Four CVD & PECVD
Équipement de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma rotatif incliné (PECVD) Machine à four à tube
Numéro d'article : KT-PED
Le prix varie en fonction de Spécifications et personnalisations
- Température de chauffe du porte-échantillon
- ≤800℃
- Canaux de purge de gaz
- 4 canaux
- Dimensions de la chambre à vide
- Φ500mm × 550 mm
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Introduction
Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) est un processus de dépôt de couches minces sous vide qui utilise des vapeurs ou des gaz comme précurseurs pour créer un revêtement. Le PECVD est une variante du dépôt chimique en phase vapeur (CVD) qui utilise du plasma au lieu de la chaleur pour activer le gaz ou la vapeur source. Étant donné que les températures élevées peuvent être évitées, la gamme de substrats possibles s'étend aux matériaux à faible point de fusion – même les plastiques dans certains cas. De plus, la gamme de matériaux de revêtement qui peuvent être déposés augmente également. Le PECVD est utilisé pour déposer une grande variété de matériaux, y compris des diélectriques, des semi-conducteurs, des métaux et des isolants. Les revêtements PECVD sont utilisés dans une grande variété d'applications, notamment les cellules solaires, les écrans plats et la microélectronique.
Applications
Les machines de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) offrent une solution polyvalente pour diverses industries et applications :
- Éclairage LED :** Dépôt de films diélectriques et semi-conducteurs de haute qualité pour les diodes électroluminescentes (LED).
- Semi-conducteurs de puissance :** Formation de couches isolantes, d'oxydes de grille et d'autres composants critiques dans les dispositifs semi-conducteurs de puissance.
- MEMS :** Fabrication de couches minces pour les systèmes microélectromécaniques (MEMS), tels que les capteurs et les actionneurs.
- Revêtements optiques :** Dépôt de revêtements antireflet, de filtres optiques et d'autres composants optiques.
- Cellules solaires en couches minces :** Production de couches minces de silicium amorphe et microcristallin pour les dispositifs de cellules solaires.
- Modification de surface :** Amélioration des propriétés de surface, telles que la résistance à la corrosion, l'usure et la biocompatibilité.
- Nanotechnologie :** Synthèse de nanomatériaux, y compris des nanoparticules, des nanofils et des couches minces.
Caractéristiques
La machine de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) offre de nombreux avantages qui améliorent la productivité et offrent des résultats exceptionnels :
- Dépôt à basse température : Permet la formation de films de haute qualité à des températures nettement inférieures aux méthodes CVD traditionnelles, ce qui la convient aux substrats délicats.
- Taux de dépôt élevés : Maximise l'efficacité en déposant des films rapidement, réduisant le temps de production et augmentant le rendement.
- Films uniformes et résistants aux fissures : Garantit des propriétés de film cohérentes et minimise le risque de fissuration, conduisant à des revêtements fiables et durables.
- Excellente adhérence aux substrats : Fournit une liaison solide entre le film et le substrat, assurant une performance durable et empêchant le délaminage.
- Capacités de revêtement polyvalentes : Permet le dépôt d'une large gamme de matériaux, y compris SiO2, SiNx et SiOxNy, pour répondre à diverses exigences d'application.
- Personnalisation pour géométries complexes : Accueille des substrats aux formes complexes, assurant un revêtement uniforme et des performances optimales.
- Faible maintenance et installation facile : Réduit les temps d'arrêt et simplifie la configuration, améliorant la productivité et la rentabilité.
Spécifications techniques
| Porte-échantillon | Taille | 1-6 pouces |
| Vitesse de rotation | 0-20 tr/min réglable | |
| Température de chauffage | ≤800℃ | |
| Précision de contrôle | ±0.5℃ Régulateur PID SHIMADEN | |
| Purge de gaz | Débitmètre | Contrôleur de débitmètre massique (MFC) |
| Canaux | 4 canaux | |
| Méthode de refroidissement | Refroidissement par circulation d'eau | |
| Chambre à vide | Taille de la chambre | Φ500mm X 550mm |
| Porte d'observation | Porte de vue complète avec déflecteur | |
| Matériau de la chambre | Acier inoxydable 316 | |
| Type de porte | Porte à ouverture frontale | |
| Matériau du capuchon | Acier inoxydable 304 | |
| Porte de pompe à vide | Bride CF200 | |
| Porte d'entrée de gaz | Connecteur VCR φ6 | |
| Puissance plasma | Puissance source | Alimentation CC ou RF |
| Mode de couplage | Couplage inductif ou capacitif à plaques | |
| Puissance de sortie | 500W—1000W | |
| Puissance de polarisation | 500v | |
| Pompe à vide | Pré-pompe | Pompe à vide à palettes 15L/S |
| Porte de pompe turbomoléculaire | CF150/CF200 620L/S-1600L/S | |
| Porte de sécurité | KF25 | |
| Vitesse de pompage | Pompe à palettes : 15L/s, Pompe turbomoléculaire : 1200l/s ou 1600l/s | |
| Degré de vide | ≤5×10-5Pa | |
| Capteur de vide | Jauge à vide d'ionisation/résistance/jauge à film | |
| Système | Alimentation électrique | CA 220V /380 50Hz |
| Puissance nominale | 5kW | |
| Dimensions | 900mm X 820mm X870mm | |
| Poids | 200kg |
Principe
Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) utilise du plasma pour stimuler les réactions chimiques lors du dépôt, permettant la formation de films solides de haute qualité à basse température. En employant un plasma à haute énergie, les machines PECVD augmentent les vitesses de réaction et abaissent les températures de réaction. Cette technique est largement utilisée dans l'éclairage LED, les semi-conducteurs de puissance et les MEMS. Elle permet le dépôt de films de SiO2, SiNx, SiOxNy et autres médias, ainsi que le dépôt à grande vitesse de films épais de SiO sur des substrats composites. Le PECVD offre une excellente qualité de formation de film, minimise les piqûres et réduit la fissuration, ce qui le convient à la production de dispositifs de cellules solaires en couches minces de silicium amorphe et microcristallin.
Avantage
- Capacité à déposer divers matériaux : Le PECVD peut déposer une large gamme de matériaux, y compris le carbone de type diamant, les composés de silicium et les oxydes métalliques, permettant la création de films aux propriétés sur mesure.
- Fonctionnement à basse température : Le PECVD fonctionne à basse température (généralement 300-450°C), ce qui le convient aux substrats sensibles à la chaleur.
- Couches minces de haute qualité : Le PECVD produit des couches minces avec une uniformité exceptionnelle, un contrôle de l'épaisseur et une résistance à la fissuration.
- Excellente adhérence : Les films déposés par PECVD présentent une forte adhérence au substrat, assurant durabilité et fiabilité.
- Revêtement conforme : Le PECVD permet le revêtement de géométries complexes, offrant une couverture uniforme et une protection.
- Taux de dépôt élevés : Le PECVD offre des vitesses de dépôt rapides, augmentant la productivité et réduisant le temps de production.
- Faible maintenance : Les systèmes PECVD sont conçus pour une faible maintenance, minimisant les temps d'arrêt et maximisant le temps de fonctionnement.
- Installation facile : L'équipement PECVD est relativement facile à installer et à intégrer dans les lignes de production existantes.
- Conception rigide : Les systèmes PECVD sont construits avec des conceptions robustes, assurant la stabilité et une performance durable.
- Duration de vie prolongée : Les systèmes PECVD sont conçus pour la longévité, offrant une solution rentable pour les besoins à long terme de dépôt de couches minces.
Avertissements
La sécurité des opérateurs est la question la plus importante ! Veuillez faire fonctionner l'équipement avec des précautions. Travailler avec des gaz inflammables, explosifs ou toxiques est très dangereux, les opérateurs doivent prendre toutes les précautions nécessaires avant de démarrer le équipement. Travailler en pression positive à l’intérieur des réacteurs ou des chambres est dangereux, l'opérateur doit suivre strictement les procédures de sécurité. Supplémentaire des précautions doivent également être prises lors de l'utilisation de matériaux réactifs à l'air, surtout sous vide. Une fuite peut aspirer de l'air dans l'appareil et provoquer un une réaction violente se produit.
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FAQ
Qu'est-ce Que La Méthode PECVD ?
Qu'est-ce Que Mpcvd ?
A Quoi Sert Le PECVD ?
Qu'est-ce Qu'une Machine Mpcvd ?
Quels Sont Les Avantages Du PECVD ?
Quels Sont Les Avantages De Mpcvd ?
Quelle Est La Différence Entre ALD Et PECVD ?
Les Diamants CVD Sont-ils Vrais Ou Faux ?
Quelle Est La Différence Entre Le PECVD Et La Pulvérisation ?
Fiche Technique du Produit
Équipement de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma rotatif incliné (PECVD) Machine à four à tube
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