Four CVD & PECVD
Four tubulaire CVD à chambre divisée avec machine CVD à station de vide
Numéro d'article : KT-CTF12
Le prix varie en fonction de Spécifications et personnalisations
- Température maximale
- 1200 ℃
- Température de travail constante
- 1100 ℃
- Diamètre du tube du four
- 60 mm
- Longueur de la zone de chauffage
- 1x450 mm
- Vitesse de chauffe
- 0-20 ℃/min
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Le four tubulaire CVD à chambre divisée avec station de vide est un équipement de laboratoire polyvalent et performant conçu pour les applications de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Il est doté d'une chambre de four divisée qui permet d'accéder facilement aux échantillons de réaction et de les refroidir rapidement. Le tube du four est en quartz haute température et a un diamètre de 60 mm. Le système comprend un débitmètre massique MFC à 4 canaux avec des gaz sources CH4, H2, O2 et N2, permettant un contrôle précis des débits de gaz. La station de vide est équipée d'une pompe à vide à palettes 4L/S, qui permet d'atteindre une pression de vide maximale de 10 Pa. Grâce à ses caractéristiques et capacités avancées, le four tubulaire CVD à chambre divisée avec station de vide est un choix idéal pour diverses applications de recherche et développement dans les domaines de la science des matériaux, du traitement des semi-conducteurs et d'autres domaines.
Détail&Pièces
Applications
Le four CVD à chambre divisée avec station de vide est un équipement polyvalent et avancé conçu pour une variété d'applications dans les domaines de la science des matériaux, de la fabrication de semi-conducteurs et de la recherche et du développement. Cette machine est particulièrement utile pour les procédés qui nécessitent un contrôle précis de la température, du débit de gaz et des niveaux de vide, ce qui en fait un outil essentiel pour la synthèse et le traitement de matériaux de haute qualité.
- Synthèse de nanomatériaux : Le four est idéal pour la croissance de nanofils, de nanofilms et d'autres matériaux nanostructurés, qui sont essentiels au développement de dispositifs électroniques et optoélectroniques avancés.
- Enduction sous vide : Il est largement utilisé pour le dépôt de films minces sur divers substrats, notamment des films métalliques, des films céramiques et des films composites, qui sont essentiels pour améliorer les propriétés des matériaux dans des applications telles que l'optique et l'électronique.
- Traitement des matériaux de batteries : Le four est adapté au séchage et au frittage des matériaux de batteries, qui constituent une étape critique dans la production de batteries de haute performance.
- Séchage et frittage de matériaux : Il est utilisé pour le frittage à haute température des céramiques, des matériaux réfractaires et des matériaux spéciaux, assurant la consolidation et la densification de ces matériaux.
- Traitement thermique sous atmosphère et sous vide : La configuration du four tubulaire vertical permet la trempe, le recuit et le revenu de petites pièces d'acier, ainsi que le revêtement CVD vertical, ce qui en fait un atout précieux dans les processus métallurgiques.
- Recherche et développement : Ce four est largement utilisé dans les universités, les instituts de recherche et les entreprises industrielles et minières pour mener des expériences à haute température, des expériences de frittage sous atmosphère, des expériences sous atmosphère réductrice et des expériences CVD/CVI, contribuant ainsi au progrès de la science et de la technologie des matériaux.
Caractéristiques
Le four tubulaire CVD à chambre divisée avec station de vide est un équipement sophistiqué conçu pour les processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) avancés. Ce four intègre une technologie de pointe pour améliorer l'efficacité et la qualité du dépôt de film, ce qui le rend idéal pour la recherche et les applications industrielles. Voici les principales caractéristiques et leurs avantages :
- Taux de dépôt de film élevé : Grâce à la technologie de l'incandescence par radiofréquence, ce four augmente considérablement la vitesse de dépôt des films, qui peut atteindre 10Å/S. Cette rapidité de dépôt est essentielle pour les applications de haute technologie. Ce dépôt rapide est essentiel pour la production et la recherche à haut débit, permettant de gagner du temps et d'augmenter la productivité.
- Uniformité sur une grande surface : Grâce à la technologie avancée d'alimentation RF multipoint et à la distribution spécialisée des gaz, le four garantit une uniformité du film pouvant atteindre 8 %. Cette uniformité est essentielle pour créer des revêtements cohérents et de haute qualité sur de grands substrats, améliorant ainsi la fiabilité des matériaux produits.
- Dépôt cohérent : La conception intègre des concepts avancés de l'industrie des semi-conducteurs, ce qui se traduit par un écart de moins de 2 % entre les substrats. Ce haut niveau de cohérence est essentiel pour les applications qui exigent des résultats précis et reproductibles, par exemple dans la production de composants électroniques.
- Contrôle stable du processus : La grande stabilité de l'équipement garantit la continuité et la cohérence du processus CVD. Cette fiabilité est essentielle pour maintenir l'intégrité du procédé et réduire le risque de défauts ou de défaillances en cours de fonctionnement.
- Système de contrôle intelligent : Breveté par Bonage, le système de contrôle intégré comprend un système de contrôle de la température très performant qui utilise un mécanisme de rétroaction négative en boucle fermée. Ce système, associé à des composants électriques importés de haute qualité, améliore les performances globales et la fiabilité de l'équipement, qui ne nécessite pratiquement pas d'entretien.
- Applications polyvalentes : Adapté au dépôt de divers types de films, y compris les films métalliques, céramiques et composites, le four prend en charge les processus de croissance continue et peut être facilement complété par des fonctions supplémentaires telles que le nettoyage et la gravure au plasma. Cette polyvalence en fait un atout précieux pour répondre aux divers besoins de la recherche et de la production.
Principe
Le four tubulaire CVD à chambre divisée avec station de vide est un four sous vide à haute température utilisé pour les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Le dépôt en phase vapeur est un procédé dans lequel un film mince de matériau est déposé sur un substrat par la réaction chimique d'un gaz ou d'une vapeur. Le four tubulaire CVD à chambre divisée avec station de vide utilise une chambre de four divisée pour faciliter l'accès au substrat pendant le processus CVD. La station de vide est utilisée pour créer un vide dans la chambre du four, ce qui permet d'éliminer les impuretés et d'améliorer la qualité du film déposé.
Avantages
- Observation intuitive de l'échantillon et refroidissement rapide : La chambre du four divisée permet une observation directe des échantillons de réaction et un refroidissement rapide.
- Capacité de température élevée : Température de travail maximale de 1200℃ pour des applications polyvalentes.
- Contrôle précis des gaz : le débitmètre massique MFC à 4 canaux avec sources CH4, H2, O2 et N2 assure une alimentation en gaz précise et stable.
- Compatibilité avec le vide : La station de vide avec une pompe à vide à palettes 4L/S atteint une pression de vide maximale de 10Pa, permettant divers processus sous vide.
- Chauffage et refroidissement à grande vitesse : Le système de glissement de la chambre du four facilite le chauffage et le refroidissement rapides pour un traitement efficace des échantillons.
- Contrôle avancé de la température : Contrôle de la température programmable PID avec une excellente précision, un contrôle à distance et des capacités de contrôle centralisé.
- Interface conviviale : Le contrôleur CTF Pro, doté d'un écran tactile TFT de 7 pouces, permet un réglage intuitif des programmes et une analyse des données.
- Configuration polyvalente du vide : La bride de vide en acier inoxydable avec ports adaptables s'adapte à différentes stations de pompes à vide pour des environnements de vide personnalisés.
- Efficacité énergétique : Le système de refroidissement à l'eau et la conception de l'écoulement des gaz minimisent la consommation d'énergie.
- Vaste champ d'application : Convient pour le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), la diffusion et d'autres traitements thermiques sous vide et protection atmosphérique.
Avantage de la sécurité
- Le four tubulaire Kindle Tech possède une protection contre les surintensités et une fonction d'alarme en cas de surchauffe, le four s'éteint automatiquement.
- Le four est équipé d'une fonction de détection de couple thermique, le four arrêtera de chauffer et l'alarme se déclenchera dès qu'une panne ou une défaillance sera détectée.
- KT-CTF12 Pro prend en charge la fonction de redémarrage en cas de panne de courant, le four reprend le programme de chauffage lorsque le courant est rétabli après une panne.
Caractéristiques techniques
| Modèle du four | KT-CTF12-60 |
|---|---|
| Température maximale | 1200℃ |
| Température de travail constante | 1100℃ |
| Matériau du tube du four | Quartz de haute pureté |
| Diamètre du tube du four | 60 mm |
| Longueur de la zone de chauffage | 1x450mm |
| Matériau de la chambre | Fibre d'alumine japonaise |
| Élément chauffant | Bobine de fil Cr2Al2Mo2 |
| Vitesse de chauffe | 0-20℃/min |
| Couple thermique | Type K intégré |
| Contrôleur de température | Régulateur PID numérique/écran tactile |
| Précision du contrôle de la température | ±1℃ |
| Distance de glissement | 600 mm |
| Unité de contrôle précis du gaz | |
| Débitmètre | Débitmètre massique MFC |
| Canaux de gaz | 4 canaux |
| Débit | MFC1 : 0-5SCCM O2 MFC2 : 0-20SCMCH4 MFC3 : 0- 100SCCM H2 MFC4 : 0-500 SCCM N2 |
| Linéarité | ±0,5 % DE L'E.M. |
| Répétabilité | ±0,2 % DE L'E.M. |
| Tuyau et vanne | Acier inoxydable |
| Pression de fonctionnement maximale | 0,45 MPa |
| Contrôleur de débitmètre | Contrôleur numérique à bouton/écran tactile |
| Unité de vide standard (en option) | |
| Pompe à vide | Pompe à vide à palettes |
| Débit de la pompe | 4L/S |
| Orifice d'aspiration du vide | KF25 |
| Jauge à vide | Jauge à vide Pirani/Résistance en silicone |
| Pression nominale du vide | 10Pa |
| Unité de vide poussé (en option) | |
| Pompe à vide | Pompe à palettes+pompe moléculaire |
| Débit de la pompe | 4L/S+110L/S |
| Port d'aspiration du vide | KF25 |
| Jauge à vide | Jauge à vide composée |
| Pression nominale du vide | 6x10-5Pa |
| Les spécifications et configurations ci-dessus peuvent être personnalisées. | |
Paquet standard
| Non. | Description | Quantité |
|---|---|---|
| 1 | Fourneau | 1 |
| 2 | Tube de quartz | 1 |
| 3 | Bride à vide | 2 |
| 4 | Bloc thermique du tube | 2 |
| 5 | Crochet du bloc thermique du tube | 1 |
| 6 | Gant résistant à la chaleur | 1 |
| 7 | Contrôle précis du gaz | 1 |
| 8 | Unité de vide | 1 |
| 9 | Manuel d'utilisation | 1 |
Configuration en option
- Détection et surveillance des gaz dans le tube, comme H2, O2, etc.
- Surveillance et enregistrement indépendants de la température du four
- Port de communication RS 485 pour le contrôle à distance par PC et l'exportation de données
- Contrôle du débit d'alimentation des gaz insérés, comme le débitmètre massique et le débitmètre à flotteur
- Contrôleur de température à écran tactile avec des fonctions polyvalentes et conviviales pour l'opérateur
- Installation d'une station de pompage à vide poussé, comme une pompe à vide à palettes, une pompe moléculaire, une pompe à diffusion.
Avertissements
La sécurité des opérateurs est la question la plus importante ! Veuillez faire fonctionner l'équipement avec des précautions. Travailler avec des gaz inflammables, explosifs ou toxiques est très dangereux, les opérateurs doivent prendre toutes les précautions nécessaires avant de démarrer le équipement. Travailler en pression positive à l’intérieur des réacteurs ou des chambres est dangereux, l'opérateur doit suivre strictement les procédures de sécurité. Supplémentaire des précautions doivent également être prises lors de l'utilisation de matériaux réactifs à l'air, surtout sous vide. Une fuite peut aspirer de l'air dans l'appareil et provoquer un une réaction violente se produit.
Conçu pour vous
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FAQ
Qu'est-ce qu'un four CVD ?
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une technologie qui utilise diverses sources d'énergie telles que le chauffage, l'excitation du plasma ou le rayonnement lumineux pour faire réagir chimiquement des substances chimiques gazeuses ou en phase vapeur sur la phase gazeuse ou l'interface gaz-solide pour former des dépôts solides dans le réacteur au moyen de réaction chimique. Pour le dire simplement, deux ou plusieurs matières premières gazeuses sont introduites dans une chambre de réaction, puis elles réagissent l'une avec l'autre pour former un nouveau matériau et le déposer sur la surface du substrat.
Le four CVD est un système de four combiné avec une unité de four tubulaire à haute température, une unité de contrôle des gaz et une unité de vide, il est largement utilisé pour l'expérimentation et la production de préparation de matériaux composites, de processus microélectronique, d'optoélectronique semi-conducteur, d'utilisation de l'énergie solaire, de communication par fibre optique, supraconducteur technologie, domaine des revêtements de protection.
Qu'est-ce qu'une presse de laboratoire ?
Comment fonctionne le four CVD ?
Le système de four CVD se compose d'une unité de four tubulaire à haute température, d'une unité de contrôle précise de la source de gaz réactif, d'une station de pompe à vide et des pièces d'assemblage correspondantes.
La pompe à vide consiste à éliminer l'air du tube de réaction et à s'assurer qu'il n'y a pas de gaz indésirables à l'intérieur du tube de réaction, après quoi le four tubulaire chauffera le tube de réaction à une température cible, puis l'unité de contrôle précise de la source de gaz de réaction peut introduire différents gaz avec un rapport défini dans le tube du four pour la réaction chimique, le dépôt chimique en phase vapeur sera formé dans le four CVD.
Qu'est-ce que la méthode PECVD ?
Qu'est-ce que Mpcvd ?
Qu'est-ce que le PECVD RF ?
Quelles sont les méthodes utilisées pour déposer des couches minces ?
A quoi sert une presse hydraulique en laboratoire ?
Quel gaz est utilisé dans le procédé CVD ?
Il existe d'énormes sources de gaz pouvant être utilisées dans le processus CVD, les réactions chimiques courantes de CVD comprennent la pyrolyse, la photolyse, la réduction, l'oxydation, le redox, de sorte que les gaz impliqués dans ces réactions chimiques peuvent être utilisés dans le processus CVD.
Nous prenons la croissance du graphène CVD par exemple, les gaz utilisés dans le processus CVD seront CH4, H2, O2 et N2.
A quoi sert le PECVD ?
Quel est le principe de base du CVD ?
Qu'est-ce qu'une machine Mpcvd ?
Le PACVD est-il le PECVD ?
Qu'est-ce qu'un équipement de dépôt de couches minces ?
Quels sont les différents types de presses de laboratoire ?
Quel est l'avantage du système CVD ?
- Une large gamme de films peut être produite, film métallique, film non métallique et film d'alliage multi-composants selon les besoins. En même temps, il peut préparer des cristaux de haute qualité difficiles à obtenir par d'autres méthodes, telles que GaN, BP, etc.
- La vitesse de formation du film est rapide, généralement plusieurs microns par minute voire des centaines de microns par minute. Il est possible de déposer simultanément de grandes quantités de revêtements avec une composition uniforme, ce qui est incomparable aux autres méthodes de préparation de film, telles que l'épitaxie en phase liquide (LPE) et l'épitaxie par jet moléculaire (MBE).
- Les conditions de travail sont réalisées dans des conditions de pression normale ou de vide faible, de sorte que le revêtement a une bonne diffraction et que les pièces aux formes complexes peuvent être uniformément revêtues, ce qui est bien supérieur au PVD.
- En raison de la diffusion mutuelle du gaz de réaction, du produit de réaction et du substrat, un revêtement avec une bonne force d'adhérence peut être obtenu, ce qui est crucial pour la préparation de films renforcés en surface tels que des films résistants à l'usure et anti-corrosion.
- Certains films se développent à une température bien inférieure au point de fusion du matériau du film. Dans des conditions de croissance à basse température, le gaz de réaction et la paroi du réacteur et les impuretés qu'ils contiennent ne réagissent presque pas, de sorte qu'un film de haute pureté et de bonne cristallinité peut être obtenu.
- Le dépôt chimique en phase vapeur permet d'obtenir une surface de dépôt lisse. En effet, par rapport au LPE, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est effectué sous une saturation élevée, avec un taux de nucléation élevé, une densité de nucléation élevée et une distribution uniforme sur tout le plan, ce qui donne une surface lisse macroscopique. Dans le même temps, dans le dépôt chimique en phase vapeur, le libre parcours moyen des molécules (atomes) est beaucoup plus grand que le LPE, de sorte que la distribution spatiale des molécules est plus uniforme, ce qui favorise la formation d'une surface de dépôt lisse.
- Faibles dommages causés par les radiations, condition nécessaire à la fabrication de semi-conducteurs à oxyde métallique (MOS) et d'autres dispositifs
Quels sont les avantages du PECVD ?
Quels sont les différents types de méthode CVD ?
Quels sont les avantages de Mpcvd ?
Qu'est-ce que la technologie de dépôt en couche mince ?
Que signifie PECVD ?
Le PECVD est une technologie qui utilise le plasma pour activer le gaz de réaction, favoriser la réaction chimique à la surface du substrat ou près de l'espace de surface et générer un film solide. Le principe de base de la technologie de dépôt chimique en phase vapeur par plasma est que, sous l'action d'un champ électrique RF ou CC, le gaz source est ionisé pour former un plasma, le plasma à basse température est utilisé comme source d'énergie, une quantité appropriée de gaz de réaction est introduit, et la décharge de plasma est utilisée pour activer le gaz de réaction et réaliser le dépôt chimique en phase vapeur.
Selon la méthode de génération de plasma, il peut être divisé en plasma RF, plasma DC et plasma micro-ondes CVD, etc.
Quelle est la différence entre ALD et PECVD ?
Les diamants CVD sont-ils vrais ou faux ?
Quelle est la différence entre CVD et PECVD ?
La différence entre la technologie PECVD et la technologie CVD traditionnelle est que le plasma contient un grand nombre d'électrons à haute énergie, qui peuvent fournir l'énergie d'activation requise dans le processus de dépôt chimique en phase vapeur, modifiant ainsi le mode d'alimentation en énergie du système de réaction. Étant donné que la température des électrons dans le plasma est aussi élevée que 10000K, la collision entre les électrons et les molécules de gaz peut favoriser la rupture de la liaison chimique et la recombinaison des molécules de gaz de réaction pour générer des groupes chimiques plus actifs, tandis que l'ensemble du système de réaction maintient une température plus basse.
Ainsi, par rapport au processus CVD, le PECVD peut effectuer le même processus de dépôt chimique en phase vapeur avec une température plus basse.
Quelle est la différence entre le PECVD et la pulvérisation ?
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