Le procédé CVD du carbure de silicium consiste à déposer des couches de carbure de silicium sur un substrat par le biais de réactions chimiques en phase gazeuse.
Ce procédé est connu pour produire des couches de carbure de silicium de haute qualité, pures et uniformes.
Ces couches sont essentielles pour diverses applications industrielles en raison de leurs propriétés uniques.
Le carbure de silicium a une faible densité, une grande rigidité, une dureté extrême et une excellente résistance à l'usure.
Qu'est-ce que le procédé CVD pour le carbure de silicium ? 4 étapes clés expliquées
1. Préparation du substrat
Le substrat, souvent du silicium, est nettoyé et préparé à l'aide d'une poudre de diamant abrasive.
Cela permet d'obtenir une surface propre pour le processus de dépôt.
Le silicium est couramment utilisé car il s'aligne bien sur l'orientation cristallographique requise.
2. Introduction du gaz
Du méthane de haute pureté est mélangé à de l'hydrogène de très haute pureté (UHP) dans un rapport de 1:99.
Ce mélange est introduit dans le réacteur.
Le méthane fournit la source de carbone nécessaire, tandis que l'hydrogène contribue aux réactions chimiques et maintient la pureté du processus.
3. Mise sous tension et dépôt
Les gaz sont mis sous tension en chauffant le substrat à environ 800 °C. Cela déclenche les réactions chimiques nécessaires au dépôt.
Cela déclenche les réactions chimiques nécessaires au dépôt de carbure de silicium.
Cette étape est essentielle pour la qualité et les propriétés de la couche de carbure de silicium déposée.
4. Croissance et formation
Les gaz énergisés se décomposent à haute température.
Cela entraîne des réactions chimiques à la surface du substrat, formant un film cristallin solide de carbure de silicium.
Le processus se poursuit jusqu'à ce que l'épaisseur et l'uniformité souhaitées soient atteintes.
Le produit solide est ensuite détaché du substrat et le gaz de réaction est introduit en continu pour permettre la croissance du film cristallin.
Ce procédé CVD permet de produire du carbure de silicium à très faible résistance électrique.
Il convient aux applications nécessitant des caractéristiques fines et des rapports d'aspect élevés, comme dans l'électronique et les dispositifs MEMS.
La précision et le contrôle offerts par la méthode CVD en font un choix privilégié pour la fabrication de composants en carbure de silicium de haute qualité.
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