Les principes de la pulvérisation RF impliquent l'utilisation de l'énergie des radiofréquences (RF) pour créer un plasma dans une chambre à vide, qui dépose ensuite une fine couche de matériau sur un substrat. Cette méthode est particulièrement efficace pour les matériaux non conducteurs.
1. Installation de la chambre à vide :
Le processus commence par le placement du matériau cible (le matériau à déposer) et du substrat (le matériau sur lequel le matériau cible sera déposé) dans une chambre à vide. Cet environnement est essentiel pour prévenir la contamination et contrôler les conditions d'un dépôt optimal.2. Introduction du gaz inerte :
Des gaz inertes comme l'argon sont introduits dans la chambre. Ces gaz sont choisis parce qu'ils ne réagissent pas chimiquement avec les matériaux présents dans la chambre, ce qui garantit l'intégrité du processus de dépôt.
3. Ionisation des atomes de gaz :
Une source d'énergie RF est utilisée pour envoyer des ondes énergétiques à travers le gaz, ionisant les atomes de gaz. Ce processus d'ionisation confère aux atomes de gaz une charge positive, créant ainsi un plasma. Le plasma est un élément essentiel car il contient les ions énergétiques nécessaires au processus de pulvérisation.4. Pulvérisation magnétron RF :
Dans la pulvérisation magnétron RF, de puissants aimants sont utilisés pour améliorer le processus d'ionisation en confinant les électrons près de la surface de la cible, ce qui augmente le taux d'ionisation du gaz inerte. Cette configuration permet de pulvériser efficacement des matériaux non conducteurs en contrôlant l'accumulation de charges sur la surface de la cible.
5. Dépôt de couches minces :
Les atomes de gaz ionisés, maintenant à l'état de plasma, sont accélérés vers le matériau cible en raison du champ électrique créé par la source d'énergie RF. Lorsque ces ions entrent en collision avec le matériau cible, ils provoquent l'éjection (pulvérisation) d'atomes ou de molécules qui se déposent sur le substrat.
6. Contrôle de l'accumulation de charges :
