Le carbure de silicium (SiC) est traité par diverses méthodes, notamment le frittage, la liaison par réaction, la croissance cristalline et le dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Chaque méthode possède ses propres caractéristiques et applications, ce qui contribue à la polyvalence et au large éventail d'utilisations du carbure de silicium dans les industries traditionnelles et émergentes.
Frittage :
Le frittage implique l'utilisation de poudre de SiC pur avec des adjuvants de frittage non oxydés. Le processus fait appel à des techniques conventionnelles de formage de la céramique et nécessite un frittage dans une atmosphère inerte à des températures pouvant atteindre 2000°C ou plus. Cette méthode est essentielle pour produire des céramiques de carbure de silicium dotées d'une excellente résistance mécanique à haute température, d'une grande dureté, d'un module d'élasticité élevé, d'une grande résistance à l'usure, d'une conductivité thermique élevée et d'une résistance à la corrosion. Ces propriétés font que le carbure de silicium convient pour des applications dans les supports de four à haute température, la combustion, les buses, les échangeurs de chaleur, les bagues d'étanchéité, les paliers lisses, les blindages pare-balles, les réflecteurs spatiaux, les matériaux de fixation dans la préparation des plaquettes de semi-conducteurs et les matériaux de gainage du combustible nucléaire.Collage par réaction :
Le SiC lié par réaction est fabriqué en infiltrant des compacts de mélanges de SiC et de carbone avec du silicium liquide. Le silicium réagit avec le carbone, formant du carbure de silicium supplémentaire qui lie les particules de SiC d'origine. Cette méthode est particulièrement efficace pour créer des matériaux dotés de propriétés mécaniques spécifiques et est utilisée dans des applications nécessitant une résistance élevée à l'usure et aux chocs thermiques.
Croissance cristalline et dépôt chimique en phase vapeur (CVD) :
Les fabricants utilisent le dépôt chimique en phase vapeur pour faire croître le carbure de silicium 3C et 6H sur des substrats de plaquettes de silicium. Ce procédé permet d'introduire des dopants de type n et de type p dans les films monocristallins de carbure de silicium, ce qui le rend rentable pour développer des cristaux de carbure de silicium relativement épais et sans impuretés. Le SiC produit par CVD présente une faible résistance électrique, ce qui en fait un bon conducteur d'électricité. Cette propriété est avantageuse pour la fabrication de caractéristiques fines à l'aide de méthodes d'électroérosion, qui sont utiles pour générer des trous minuscules avec des rapports d'aspect élevés.
Préparation industrielle de la poudre de SiC :
