Four CVD & PECVD
Four tubulaire CVD à chambre divisée avec station de vide, équipement de dépôt chimique en phase vapeur
Numéro d'article : KT-CTF12
Le prix varie en fonction de Spécifications et personnalisations
- Température maximale
- 1200 ℃
- Température de travail constante
- 1100 ℃
- Diamètre du tube du four
- 60 mm
- Longueur de la zone de chauffage
- 1x450 mm
- Vitesse de chauffage
- 0-20 ℃/min
Livraison:
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Introduction
Le four tubulaire CVD à chambre divisée avec station de vide est un équipement de laboratoire polyvalent et performant conçu pour les applications de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Il est doté d'une chambre de four divisée qui permet un accès facile aux échantillons de réaction et un refroidissement rapide. Le tube du four est en quartz haute température et a un diamètre de 60 mm. Le système comprend un débitmètre massique MFC à 4 canaux avec des gaz sources CH4, H2, O2 et N2, offrant un contrôle précis des débits de gaz. La station de vide est équipée d'une pompe à vide à palettes de 4 L/s, atteignant une pression de vide maximale de 10 Pa. Avec ses caractéristiques et capacités avancées, le four tubulaire CVD à chambre divisée avec station de vide est un choix idéal pour diverses applications de recherche et développement en science des matériaux, en traitement des semi-conducteurs et dans d'autres domaines.
Détails et pièces
Applications
La machine CVD à four tubulaire CVD à chambre divisée avec station de vide est un équipement polyvalent et avancé conçu pour une variété d'applications dans les domaines de la science des matériaux, de la fabrication de semi-conducteurs, de la recherche et du développement. Cette machine est particulièrement utile pour les processus qui nécessitent un contrôle précis de la température, du débit de gaz et des niveaux de vide, ce qui en fait un outil essentiel pour la synthèse et le traitement de matériaux de haute qualité.
- Synthèse de nanomatériaux : Le four est idéal pour la croissance de nanofils, de nanofilms et d'autres matériaux nanostructurés, qui sont cruciaux dans le développement de dispositifs électroniques et optoélectroniques avancés.
- Revêtement sous vide : Il est largement utilisé pour le dépôt de couches minces sur divers substrats, y compris les couches métalliques, céramiques et composites, qui sont essentielles pour améliorer les propriétés des matériaux dans des applications telles que l'optique et l'électronique.
- Traitement des matériaux de batterie : Le four convient au séchage et au frittage des matériaux de batterie, ce qui est une étape critique dans la production de batteries haute performance.
- Séchage et frittage des matériaux : Il est utilisé pour le frittage à haute température des céramiques, des matériaux réfractaires et des matériaux spéciaux, assurant la consolidation et la densification de ces matériaux.
- Traitement thermique sous atmosphère et sous vide : La configuration du four tubulaire vertical permet la trempe, le recuit et le revenu de petites pièces en acier, ainsi que le revêtement CVD vertical, ce qui en fait un atout précieux dans les processus métallurgiques.
- Recherche et développement : Il est largement utilisé dans les universités, les instituts de recherche et les entreprises industrielles et minières pour mener des expériences à haute température, le frittage sous atmosphère, l'atmosphère réductrice et les expériences CVD/CVI, contribuant ainsi à l'avancement de la science et de la technologie des matériaux.
Caractéristiques
La machine CVD à four tubulaire CVD à chambre divisée avec station de vide est un équipement sophistiqué conçu pour les processus avancés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ce four intègre une technologie de pointe pour améliorer l'efficacité et la qualité du dépôt de couches minces, ce qui le rend idéal pour la recherche et les applications industrielles. Voici les caractéristiques clés et leurs avantages :
- Taux de dépôt de couches élevé : Grâce à la technologie de décharge luminescente à radiofréquence, ce four augmente considérablement le taux de dépôt de couches, atteignant jusqu'à 10 Å/S. Ce dépôt rapide est crucial pour la production et la recherche à haut débit, permettant de gagner du temps et d'accroître la productivité.
- Uniformité sur grande surface : Avec une technologie avancée d'alimentation RF multipoint et une distribution spécialisée du trajet du gaz, le four assure une uniformité de couche allant jusqu'à 8 %. Cette uniformité est essentielle pour créer des revêtements cohérents et de haute qualité sur de grands substrats, améliorant la fiabilité des matériaux produits.
- Dépôt cohérent : La conception intègre des concepts avancés de l'industrie des semi-conducteurs, résultant en un écart de moins de 2 % entre les substrats. Ce haut niveau de cohérence est essentiel pour les applications nécessitant des résultats précis et répétables, comme dans la production de composants électroniques.
- Contrôle de processus stable : La haute stabilité de l'équipement garantit la continuité et la cohérence du processus CVD. Cette fiabilité est essentielle pour maintenir l'intégrité du processus et réduire le risque de défauts ou de pannes pendant le fonctionnement.
- Système de contrôle intelligent : Breveté par Bonage, le système de contrôle intégré comprend un système de contrôle de température haute performance qui utilise un mécanisme de rétroaction négative en boucle fermée. Ce système, combiné à des composants électriques importés de haute qualité, améliore les performances globales et la fiabilité de l'équipement, le rendant pratiquement sans entretien.
- Applications polyvalentes : Convient au dépôt de divers types de couches minces, y compris les couches métalliques, céramiques et composites, le four prend en charge les processus de croissance continue et peut être facilement étendu avec des fonctions supplémentaires telles que le nettoyage et la gravure par plasma. Cette polyvalence en fait un atout précieux pour divers besoins de recherche et de production.
Principe
La machine CVD à four tubulaire CVD à chambre divisée avec station de vide est un four à vide haute température utilisé pour les processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Le CVD est un processus dans lequel une couche mince de matériau est déposée sur un substrat par la réaction chimique d'un gaz ou d'une vapeur. La machine CVD à four tubulaire CVD à chambre divisée avec station de vide utilise une chambre de four divisée pour permettre un accès facile au substrat pendant le processus CVD. La station de vide est utilisée pour créer un vide dans la chambre du four, ce qui aide à éliminer les impuretés et à améliorer la qualité de la couche déposée.
Avantages
- Observation intuitive des échantillons et refroidissement rapide : la chambre de four divisée permet une observation directe des échantillons de réaction et un refroidissement rapide.
- Capacité haute température : température de travail maximale jusqu'à 1200℃ pour des applications polyvalentes.
- Contrôle précis des gaz : débitmètre massique MFC à 4 canaux avec sources CH4, H2, O2 et N2 assurant une alimentation en gaz précise et stable.
- Compatibilité sous vide : la station de vide avec une pompe à vide à palettes de 4 L/s atteint une pression de vide maximale de 10 Pa, permettant divers processus sous vide.
- Chauffage et refroidissement à haute vitesse : le système de glissement de la chambre du four facilite le chauffage et le refroidissement rapides pour un traitement efficace des échantillons.
- Contrôle avancé de la température : contrôle de température programmable PID avec une excellente précision, contrôle à distance et capacités de contrôle centralisé.
- Interface conviviale : le contrôleur CTF Pro avec un écran tactile TFT de 7 pouces offre un réglage intuitif des programmes et une analyse des données.
- Configuration de vide polyvalente : la bride de vide en acier inoxydable avec des ports adaptables accueille différentes stations de pompe à vide pour des environnements de vide personnalisés.
- Efficacité énergétique : le système de refroidissement par eau et la conception du post-flux de gaz minimisent la consommation d'énergie.
- Large applicabilité : convient pour le CVD, la diffusion et d'autres traitements thermiques sous vide et sous protection atmosphérique.
Avantage de sécurité
- Le four tubulaire Kindle Tech possède une protection contre les surintensités et une fonction d'alarme de surchauffe, le four coupera automatiquement l'alimentation.
- Fonction de détection de thermocouple intégrée au four, le four arrêtera le chauffage et l'alarme s'activera une fois la rupture ou la défaillance détectée.
- Le KT-CTF12 Pro prend en charge la fonction de redémarrage après panne de courant, le four reprendra le programme de chauffage du four lorsque l'alimentation sera rétablie après une panne.
Spécifications techniques
| Modèle de four | KT-CTF12-60 |
|---|---|
| Température max. | 1200℃ |
| Température de travail constante | 1100℃ |
| Matériau du tube de four | Quartz de haute pureté |
| Diamètre du tube de four | 60mm |
| Longueur de la zone de chauffage | 1x450mm |
| Matériau de la chambre | Fibre d'alumine du Japon |
| Élément chauffant | Bobine de fil Cr2Al2Mo2 |
| Vitesse de chauffage | 0-20℃/min |
| Thermocouple | Type K intégré |
| Contrôleur de température | Contrôleur numérique PID / Contrôleur à écran tactile PID |
| Précision du contrôle de température | ±1℃ |
| Distance de glissement | 600mm |
| Unité de contrôle précise des gaz | |
| Débitmètre | Débitmètre massique MFC |
| Canaux de gaz | 4 canaux |
| Débit | MFC1 : 0-5 SCCM O2 MFC2 : 0-20 SCCM CH4 MFC3 : 0-100 SCCM H2 MFC4 : 0-500 SCCM N2 |
| Linéarité | ±0,5 % F.S. |
| Répétabilité | ±0,2 % F.S. |
| Tuyauterie et vanne | Acier inoxydable |
| Pression de fonctionnement maximale | 0,45 MPa |
| Contrôleur de débitmètre | Contrôleur à bouton numérique / Contrôleur à écran tactile |
| Unité de vide standard (en option) | |
| Pompe à vide | Pompe à vide à palettes |
| Débit de la pompe | 4 L/S |
| Orifice d'aspiration sous vide | KF25 |
| Manomètre à vide | Manomètre à vide Pirani/Résistance silicium |
| Pression de vide nominale | 10 Pa |
| Unité de vide poussé (en option) | |
| Pompe à vide | Pompe à palettes + Pompe moléculaire |
| Débit de la pompe | 4 L/S + 110 L/S |
| Orifice d'aspiration sous vide | KF25 |
| Manomètre à vide | Manomètre à vide composé |
| Pression de vide nominale | 6x10-5 Pa |
| Les spécifications et configurations ci-dessus peuvent être personnalisées | |
Colis standard
| N° | Description | Quantité |
|---|---|---|
| 1 | Four | 1 |
| 2 | Tube en quartz | 1 |
| 3 | Bride de vide | 2 |
| 4 | Bloc thermique de tube | 2 |
| 5 | Crochet de bloc thermique de tube | 1 |
| 6 | Gant résistant à la chaleur | 1 |
| 7 | Contrôle précis des gaz | 1 |
| 8 | Unité de vide | 1 |
| 9 | Manuel d'utilisation | 1 |
Configuration optionnelle
- Détection et surveillance des gaz dans le tube, comme H2, O2, etc.
- Surveillance et enregistrement indépendants de la température du four
- Port de communication RS 485 pour le contrôle à distance par PC et l'exportation de données
- Contrôle du débit d'alimentation des gaz d'insertion, comme le débitmètre massique et le débitmètre à flotteur
- Contrôleur de température à écran tactile avec des fonctions conviviales polyvalentes
- Configurations de station de pompe à vide poussé, comme pompe à vide à palettes, pompe moléculaire, pompe à diffusion
Avertissements
La sécurité des opérateurs est la question la plus importante ! Veuillez faire fonctionner l'équipement avec des précautions. Travailler avec des gaz inflammables, explosifs ou toxiques est très dangereux, les opérateurs doivent prendre toutes les précautions nécessaires avant de démarrer le équipement. Travailler en pression positive à l’intérieur des réacteurs ou des chambres est dangereux, l'opérateur doit suivre strictement les procédures de sécurité. Supplémentaire des précautions doivent également être prises lors de l'utilisation de matériaux réactifs à l'air, surtout sous vide. Une fuite peut aspirer de l'air dans l'appareil et provoquer un une réaction violente se produit.
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FAQ
Qu'est-ce Qu'un Four CVD ?
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une technologie qui utilise diverses sources d'énergie telles que le chauffage, l'excitation du plasma ou le rayonnement lumineux pour faire réagir chimiquement des substances chimiques gazeuses ou en phase vapeur sur la phase gazeuse ou l'interface gaz-solide pour former des dépôts solides dans le réacteur au moyen de réaction chimique. Pour le dire simplement, deux ou plusieurs matières premières gazeuses sont introduites dans une chambre de réaction, puis elles réagissent l'une avec l'autre pour former un nouveau matériau et le déposer sur la surface du substrat.
Le four CVD est un système de four combiné avec une unité de four tubulaire à haute température, une unité de contrôle des gaz et une unité de vide, il est largement utilisé pour l'expérimentation et la production de préparation de matériaux composites, de processus microélectronique, d'optoélectronique semi-conducteur, d'utilisation de l'énergie solaire, de communication par fibre optique, supraconducteur technologie, domaine des revêtements de protection.
Qu'est-ce Qu'un Four Tubulaire ?
Le four tubulaire de laboratoire est un four tubulaire à haute température de chauffage externe classique, également appelé four de chauffage à paroi chaude.
Selon la température de travail différente, le matériau du tube de four peut généralement être des tubes de quartz transparents, des tubes en céramique d'alumine de haute pureté et des tubes en alliage métallique à haute résistance.
Pour répondre à différents objectifs de recherche thermique, le four tubulaire peut être conçu avec plusieurs zones de chauffage, de manière à avoir un contrôle flexible du gradient de température dans la chambre de travail du tube ; le tube de four peut fonctionner avec un environnement de travail à atmosphère contrôlée ou un environnement de travail sous vide poussé.
A Quoi Sert Un Four Sous Vide ?
Comment Fonctionne Le Four CVD ?
Le système de four CVD se compose d'une unité de four tubulaire à haute température, d'une unité de contrôle précise de la source de gaz réactif, d'une station de pompe à vide et des pièces d'assemblage correspondantes.
La pompe à vide consiste à éliminer l'air du tube de réaction et à s'assurer qu'il n'y a pas de gaz indésirables à l'intérieur du tube de réaction, après quoi le four tubulaire chauffera le tube de réaction à une température cible, puis l'unité de contrôle précise de la source de gaz de réaction peut introduire différents gaz avec un rapport défini dans le tube du four pour la réaction chimique, le dépôt chimique en phase vapeur sera formé dans le four CVD.
Comment Fonctionne Un Four Tubulaire ?
Les éléments chauffants du four tubulaire sont placés autour de la cavité cylindrique, le four ne peut chauffer les échantillons dans la cavité cylindrique que par rayonnement thermique indirect, car le tube du four peut empêcher le matériau de l'échantillon d'entrer en contact avec les éléments chauffants du four et les matériaux d'isolation, de sorte que le four tubulaire crée un propre isolé chauffer la chambre et réduire les risques de contamination de l'échantillon par le four.
Qu'est-ce Que Mpcvd ?
Quel Est Le Processus D'un Four Sous Vide?
Quel Gaz Est Utilisé Dans Le Procédé CVD ?
Il existe d'énormes sources de gaz pouvant être utilisées dans le processus CVD, les réactions chimiques courantes de CVD comprennent la pyrolyse, la photolyse, la réduction, l'oxydation, le redox, de sorte que les gaz impliqués dans ces réactions chimiques peuvent être utilisés dans le processus CVD.
Nous prenons la croissance du graphène CVD par exemple, les gaz utilisés dans le processus CVD seront CH4, H2, O2 et N2.
Quelle Est L'application Pour Le Four Tubulaire?
Le four tubulaire est principalement utilisé dans la métallurgie, le verre, le traitement thermique, les matériaux d'anode et de cathode au lithium, les nouvelles énergies, les abrasifs et d'autres industries, et est un équipement professionnel pour mesurer les matériaux dans certaines conditions de température.
Le four tubulaire présente une structure simple, une opération facile, un contrôle facile et une production continue.
Le four tubulaire est également largement appliqué dans les systèmes CVD (dépôt chimique en phase vapeur) et CVD amélioré par plasma.
Qu'est-ce Qu'une Machine Mpcvd ?
Quel Gaz Est Utilisé Dans Un Four Sous Vide ?
Quel Est L'avantage Du Système CVD ?
- Une large gamme de films peut être produite, film métallique, film non métallique et film d'alliage multi-composants selon les besoins. En même temps, il peut préparer des cristaux de haute qualité difficiles à obtenir par d'autres méthodes, telles que GaN, BP, etc.
- La vitesse de formation du film est rapide, généralement plusieurs microns par minute voire des centaines de microns par minute. Il est possible de déposer simultanément de grandes quantités de revêtements avec une composition uniforme, ce qui est incomparable aux autres méthodes de préparation de film, telles que l'épitaxie en phase liquide (LPE) et l'épitaxie par jet moléculaire (MBE).
- Les conditions de travail sont réalisées dans des conditions de pression normale ou de vide faible, de sorte que le revêtement a une bonne diffraction et que les pièces aux formes complexes peuvent être uniformément revêtues, ce qui est bien supérieur au PVD.
- En raison de la diffusion mutuelle du gaz de réaction, du produit de réaction et du substrat, un revêtement avec une bonne force d'adhérence peut être obtenu, ce qui est crucial pour la préparation de films renforcés en surface tels que des films résistants à l'usure et anti-corrosion.
- Certains films se développent à une température bien inférieure au point de fusion du matériau du film. Dans des conditions de croissance à basse température, le gaz de réaction et la paroi du réacteur et les impuretés qu'ils contiennent ne réagissent presque pas, de sorte qu'un film de haute pureté et de bonne cristallinité peut être obtenu.
- Le dépôt chimique en phase vapeur permet d'obtenir une surface de dépôt lisse. En effet, par rapport au LPE, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est effectué sous une saturation élevée, avec un taux de nucléation élevé, une densité de nucléation élevée et une distribution uniforme sur tout le plan, ce qui donne une surface lisse macroscopique. Dans le même temps, dans le dépôt chimique en phase vapeur, le libre parcours moyen des molécules (atomes) est beaucoup plus grand que le LPE, de sorte que la distribution spatiale des molécules est plus uniforme, ce qui favorise la formation d'une surface de dépôt lisse.
- Faibles dommages causés par les radiations, condition nécessaire à la fabrication de semi-conducteurs à oxyde métallique (MOS) et d'autres dispositifs
Combien De Différents Types De Four Tubulaire?
Le four tubulaire peut fonctionner avec différentes fonctions mécaniques en douceur, il existe donc de nombreux types de variantes de four tubulaire à différentes fins d'expérimentation, les fours à four typiques sont les suivants :
- Four tubulaire horizontal
- Four tubulaire vertical
- Four tubulaire fendu
- Four tubulaire rotatif
- Four tubulaire basculant
- Four tubulaire coulissant
- Four tubulaire à chauffage et refroidissement rapides
- Four tubulaire à alimentation et décharge continue
Quels Sont Les Avantages De Mpcvd ?
Quel Est L'élément Chauffant Utilisé Dans Un Four Sous Vide ?
Que Signifie PECVD ?
Le PECVD est une technologie qui utilise le plasma pour activer le gaz de réaction, favoriser la réaction chimique à la surface du substrat ou près de l'espace de surface et générer un film solide. Le principe de base de la technologie de dépôt chimique en phase vapeur par plasma est que, sous l'action d'un champ électrique RF ou CC, le gaz source est ionisé pour former un plasma, le plasma à basse température est utilisé comme source d'énergie, une quantité appropriée de gaz de réaction est introduit, et la décharge de plasma est utilisée pour activer le gaz de réaction et réaliser le dépôt chimique en phase vapeur.
Selon la méthode de génération de plasma, il peut être divisé en plasma RF, plasma DC et plasma micro-ondes CVD, etc.
Les Diamants CVD Sont-ils Vrais Ou Faux ?
Quelle Est La Différence Entre CVD Et PECVD ?
La différence entre la technologie PECVD et la technologie CVD traditionnelle est que le plasma contient un grand nombre d'électrons à haute énergie, qui peuvent fournir l'énergie d'activation requise dans le processus de dépôt chimique en phase vapeur, modifiant ainsi le mode d'alimentation en énergie du système de réaction. Étant donné que la température des électrons dans le plasma est aussi élevée que 10000K, la collision entre les électrons et les molécules de gaz peut favoriser la rupture de la liaison chimique et la recombinaison des molécules de gaz de réaction pour générer des groupes chimiques plus actifs, tandis que l'ensemble du système de réaction maintient une température plus basse.
Ainsi, par rapport au processus CVD, le PECVD peut effectuer le même processus de dépôt chimique en phase vapeur avec une température plus basse.
Fiche Technique du Produit
Four tubulaire CVD à chambre divisée avec station de vide, équipement de dépôt chimique en phase vapeur
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