La résistance de la feuille de graphène CVD varie en fonction de plusieurs facteurs.
Ces facteurs comprennent le nombre de couches et les conditions spécifiques de synthèse.
Pour le graphène non dopé à couche unique, la résistance de feuille est d'environ 6 kΩ.
Ceci pour une transparence de 98%.
Cependant, lorsqu'il est synthétisé par CVD sur un substrat de cuivre, la résistance de la feuille peut être aussi basse que 350 Ω/sq.
Cela correspond à une transparence de 90 %.
Cette amélioration du rapport transparence/feuille démontre les progrès réalisés dans le domaine du graphène synthétisé par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) en vue de son utilisation comme film conducteur transparent.
Au fur et à mesure que l'on ajoute des couches de graphène, la résistance de la feuille diminue généralement.
Toutefois, elle devrait théoriquement rester constante si les couches se comportent de manière indépendante.
4 points clés sur la résistance de la feuille de graphène CVD
1. Graphène monocouche non dopé
La référence indique que le graphène monocouche non dopé a une résistance de feuille d'environ 6 kΩ.
Cette résistance élevée est due aux propriétés intrinsèques du graphène monocouche.
Malgré son excellente conductivité, il présente une résistance plus élevée lorsqu'il est utilisé comme électrode transparente.
Ceci est dû à sa finesse atomique et à l'absence de dopage.
2. Graphène CVD sur substrat de cuivre
Lorsque le graphène est cultivé par CVD sur un substrat de cuivre, la résistance de la feuille diminue de manière significative jusqu'à 350 Ω/sq.
Cette réduction est attribuée aux conditions de croissance optimisées et à l'utilisation d'un substrat qui facilite la formation du graphène.
La transparence de 90 % maintenue à cette résistance plus faible est une amélioration significative.
Elle convient donc aux applications nécessitant à la fois conductivité et transparence, telles que les écrans et les cellules solaires.
3. Effet des couches
La résistance de la feuille de graphène diminue avec l'ajout de couches supplémentaires.
En effet, chaque couche supplémentaire fournit davantage de voies conductrices, ce qui réduit la résistance globale.
En théorie, si les couches sont indépendantes (c'est-à-dire qu'elles n'interagissent pas de manière significative), la résistance de la feuille devrait rester constante quel que soit le nombre de couches.
Toutefois, dans la pratique, les interactions entre les couches et d'autres facteurs peuvent affecter ce comportement.
4. Polyvalence du graphène CVD
En résumé, la résistance de la feuille de graphène CVD peut être adaptée en fonction du nombre de couches et des conditions de synthèse.
Les valeurs vont de 6 kΩ pour le graphène non dopé monocouche à 350 Ω/sq pour le graphène CVD sur un substrat de cuivre.
Cette variabilité fait du graphène CVD un matériau polyvalent pour diverses applications électroniques et optoélectroniques.
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