La résistance de feuille du graphène CVD varie en fonction du nombre de couches et des conditions spécifiques de synthèse. Pour le graphène non dopé à couche unique, la résistance de feuille est d'environ 6 kΩ avec une transparence de 98 %. Cependant, lorsqu'il est synthétisé par CVD sur un substrat de cuivre, la résistance de feuille peut être aussi basse que 350 Ω/sq avec une transparence de 90 %. Cette amélioration du rapport transparence/feuille démontre les progrès réalisés dans le domaine du graphène synthétisé par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et destiné à être utilisé comme film conducteur transparent. Au fur et à mesure que l'on ajoute des couches de graphène, la résistance de la feuille diminue généralement, bien qu'elle doive théoriquement rester constante si les couches se comportent de manière indépendante.
Explication :
-
Graphène non dopé à couche unique: La référence indique que le graphène monocouche non dopé présente une résistance de feuille d'environ 6 kΩ. Cette résistance élevée est due aux propriétés intrinsèques du graphène monocouche qui, malgré son excellente conductivité, présente une résistance plus élevée lorsqu'il est utilisé comme électrode transparente en raison de sa finesse atomique et de l'absence de dopage.
-
Graphène CVD sur substrat de cuivre: Lorsque le graphène est cultivé par CVD sur un substrat de cuivre, la résistance de la feuille diminue de manière significative jusqu'à 350 Ω/sq. Cette réduction est attribuée aux conditions de croissance optimisées et à l'utilisation d'un substrat qui facilite la formation du graphène. La transparence de 90 % maintenue avec cette résistance plus faible est une amélioration significative, ce qui permet de l'utiliser pour des applications nécessitant à la fois conductivité et transparence, telles que les écrans et les cellules solaires.
-
Effet des couches: La résistance de la feuille de graphène diminue avec l'ajout de couches supplémentaires. Cela s'explique par le fait que chaque couche supplémentaire fournit davantage de voies conductrices, réduisant ainsi la résistance globale. En théorie, si les couches sont indépendantes (c'est-à-dire qu'elles n'interagissent pas de manière significative), la résistance de la feuille devrait rester constante quel que soit le nombre de couches, puisque chaque couche contribue de manière égale à la conductivité. Toutefois, dans la pratique, les interactions entre les couches et d'autres facteurs peuvent affecter ce comportement.
En résumé, la résistance de feuille du graphène CVD peut être adaptée grâce au nombre de couches et aux conditions de synthèse, avec des valeurs allant de 6 kΩ pour le graphène non dopé monocouche à 350 Ω/sq pour le graphène CVD sur un substrat de cuivre. Cette variabilité fait du graphène CVD un matériau polyvalent pour diverses applications électroniques et optoélectroniques.
Libérez le potentiel du graphène CVD avec KINTEK !
Êtes-vous prêt à exploiter la polyvalence du graphène CVD pour vos applications électroniques et optoélectroniques de la prochaine génération ? Chez KINTEK, nous sommes spécialisés dans la fourniture de matériaux de graphène de haute qualité adaptés à vos besoins spécifiques, garantissant une résistance à la feuille et une transparence optimales. Que vous travailliez avec du graphène non dopé monocouche ou que vous exploriez les avantages des configurations multicouches sur des substrats en cuivre, notre expertise peut vous aider à atteindre l'équilibre parfait entre conductivité et transparence. Faites équipe avec KINTEK dès aujourd'hui et élevez votre recherche et votre développement de produits à de nouveaux sommets. Contactez-nous pour en savoir plus sur nos solutions de graphène et sur la façon dont elles peuvent transformer vos projets !
