Four CVD & PECVD
Machine de revêtement par évaporation améliorée par plasma PECVD
Numéro d'article : KT-PED
Le prix varie en fonction de Spécifications et personnalisations
- Température de chauffage du porte-échantillon
- ≤800℃
- Canaux de purge de gaz
- 4 canaux
- Taille de la chambre à vide
- Φ500mm × 550 mm
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Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) est un procédé de dépôt de couches minces sous vide qui utilise des vapeurs ou des gaz comme précurseurs pour créer un revêtement. Le PECVD est une variante du dépôt chimique en phase vapeur (CVD) qui utilise le plasma au lieu de la chaleur pour activer le gaz ou la vapeur source. Comme il est possible d'éviter les températures élevées, la gamme des substrats possibles s'étend aux matériaux à faible point de fusion, voire aux plastiques dans certains cas. En outre, la gamme des matériaux de revêtement pouvant être déposés s'élargit également. La PECVD est utilisée pour déposer une grande variété de matériaux, notamment des diélectriques, des semi-conducteurs, des métaux et des isolants. Les revêtements PECVD sont utilisés dans une grande variété d'applications, notamment les cellules solaires, les écrans plats et la microélectronique.
Applications
Les machines de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) offrent une solution polyvalente pour diverses industries et applications :
- Eclairage LED:** Dépôt de films diélectriques et semi-conducteurs de haute qualité pour les diodes électroluminescentes (LED).
- Semi-conducteurs de puissance:** Formation de couches isolantes, d'oxydes de grille et d'autres composants critiques dans les dispositifs à semi-conducteurs de puissance.
- MEMS:** Fabrication de couches minces pour les systèmes microélectromécaniques (MEMS), tels que les capteurs et les actionneurs.
- Revêtements optiques:** Dépôt de revêtements antireflets, de filtres optiques et d'autres composants optiques.
- Cellules solaires à couche mince:** Production de couches minces de silicium amorphe et microcristallin pour les dispositifs de cellules solaires.
- Modification des surfaces:** Amélioration des propriétés des surfaces, telles que la résistance à la corrosion, la résistance à l'usure et la biocompatibilité.
- Nanotechnologie:** Synthèse de nanomatériaux, notamment de nanoparticules, de nanofils et de films minces.
Caractéristiques
La machine de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) offre de nombreux avantages qui améliorent la productivité et permettent d'obtenir des résultats exceptionnels :
- Dépôt à basse température : Permet la formation de films de haute qualité à des températures nettement inférieures à celles des méthodes traditionnelles de dépôt en phase vapeur (CVD), ce qui la rend adaptée aux substrats délicats.
- Taux de dépôt élevés : Maximise l'efficacité en déposant des films rapidement, réduisant ainsi le temps de production et augmentant le rendement.
- Films uniformes et résistants aux craquelures : Garantit des propriétés de film uniformes et minimise le risque de fissuration, ce qui permet d'obtenir des revêtements fiables et durables.
- Excellente adhérence aux substrats : Assure une forte adhérence entre le film et le substrat, garantissant des performances durables et empêchant la délamination.
- Capacités de revêtement polyvalentes : Permet le dépôt d'une large gamme de matériaux, y compris SiO2, SiNx et SiOxNy, pour répondre à diverses exigences d'application.
- Personnalisation pour les géométries complexes : S'adapte aux substrats de forme complexe, garantissant un revêtement uniforme et des performances optimales.
- Peu d'entretien et installation facile : Minimise les temps d'arrêt et simplifie l'installation, améliorant ainsi la productivité et la rentabilité.
Caractéristiques techniques
| Porte-échantillon | Taille | 1-6 pouces |
| Vitesse de rotation | 0-20rpm réglable | |
| Température de chauffage | ≤800℃ | |
| Précision du contrôle | ±0.5℃ Contrôleur PID SHIMADEN | |
| Purge de gaz | Débitmètre | CONTRÔLEUR DE DÉBITMÈTRE MASSIQUE (MFC) |
| Canaux | 4 canaux | |
| Méthode de refroidissement | Refroidissement par circulation d'eau | |
| Chambre à vide | Taille de la chambre | Φ500mm X 550mm |
| Port d'observation | Port d'observation avec déflecteur | |
| Matériau de la chambre | Acier inoxydable 316 | |
| Type de porte | Porte à ouverture frontale | |
| Matériau du capuchon | Acier inoxydable 304 | |
| Orifice de la pompe à vide | Bride CF200 | |
| Orifice d'entrée de gaz | φ6 Connecteur VCR | |
| Puissance du plasma | Alimentation de la source | Alimentation DC ou RF |
| Mode de couplage | Couplage inductif ou capacitif à plaque | |
| Puissance de sortie | 500W-1000W | |
| Puissance de polarisation | 500v | |
| Pompe à vide | Pré-pompe | Pompe à vide à palettes 15L/S |
| Orifice de la turbopompe | CF150/CF200 620L/S-1600L/S | |
| Orifice de décharge | KF25 | |
| Vitesse de la pompe | Pompe à palettes:15L/s，Turbo pompe:1200l/s或1600l/s | |
| Degré de vide | ≤5×10-5Pa | |
| Capteur de vide | Jauge à vide à ionisation/résistance/jauge à film | |
| Système d'alimentation | Alimentation électrique | AC 220V /380 50Hz |
| Puissance nominale | 5kW | |
| Dimensions de l'appareil | 900mm X 820mm X870mm | |
| Poids | 200 kg |
Principe
Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) utilise le plasma pour stimuler les réactions chimiques pendant le dépôt, ce qui permet de former des films solides de haute qualité à basse température. En utilisant un plasma à haute énergie, les machines PECVD augmentent les taux de réaction et abaissent les températures de réaction. Cette technique est largement utilisée dans l'éclairage LED, les semi-conducteurs de puissance et les MEMS. Elle permet de déposer des films de SiO2, SiNx, SiOxNy et d'autres supports, ainsi que de déposer à grande vitesse des films épais de SiO sur des substrats composites. La PECVD offre une excellente qualité de formation de film, minimise les trous d'épingle et réduit la fissuration, ce qui la rend adaptée à la production de dispositifs de cellules solaires à film mince en silicium amorphe et microcristallin.
Avantages
- Capacité à déposer divers matériaux : La technique PECVD permet de déposer une large gamme de matériaux, notamment du carbone de type diamant, des composés de silicium et des oxydes métalliques, ce qui permet de créer des films aux propriétés personnalisées.
- Fonctionnement à basse température : La technique PECVD fonctionne à basse température (généralement entre 300 et 450 °C), ce qui la rend adaptée aux substrats sensibles à la chaleur.
- Films minces de haute qualité : La PECVD produit des couches minces d'une uniformité, d'un contrôle de l'épaisseur et d'une résistance à la fissuration exceptionnels.
- Excellente adhérence : Les films déposés par PECVD présentent une forte adhérence au substrat, ce qui garantit leur durabilité et leur fiabilité.
- Revêtement conforme : La technique PECVD permet de revêtir des géométries complexes en assurant une couverture et une protection uniformes.
- Taux de dépôt élevés : La technique PECVD permet des taux de dépôt rapides, ce qui augmente la productivité et réduit le temps de production.
- Peu de maintenance : Les systèmes PECVD sont conçus pour nécessiter peu d'entretien, ce qui minimise les temps d'arrêt et maximise le temps de fonctionnement.
- Facilité d'installation : L'équipement PECVD est relativement facile à installer et à intégrer dans les lignes de production existantes.
- Conception rigide : Les systèmes PECVD sont conçus de manière robuste, ce qui garantit leur stabilité et leurs performances à long terme.
- Durée de vie prolongée : Les systèmes PECVD sont conçus pour durer et constituent une solution rentable pour les besoins de dépôt de couches minces à long terme.
Avertissements
La sécurité des opérateurs est la question la plus importante ! Veuillez faire fonctionner l'équipement avec des précautions. Travailler avec des gaz inflammables, explosifs ou toxiques est très dangereux, les opérateurs doivent prendre toutes les précautions nécessaires avant de démarrer le équipement. Travailler en pression positive à l’intérieur des réacteurs ou des chambres est dangereux, l'opérateur doit suivre strictement les procédures de sécurité. Supplémentaire des précautions doivent également être prises lors de l'utilisation de matériaux réactifs à l'air, surtout sous vide. Une fuite peut aspirer de l'air dans l'appareil et provoquer un une réaction violente se produit.
Conçu pour vous
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FAQ
Qu'est-ce Que La Méthode PECVD ?
Qu'est-ce Que Mpcvd ?
A Quoi Sert Le PECVD ?
Qu'est-ce Qu'une Machine Mpcvd ?
Quels Sont Les Avantages Du PECVD ?
Quels Sont Les Avantages De Mpcvd ?
Quelle Est La Différence Entre ALD Et PECVD ?
Les Diamants CVD Sont-ils Vrais Ou Faux ?
Quelle Est La Différence Entre Le PECVD Et La Pulvérisation ?
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