La principale différence entre la pulvérisation RF et la pulvérisation CC réside dans leurs sources d'énergie. La pulvérisation DC utilise un courant continu comme source d'énergie, tandis que la pulvérisation RF utilise un courant alternatif (AC). Cette différence entre les sources d'énergie entraîne plusieurs distinctions entre les deux techniques de pulvérisation.
1. Tension requise : La pulvérisation DC nécessite généralement 2 000 à 5 000 volts, alors que la pulvérisation RF nécessite 1 012 volts ou plus pour obtenir la même vitesse de dépôt. En effet, la pulvérisation DC implique un bombardement ionique direct du plasma gazeux par des électrons, tandis que la pulvérisation RF utilise l'énergie cinétique pour retirer les électrons des enveloppes extérieures des atomes du gaz. La création d'ondes radio dans la pulvérisation RF nécessite une alimentation électrique plus importante pour obtenir le même effet qu'un courant d'électrons.
2. Pression de la chambre : La pulvérisation RF permet de maintenir le plasma gazeux à une pression de chambre nettement inférieure, de moins de 15 mTorr, par rapport aux 100 mTorr requis pour la pulvérisation DC. Cette pression plus faible permet de réduire le nombre de collisions entre les particules chargées du plasma et le matériau cible, créant ainsi un chemin plus direct vers la cible de pulvérisation.
3. Applicabilité : La pulvérisation cathodique est largement utilisée, efficace et économique. Elle convient au traitement de grandes quantités de substrats. En revanche, la pulvérisation RF fonctionne pour les matériaux pulvérisés conducteurs et non conducteurs. Elle est plus coûteuse et a un rendement de pulvérisation plus faible, ce qui la rend plus adaptée aux substrats de petite taille.
En résumé, les principales différences entre la pulvérisation RF et la pulvérisation DC résident dans les sources d'énergie, les exigences en matière de tension, les pressions de la chambre et les possibilités d'application. La pulvérisation RF utilise une source d'énergie CA, nécessite une tension plus élevée, fonctionne à une pression de chambre plus basse et convient à la fois aux matériaux conducteurs et non conducteurs. La pulvérisation DC utilise une source d'énergie DC, nécessite une tension plus faible, fonctionne à une pression de chambre plus élevée et est plus économique pour traiter de grandes quantités de substrats.
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