Le carbure de silicium (SiC) peut résister à des températures allant jusqu'à 1 400˚C tout en conservant sa résistance mécanique. Il est également capable de fonctionner à des températures encore plus élevées, dépassant largement les 1 316°C, en particulier dans les applications impliquant des tubes radiants.
Résistance aux températures élevées :
Le carbure de silicium est réputé pour sa capacité à conserver une résistance mécanique élevée à des températures pouvant atteindre 1 400˚C. Cette propriété en fait un matériau idéal pour les applications soumises à des températures élevées. En outre, le SiC peut être utilisé efficacement dans des environnements où les températures dépassent 1 093°C (2 000°F), comme dans les tubes radiants. Dans ces applications à haute température, les éléments en SiC doivent être correctement soutenus pour minimiser les déformations et doivent être centrés dans le tube radiant à l'aide d'une entretoise réfractaire appropriée.Utilisation dans les tubes radiants :
Dans les scénarios où les éléments métalliques comme le chrome et le nickel ne conviennent pas en raison de leur tolérance limitée à la température, le SiC apparaît comme une alternative viable. Plus précisément, lorsqu'il est utilisé comme élément à baïonnette à l'intérieur d'un tube radiant, le SiC peut fonctionner à des températures bien supérieures à 1 093°C (2 000°F). Cette caractéristique est cruciale dans les processus industriels qui nécessitent une chaleur extrême, où le SiC répond non seulement aux exigences thermiques, mais offre également une meilleure résistance à la corrosion chimique que d'autres céramiques.
Conductivité thermique et oxydation :
Le SiC se targue également d'une conductivité thermique élevée, comprise entre 120 et 270 W/mK, qui est supérieure à celle des aciers courants et de la fonte. Cette conductivité thermique élevée permet de répartir efficacement la chaleur, ce qui est bénéfique pour les applications à haute température. Toutefois, il est important de noter que la conductivité thermique diminue avec l'augmentation de la température, et ce facteur doit être soigneusement pris en compte dans des applications spécifiques.
En termes d'oxydation, le SiC peut être oxydé thermiquement en SiO2, un processus qui requiert des températures comprises entre 1 200 et 1 600 °C. Ce processus d'oxydation est crucial pour certaines applications. Ce processus d'oxydation est crucial pour certaines applications et démontre un autre aspect des capacités à haute température du SiC.
