflammables, explosifs ou toxiques est très dangereux, les opérateurs doivent prendre toutes les précautions nécessaires avant de démarrer le équipement. Travailler en pression positive à l’intérieur des réacteurs ou des chambres est dangereux, l'opérateur doit suivre strictement les procédures de sécurité. Supplémentaire des précautions doivent également être prises lors de l'utilisation de matériaux réactifs à l'air, surtout sous vide. Une fuite peut aspirer de l'air dans l'appareil et provoquer un une réaction violente se produit.

Conçu pour vous

KinTek fournit un service et des équipements sur mesure aux clients du monde entier, notre travail d'équipe spécialisé et nos riches ingénieurs expérimentés sont capables de entreprendre les exigences en matière d'équipement matériel et logiciel sur mesure, et aider notre client à constituer l'équipement exclusif et personnalisé et solution!

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FAQ

Qu'est-ce qu'un four CVD ?

Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une technologie qui utilise diverses sources d'énergie telles que le chauffage, l'excitation du plasma ou le rayonnement lumineux pour faire réagir chimiquement des substances chimiques gazeuses ou en phase vapeur sur la phase gazeuse ou l'interface gaz-solide pour former des dépôts solides dans le réacteur au moyen de réaction chimique. Pour le dire simplement, deux ou plusieurs matières premières gazeuses sont introduites dans une chambre de réaction, puis elles réagissent l'une avec l'autre pour former un nouveau matériau et le déposer sur la surface du substrat.

Le four CVD est un système de four combiné avec une unité de four tubulaire à haute température, une unité de contrôle des gaz et une unité de vide, il est largement utilisé pour l'expérimentation et la production de préparation de matériaux composites, de processus microélectronique, d'optoélectronique semi-conducteur, d'utilisation de l'énergie solaire, de communication par fibre optique, supraconducteur technologie, domaine des revêtements de protection.

Qu'est-ce que le dépôt physique en phase vapeur (PVD) ?

Le dépôt physique en phase vapeur (PVD) est une technique de dépôt de couches minces en vaporisant un matériau solide sous vide puis en le déposant sur un substrat. Les revêtements PVD sont très durables, résistants aux rayures et à la corrosion, ce qui les rend idéaux pour une variété d'applications, des cellules solaires aux semi-conducteurs. Le PVD crée également des films minces qui peuvent résister à des températures élevées. Cependant, le PVD peut être coûteux et le coût varie en fonction de la méthode utilisée. Par exemple, l'évaporation est une méthode PVD peu coûteuse, tandis que la pulvérisation par faisceau d'ions est plutôt coûteuse. La pulvérisation magnétron, en revanche, est plus coûteuse mais plus évolutive.

Quelles sont les sources d'évaporation thermique ?

Les sources d'évaporation thermique sont des dispositifs utilisés dans les systèmes d'évaporation thermique pour déposer des films minces sur des substrats. Elles fonctionnent en chauffant un matériau (évaporant) à des températures élevées, ce qui provoque son évaporation et sa condensation sur un substrat, formant ainsi un film mince.

Qu'est-ce qu'un four tubulaire rotatif ?

Un four tubulaire rotatif est un four circulaire qui tourne pendant le traitement thermique. Il est conçu pour chauffer les matériaux en vrac pour le traitement physico-chimique et est utilisé pour le traitement continu des matériaux. Ces fours comportent un tambour métallique doublé de réfractaire, qui est monté en biais et peut brûler du combustible pulvérisé, solide, gazeux ou liquide dans sa section de travail. Les fours tubulaires rotatifs ont une large gamme d'applications, y compris la fabrication de matériaux tels que l'alumine, la vermiculite, les boulettes de minerai de fer et le clinker de ciment, ainsi que pour les processus d'oxydation et de calcination.

Qu'est-ce que la méthode PECVD ?

Le PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) est un procédé utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs pour déposer des couches minces sur des dispositifs microélectroniques, des cellules photovoltaïques et des panneaux d'affichage. Dans le PECVD, un précurseur est introduit dans la chambre de réaction à l'état gazeux, et l'aide de milieux réactifs au plasma dissocie le précurseur à des températures beaucoup plus basses qu'avec le CVD. Les systèmes PECVD offrent une excellente uniformité de film, un traitement à basse température et un rendement élevé. Ils sont utilisés dans un large éventail d'applications et joueront un rôle de plus en plus important dans l'industrie des semi-conducteurs à mesure que la demande de dispositifs électroniques avancés ne cesse de croître.

Comment fonctionne le four CVD ?

Le système de four CVD se compose d'une unité de four tubulaire à haute température, d'une unité de contrôle précise de la source de gaz réactif, d'une station de pompe à vide et des pièces d'assemblage correspondantes.

La pompe à vide consiste à éliminer l'air du tube de réaction et à s'assurer qu'il n'y a pas de gaz indésirables à l'intérieur du tube de réaction, après quoi le four tubulaire chauffera le tube de réaction à une température cible, puis l'unité de contrôle précise de la source de gaz de réaction peut introduire différents gaz avec un rapport défini dans le tube du four pour la réaction chimique, le dépôt chimique en phase vapeur sera formé dans le four CVD.

Qu'est-ce que le PECVD RF ?

RF PECVD signifie dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma radiofréquence, qui est une technique utilisée pour préparer des films polycristallins sur un substrat en utilisant un plasma à décharge luminescente pour influencer le processus pendant le dépôt chimique en phase vapeur à basse pression. La méthode RF PECVD est bien établie pour la technologie standard des circuits intégrés au silicium, où des tranches généralement plates sont utilisées comme substrats. Cette méthode est avantageuse en raison de la possibilité d'une fabrication de film à faible coût et d'une grande efficacité de dépôt. Les matériaux peuvent également être déposés sous forme de films à gradient d'indice de réfraction ou sous forme d'empilement de nano-films ayant chacun des propriétés différentes.

Quelles sont les méthodes utilisées pour déposer des couches minces ?

Les deux principales méthodes utilisées pour déposer des couches minces sont le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt physique en phase vapeur (PVD). Le CVD consiste à introduire des gaz réactifs dans une chambre, où ils réagissent à la surface de la plaquette pour former un film solide. Le PVD n'implique pas de réactions chimiques ; au lieu de cela, des vapeurs de matériaux constitutifs sont créées à l'intérieur de la chambre, qui se condensent ensuite sur la surface de la tranche pour former un film solide. Les types courants de PVD comprennent le dépôt par évaporation et le dépôt par pulvérisation. Les trois types de techniques de dépôt par évaporation sont l'évaporation thermique, l'évaporation par faisceau d'électrons et le chauffage par induction.

Qu'est-ce que la pulvérisation magnétron ?

La pulvérisation magnétron est une technique de revêtement à base de plasma utilisée pour produire des films très denses avec une excellente adhérence, ce qui en fait une méthode polyvalente pour créer des revêtements sur des matériaux qui ont des points de fusion élevés et ne peuvent pas être évaporés. Cette méthode génère un plasma magnétiquement confiné près de la surface d'une cible, où des ions énergétiques chargés positivement entrent en collision avec le matériau cible chargé négativement, provoquant l'éjection ou la "pulvérisation" des atomes. Ces atomes éjectés sont ensuite déposés sur un substrat ou une plaquette pour créer le revêtement souhaité.

Qu'est-ce que Mpcvd ?

MPCVD signifie Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition et c'est un processus de dépôt de couches minces sur une surface. Il utilise une chambre à vide, un générateur de micro-ondes et un système de distribution de gaz pour créer un plasma composé de produits chimiques réactifs et des catalyseurs nécessaires. Le MPCVD est largement utilisé dans le réseau ANFF pour déposer des couches de diamant en utilisant du méthane et de l'hydrogène pour faire pousser de nouveaux diamants sur un substrat ensemencé de diamant. Il s'agit d'une technologie prometteuse pour produire de gros diamants de haute qualité à faible coût et elle est largement utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs et de la taille des diamants.

Quels sont les principaux types de sources d'évaporation thermique ?

Les principaux types de sources d'évaporation thermique comprennent les sources d'évaporation résistive, les sources d'évaporation par faisceau d'électrons et les sources d'évaporation flash. Chaque type utilise différentes méthodes pour chauffer l'évaporant, telles que le chauffage résistif, le chauffage par faisceau d'électrons ou le contact direct avec une surface chaude.

Comment fonctionne un four tubulaire rotatif ?

Un four tubulaire rotatif est un four circulaire qui tourne pendant le traitement thermique. Il brûle du carburant et les gaz de chauffage créés s'écoulent vers l'échantillon. Le four comporte un tambour métallique doublé de réfractaire, monté en biais. Les matériaux en vrac sont chauffés pour le traitement physicochimique et la chaleur est transférée d'une source de chaleur à un tube rotatif qui contient l'échantillon. Les fours tubulaires rotatifs sont conçus pour le traitement continu des matériaux et disposent de plusieurs zones de contrôle thermique. Ils ont une large gamme d'applications, y compris la fabrication d'alumine, de vermiculite, de boulettes de minerai de fer et de clinker de ciment.

A quoi sert le PECVD ?

Le PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) est largement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs pour fabriquer des circuits intégrés, ainsi que dans les domaines photovoltaïque, tribologique, optique et biomédical. Il est utilisé pour déposer des couches minces pour les dispositifs microélectroniques, les cellules photovoltaïques et les panneaux d'affichage. Le PECVD peut produire des composés et des films uniques qui ne peuvent pas être créés uniquement par des techniques CVD courantes, et des films qui présentent une résistance élevée aux solvants et à la corrosion avec une stabilité chimique et thermique. Il est également utilisé pour produire des polymères organiques et inorganiques homogènes sur de grandes surfaces, et du Diamond-like Carbon (DLC) pour des applications tribologiques.

Quel gaz est utilisé dans le procédé CVD ?

Il existe d'énormes sources de gaz pouvant être utilisées dans le processus CVD, les réactions chimiques courantes de CVD comprennent la pyrolyse, la photolyse, la réduction, l'oxydation, le redox, de sorte que les gaz impliqués dans ces réactions chimiques peuvent être utilisés dans le processus CVD.

Nous prenons la croissance du graphène CVD par exemple, les gaz utilisés dans le processus CVD seront CH4, H2, O2 et N2.

Qu'est-ce qu'un équipement de dépôt de couches minces ?

L'équipement de dépôt de couches minces fait référence aux outils et aux méthodes utilisés pour créer et déposer des revêtements de couches minces sur un matériau de substrat. Ces revêtements peuvent être constitués de divers matériaux et avoir différentes caractéristiques qui peuvent améliorer ou altérer les performances du substrat. Le dépôt physique en phase vapeur (PVD) est une technique populaire qui consiste à vaporiser un matériau solide sous vide, puis à le déposer sur un substrat. D'autres méthodes incluent l'évaporation et la pulvérisation. L'équipement de dépôt de couches minces est utilisé dans la production de dispositifs optoélectroniques, d'implants médicaux et d'optiques de précision, entre autres.

Le PACVD est-il le PECVD ?

Oui, PACVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma) est un autre terme pour PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma). Ce procédé utilise un plasma énergétique formé dans un champ électrique pour activer la réaction CVD à des températures plus basses que la CVD thermique, ce qui le rend idéal pour les substrats ou les films déposés à faible budget thermique. En faisant varier le plasma, un contrôle supplémentaire peut être ajouté aux propriétés du film déposé. La plupart des procédés PECVD sont conduits à basse pression pour stabiliser le plasma de décharge.

Pourquoi la pulvérisation magnétron ?

La pulvérisation magnétron est préférée en raison de sa capacité à obtenir une grande précision dans l'épaisseur du film et la densité des revêtements, surpassant les méthodes d'évaporation. Cette technique est particulièrement adaptée à la création de revêtements métalliques ou isolants aux propriétés optiques ou électriques particulières. De plus, les systèmes de pulvérisation magnétron peuvent être configurés avec plusieurs sources de magnétron.

Qu'est-ce qu'une machine Mpcvd ?

La machine MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) est un équipement de laboratoire utilisé pour développer des films de diamant de haute qualité. Il utilise un gaz contenant du carbone et un plasma micro-ondes pour créer une boule de plasma au-dessus du substrat de diamant, qui le chauffe à une température spécifique. La boule de plasma n'entre pas en contact avec la paroi de la cavité, ce qui rend le processus de croissance du diamant exempt d'impuretés et améliore la qualité du diamant. Le système MPCVD se compose d'une chambre à vide, d'un générateur de micro-ondes et d'un système de distribution de gaz qui contrôle le flux de gaz dans la chambre.

Quels sont les types de fours rotatifs ?

Les types de fours rotatifs comprennent les fours rotatifs et basculants qui ont la capacité de tourner et de s'incliner, permettant une uniformité dans les applications de séchage et de revêtement. Les fours KINTEK augmentent l'efficacité en offrant des options de chauffage multizones, en utilisant de la fibre d'alumine pour les revêtements réfractaires et en utilisant des contrôleurs de température. Ces fours conviennent au traitement continu et aux opérations discontinues. De plus, ils peuvent être ouverts pour utiliser différents tubes ou réacteurs. La structure peinte en époxy recouverte d'un revêtement galvanisé offre une durée de vie et une esthétique plus longues. Dans l'ensemble, les fours rotatifs et basculants sont populaires pour les processus de production, de séchage, de vieillissement et d'oxydation des matériaux.

Comment fonctionnent les sources d'évaporation thermique ?

Les sources d'évaporation thermique fonctionnent en faisant passer un courant électrique à travers un matériau résistif, qui s'échauffe jusqu'à atteindre des températures élevées. Cette chaleur est transférée à l'évaporant, qui fond et se vaporise. La vapeur traverse ensuite une chambre à vide et se condense sur un substrat, formant un film mince.

Quel est le principe de base du CVD ?

Le principe de base du dépôt chimique en phase vapeur (CVD) consiste à exposer un substrat à un ou plusieurs précurseurs volatils qui réagissent ou se décomposent à sa surface pour produire un dépôt en couche mince. Ce processus peut être utilisé pour diverses applications, telles que les films à motifs, les matériaux isolants et les couches métalliques conductrices. Le CVD est un processus polyvalent qui peut synthétiser des revêtements, des poudres, des fibres, des nanotubes et des composants monolithiques. Il est également capable de produire la plupart des métaux et alliages métalliques et leurs composés, semi-conducteurs et systèmes non métalliques. Le dépôt d'un solide sur une surface chauffée à partir d'une réaction chimique en phase vapeur caractérise le procédé CVD.

Quels sont les avantages d'un four tubulaire rotatif ?

Les avantages d'un four à tube rotatif comprennent une diffusion de gaz améliorée, une consommation de gaz réduite, une efficacité de traitement thermique accrue et une meilleure homogénéité du produit. Ces fours offrent un moyen efficace de transférer la chaleur sur une courte période et de traiter en continu des lots de matériaux. Les fours tubulaires rotatifs peuvent être conçus sur mesure pour des besoins spécifiques, notamment le contrôle de la température, la taille de l'espace de travail, le temps de séjour, la vitesse de rotation des tubes et le débit de l'atmosphère. Lors du choix d'un tube pour un four tubulaire rotatif, les points clés à prendre en compte incluent la vitesse de rotation, la quantité de matériau, le diamètre du tube, la longueur suspendue et l'épaisseur du tube.

Quelle est la fonction du four à tube rotatif?

La fonction d'un four tubulaire rotatif est de chauffer des matériaux en vrac pour un traitement physicochimique. Le four comporte un tube rotatif qui maintient l'échantillon et applique de la chaleur dans plusieurs zones de contrôle thermique. Les gaz de chauffage créés par la combustion du combustible s'écoulent vers l'échantillon à travers le four. Les fours tubulaires rotatifs sont utilisés pour la fabrication de matériaux tels que l'alumine, la vermiculite, les boulettes de minerai de fer et le clinker de ciment, ainsi que pour les processus d'oxydation et de calcination. Ces fours peuvent être en céramique, en quartz ou en alliage haute température et peuvent être construits avec une large plage de température pour diverses applications.

Quels sont les avantages du PECVD ?

Les principaux avantages du PECVD sont sa capacité à fonctionner à des températures de dépôt plus basses, offrant une meilleure conformité et une meilleure couverture des étapes sur des surfaces inégales, un contrôle plus strict du processus de couche mince et des taux de dépôt élevés. PECVD permet des applications réussies dans des situations où les températures CVD conventionnelles pourraient potentiellement endommager le dispositif ou le substrat en cours de revêtement. En fonctionnant à une température plus basse, le PECVD crée moins de contraintes entre les couches de film mince, permettant des performances électriques à haut rendement et une liaison à des normes très élevées.

Quel est l'avantage du système CVD ?

  • Une large gamme de films peut être produite, film métallique, film non métallique et film d'alliage multi-composants selon les besoins. En même temps, il peut préparer des cristaux de haute qualité difficiles à obtenir par d'autres méthodes, telles que GaN, BP, etc.
  • La vitesse de formation du film est rapide, généralement plusieurs microns par minute voire des centaines de microns par minute. Il est possible de déposer simultanément de grandes quantités de revêtements avec une composition uniforme, ce qui est incomparable aux autres méthodes de préparation de film, telles que l'épitaxie en phase liquide (LPE) et l'épitaxie par jet moléculaire (MBE).
  • Les conditions de travail sont réalisées dans des conditions de pression normale ou de vide faible, de sorte que le revêtement a une bonne diffraction et que les pièces aux formes complexes peuvent être uniformément revêtues, ce qui est bien supérieur au PVD.
  • En raison de la diffusion mutuelle du gaz de réaction, du produit de réaction et du substrat, un revêtement avec une bonne force d'adhérence peut être obtenu, ce qui est crucial pour la préparation de films renforcés en surface tels que des films résistants à l'usure et anti-corrosion.
  • Certains films se développent à une température bien inférieure au point de fusion du matériau du film. Dans des conditions de croissance à basse température, le gaz de réaction et la paroi du réacteur et les impuretés qu'ils contiennent ne réagissent presque pas, de sorte qu'un film de haute pureté et de bonne cristallinité peut être obtenu.
  • Le dépôt chimique en phase vapeur permet d'obtenir une surface de dépôt lisse. En effet, par rapport au LPE, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est effectué sous une saturation élevée, avec un taux de nucléation élevé, une densité de nucléation élevée et une distribution uniforme sur tout le plan, ce qui donne une surface lisse macroscopique. Dans le même temps, dans le dépôt chimique en phase vapeur, le libre parcours moyen des molécules (atomes) est beaucoup plus grand que le LPE, de sorte que la distribution spatiale des molécules est plus uniforme, ce qui favorise la formation d'une surface de dépôt lisse.
  • Faibles dommages causés par les radiations, condition nécessaire à la fabrication de semi-conducteurs à oxyde métallique (MOS) et d'autres dispositifs

Qu'est-ce que la technologie de dépôt en couche mince ?

La technologie de dépôt de couches minces est le processus d'application d'un film très mince de matériau, dont l'épaisseur varie de quelques nanomètres à 100 micromètres, sur une surface de substrat ou sur des revêtements préalablement déposés. Cette technologie est utilisée dans la production d'électronique moderne, y compris les semi-conducteurs, les dispositifs optiques, les panneaux solaires, les CD et les lecteurs de disque. Les deux grandes catégories de dépôt de couches minces sont le dépôt chimique, où un changement chimique produit un revêtement déposé chimiquement, et le dépôt physique en phase vapeur, où un matériau est libéré d'une source et déposé sur un substrat à l'aide de processus mécaniques, électromécaniques ou thermodynamiques.

Quels sont les matériaux utilisés dans le dépôt de couches minces ?

Le dépôt de couches minces utilise couramment des métaux, des oxydes et des composés comme matériaux, chacun avec ses avantages et ses inconvénients uniques. Les métaux sont préférés pour leur durabilité et leur facilité de dépôt mais sont relativement coûteux. Les oxydes sont très durables, peuvent résister à des températures élevées et peuvent se déposer à basse température, mais peuvent être cassants et difficiles à travailler. Les composés offrent résistance et durabilité, peuvent être déposés à basse température et adaptés pour présenter des propriétés spécifiques.

Le choix du matériau pour un revêtement en couche mince dépend des exigences de l'application. Les métaux sont idéaux pour la conduction thermique et électrique, tandis que les oxydes sont efficaces pour offrir une protection. Les composés peuvent être adaptés pour répondre à des besoins spécifiques. En fin de compte, le meilleur matériau pour un projet particulier dépendra des besoins spécifiques de l'application.

Quels sont les avantages de Mpcvd ?

Le MPCVD présente plusieurs avantages par rapport aux autres méthodes de production de diamants, tels qu'une pureté plus élevée, une consommation d'énergie moindre et la capacité de produire des diamants plus gros.

Quels sont les avantages du four à rotor ?

Les fours tubulaires rotatifs offrent plusieurs avantages par rapport aux procédés statiques. Le mouvement continu de l'échantillon garantit que toute la surface est exposée à l'atmosphère pendant le traitement, ce qui améliore la diffusion des gaz, réduit la consommation de gaz et augmente l'efficacité du traitement thermique. De plus, le matériau passe en continu dans un four chaud qui maintient un profil de température constant, améliorant ainsi l'homogénéité du produit. Les fours rotatifs offrent également des avantages significatifs en termes de débit et d'efficacité énergétique par rapport à d'autres formes d'équipements continus à haute température, ce qui en fait la technologie la plus récente pour le traitement à haute température des matériaux en poudre.

Quels sont les avantages des sources d'évaporation thermique ?

Les avantages des sources d'évaporation thermique comprennent des taux de dépôt élevés, une bonne direction, une excellente uniformité et une compatibilité avec divers matériaux. Elles sont également relativement simples et abordables, ce qui les rend adaptées à un large éventail d'applications dans le domaine du dépôt de couches minces.

Quels sont les différents types de méthode CVD ?

Les différents types de méthodes CVD comprennent le CVD à pression atmosphérique (APCVD), le CVD à basse pression (LPCVD), le CVD sous ultravide, le CVD supporté par des aérosols, le CVD à injection directe de liquide, le CVD à paroi chaude, le CVD à paroi froide, le CVD au plasma micro-ondes, le plasma- CVD amélioré (PECVD), CVD amélioré par plasma à distance, CVD amélioré par plasma à faible énergie, CVD à couche atomique, CVD par combustion et CVD à filament chaud. Ces méthodes diffèrent par le mécanisme par lequel les réactions chimiques sont déclenchées et les conditions opératoires.

Quels sont les avantages du four tubulaire rotatif ?

Les fours tubulaires rotatifs offrent un transfert de chaleur efficace sur une courte période, traitant en continu des lots de matériaux tout en minimisant la manipulation des matériaux. Le mouvement continu du four expose toute la surface de l'échantillon à l'atmosphère, améliorant la diffusion du gaz et réduisant la consommation de gaz pour augmenter l'efficacité du traitement thermique.

Quelle est la différence entre ALD et PECVD ?

L'ALD est un processus de dépôt de couches minces qui permet une résolution de l'épaisseur de la couche atomique, une excellente uniformité des surfaces à rapport hauteur/largeur élevé et des couches sans trous d'épingle. Ceci est réalisé par la formation continue de couches atomiques dans une réaction auto-limitante. Le PECVD, d'autre part, implique le mélange du matériau source avec un ou plusieurs précurseurs volatils à l'aide d'un plasma pour interagir chimiquement et décomposer le matériau source. Les processus utilisent de la chaleur avec des pressions plus élevées conduisant à un film plus reproductible où les épaisseurs de film pourraient être gérées par le temps/la puissance. Ces films sont plus stoechiométriques, plus denses et sont capables de produire des films isolants de meilleure qualité.

Que signifie PECVD ?

Le PECVD est une technologie qui utilise le plasma pour activer le gaz de réaction, favoriser la réaction chimique à la surface du substrat ou près de l'espace de surface et générer un film solide. Le principe de base de la technologie de dépôt chimique en phase vapeur par plasma est que, sous l'action d'un champ électrique RF ou CC, le gaz source est ionisé pour former un plasma, le plasma à basse température est utilisé comme source d'énergie, une quantité appropriée de gaz de réaction est introduit, et la décharge de plasma est utilisée pour activer le gaz de réaction et réaliser le dépôt chimique en phase vapeur.

Selon la méthode de génération de plasma, il peut être divisé en plasma RF, plasma DC et plasma micro-ondes CVD, etc.

Quelles sont les méthodes pour obtenir un dépôt optimal de couches minces ?

Pour obtenir des films minces aux propriétés souhaitables, des cibles de pulvérisation et des matériaux d'évaporation de haute qualité sont essentiels. La qualité de ces matériaux peut être influencée par divers facteurs, tels que la pureté, la granulométrie et l'état de surface.

La pureté des cibles de pulvérisation ou des matériaux d'évaporation joue un rôle crucial, car les impuretés peuvent provoquer des défauts dans le film mince résultant. La taille des grains affecte également la qualité du film mince, des grains plus gros entraînant de mauvaises propriétés du film. De plus, l'état de surface est crucial, car les surfaces rugueuses peuvent entraîner des défauts dans le film.

Pour atteindre des cibles de pulvérisation et des matériaux d'évaporation de la plus haute qualité, il est crucial de sélectionner des matériaux qui possèdent une grande pureté, une petite taille de grain et des surfaces lisses.

Utilisations du dépôt de couches minces

Films minces à base d'oxyde de zinc

Les couches minces de ZnO trouvent des applications dans plusieurs industries telles que la thermique, l'optique, le magnétique et l'électricité, mais leur utilisation principale est dans les revêtements et les dispositifs à semi-conducteurs.

Résistances à couches minces

Les résistances à couches minces sont cruciales pour la technologie moderne et sont utilisées dans les récepteurs radio, les circuits imprimés, les ordinateurs, les appareils à radiofréquence, les moniteurs, les routeurs sans fil, les modules Bluetooth et les récepteurs de téléphones portables.

Couches Minces Magnétiques

Les couches minces magnétiques sont utilisées dans l'électronique, le stockage de données, l'identification par radiofréquence, les dispositifs à micro-ondes, les écrans, les cartes de circuits imprimés et l'optoélectronique en tant que composants clés.

Couches minces optiques

Les revêtements optiques et l'optoélectronique sont des applications standard des couches minces optiques. L'épitaxie par faisceau moléculaire peut produire des dispositifs optoélectroniques à couches minces (semi-conducteurs), où les films épitaxiaux sont déposés un atome à la fois sur le substrat.

Films minces polymères

Les couches minces de polymère sont utilisées dans les puces de mémoire, les cellules solaires et les appareils électroniques. Les techniques de dépôt chimique (CVD) offrent un contrôle précis des revêtements de film polymère, y compris la conformité et l'épaisseur du revêtement.

Batteries à couches minces

Les batteries à couches minces alimentent les appareils électroniques tels que les dispositifs médicaux implantables, et la batterie lithium-ion a considérablement progressé grâce à l'utilisation de couches minces.

Revêtements à couche mince

Les revêtements en couches minces améliorent les caractéristiques chimiques et mécaniques des matériaux cibles dans diverses industries et domaines technologiques. Les revêtements antireflets, les revêtements anti-ultraviolets ou anti-infrarouges, les revêtements anti-rayures et la polarisation des lentilles en sont des exemples courants.

Cellules solaires à couche mince

Les cellules solaires à couches minces sont essentielles à l'industrie de l'énergie solaire, permettant la production d'électricité relativement bon marché et propre. Les systèmes photovoltaïques et l'énergie thermique sont les deux principales technologies applicables.

Les diamants CVD sont-ils vrais ou faux ?

Les diamants CVD sont de vrais diamants et non des faux. Ils sont cultivés en laboratoire par un procédé appelé dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Contrairement aux diamants naturels qui sont extraits sous la surface de la terre, les diamants CVD sont créés à l'aide d'une technologie de pointe dans des laboratoires. Ces diamants sont 100% carbone et sont la forme la plus pure de diamants connus sous le nom de diamants de type IIa. Ils ont les mêmes propriétés optiques, thermiques, physiques et chimiques que les diamants naturels. La seule différence est que les diamants CVD sont créés dans un laboratoire et non extraits de la terre.

Quelle est l'efficacité d'un four rotatif ?

Les fours tubulaires rotatifs sont très efficaces pour transférer la chaleur sur une courte période de temps tout en faisant fonctionner en continu des lots de matériaux. Ils minimisent également la manipulation des matériaux, ce qui les rend idéaux pour le traitement des poudres. KINTEK propose des fours tubulaires rotatifs conçus sur mesure qui peuvent être construits selon des exigences spécifiques pour un contrôle maximal de la température, la taille de l'espace de travail, le temps de séjour, le taux de rotation du tube, l'angle d'inclinaison du tube, le profil de température, le débit d'atmosphère, la profondeur du lit de poudre et le débit d'alimentation. Lors du choix d'un tube pour le four, les considérations clés incluent la vitesse de rotation, la quantité de matériau, le diamètre du tube, la longueur suspendue et l'épaisseur du tube. Le choix du matériau du tube doit également être basé sur les applications potentielles.

Quelles sont les applications des sources d'évaporation thermique ?

Les sources d'évaporation thermique sont utilisées dans diverses applications telles que la production de revêtements optiques, de dispositifs semi-conducteurs et de divers types de couches minces. Elles sont particulièrement utiles dans les industries qui exigent un contrôle précis du dépôt de matériaux sur des substrats.

Quelle est la différence entre le PECVD et la pulvérisation ?

La PECVD et la pulvérisation sont toutes deux des techniques de dépôt physique en phase vapeur utilisées pour le dépôt de couches minces. Le PECVD est un procédé diffusif à gaz qui produit des films minces de très haute qualité tandis que la pulvérisation cathodique est un dépôt en ligne de mire. Le PECVD permet une meilleure couverture sur les surfaces inégales telles que les tranchées, les murs et une conformité élevée et peut produire des composés et des films uniques. D'autre part, la pulvérisation cathodique est bonne pour le dépôt de fines couches de plusieurs matériaux, idéales pour créer des systèmes de revêtement multicouches et multigradués. Le PECVD est principalement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs, les domaines tribologiques, optiques et biomédicaux, tandis que la pulvérisation cathodique est principalement utilisée pour les matériaux diélectriques et les applications tribologiques.

Quelle est la différence entre CVD et PECVD ?

La différence entre la technologie PECVD et la technologie CVD traditionnelle est que le plasma contient un grand nombre d'électrons à haute énergie, qui peuvent fournir l'énergie d'activation requise dans le processus de dépôt chimique en phase vapeur, modifiant ainsi le mode d'alimentation en énergie du système de réaction. Étant donné que la température des électrons dans le plasma est aussi élevée que 10000K, la collision entre les électrons et les molécules de gaz peut favoriser la rupture de la liaison chimique et la recombinaison des molécules de gaz de réaction pour générer des groupes chimiques plus actifs, tandis que l'ensemble du système de réaction maintient une température plus basse.

Ainsi, par rapport au processus CVD, le PECVD peut effectuer le même processus de dépôt chimique en phase vapeur avec une température plus basse.

Facteurs et paramètres qui influencent le dépôt de couches minces

Taux de dépôt :

La vitesse à laquelle le film est produit, généralement mesurée en épaisseur divisée par le temps, est cruciale pour sélectionner une technologie adaptée à l'application. Des taux de dépôt modérés sont suffisants pour les films minces, tandis que des taux de dépôt rapides sont nécessaires pour les films épais. Il est important de trouver un équilibre entre la vitesse et le contrôle précis de l'épaisseur du film.

Uniformité:

La consistance du film à travers le substrat est connue sous le nom d'uniformité, qui fait généralement référence à l'épaisseur du film, mais peut également être liée à d'autres propriétés telles que l'indice de réfraction. Il est important d'avoir une bonne compréhension de l'application pour éviter de sous-spécifier ou de sur-spécifier l'uniformité.

Capacité de remplissage :

La capacité de remplissage ou la couverture des étapes fait référence à la façon dont le processus de dépôt couvre la topographie du substrat. La méthode de dépôt utilisée (par exemple, CVD, PVD, IBD ou ALD) a un impact significatif sur la couverture et le remplissage des étapes.

Caractéristiques du film :

Les caractéristiques du film dépendent des exigences de l'application, qui peuvent être classées comme photoniques, optiques, électroniques, mécaniques ou chimiques. La plupart des films doivent satisfaire aux exigences dans plus d'une catégorie.

Température de processus :

Les caractéristiques du film sont considérablement affectées par la température du procédé, qui peut être limitée par l'application.

Dommage:

Chaque technologie de dépôt a le potentiel d'endommager le matériau sur lequel elle est déposée, les éléments plus petits étant plus susceptibles d'être endommagés par le processus. La pollution, le rayonnement UV et le bombardement ionique font partie des sources potentielles de dommages. Il est crucial de comprendre les limites des matériaux et des outils.

Voir plus de FAQ pour ce produit

4.8

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I'm amazed by how well this PECVD machine works. It truly lives up to its promises.

Arnie Halvorsen

4.7

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5

The rotary design allows for uniform heating and mixing of materials, leading to consistent results.

Olav Rønning

4.9

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5

The plasma generator boosts reaction efficiency and reduces processing temperatures, making it an efficient choice.

Ramiro Amezcua

4.6

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5

The variable-diameter furnace tube design ensures proper mixing and optimal heating effects.

Søren Nystrøm

4.8

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5

The three-way mass flow meter and gas mixing device offer precise control over the process atmosphere.

Jón Halldórsson

4.7

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5

The high-performance mechanical pump facilitates rapid evacuation of the furnace tube, speeding up the process.

Atli Valdimarsson

4.9

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5

The continuous coating and modification of powder materials using the CVD method is a game-changer.

Stefan Erfurth

4.6

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5

The user-friendly interface and remote control capabilities make operation a breeze.

Helga Rönningsdóttir

4.8

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5

The safety features, like over current protection and temperature alarming, ensure peace of mind during operation.

Hermann Lindström

4.7

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5

The automatic matching RF plasma source simplifies setup and ensures stable output power.

Jósef Ðurčík

4.9

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5

The furnace chamber's sliding system enables fast heating and cooling, enhancing productivity.

Jón Þorleifsson

4.6

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5

The high-accuracy MFC mass flowmeter ensures precise control of source gases, leading to consistent results.

Milena Schäfer

4.8

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5

The stainless steel vacuum flange with adaptable ports allows for easy integration with different vacuum pump stations.

Hrafnhildur Björnsdóttir

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