Équipe technique · Kintek Solution

Pour préparer le carbure de silicium (SiC) en laboratoire, plusieurs méthodes peuvent être employées, notamment le dépôt chimique en phase vapeur à haute température (HTCVD), le frittage et le collage par réaction. Chaque méthode a ses propres conditions et exigences, qui sont détaillées ci-dessous.

Dépôt chimique en phase vapeur à haute température (HTCVD) :

1. Cette méthode consiste à faire croître des cristaux de SiC dans un réacteur fermé où un chauffage externe maintient la chambre de réaction à des températures comprises entre 2000°C et 2300°C. Le processus est une réaction de surface impliquant la thermodynamique, le transport des gaz et la croissance du film. Les étapes sont les suivantes
2. Le gaz de réaction mélangé atteint la surface du matériau du substrat.
3. Décomposition du gaz de réaction à haute température, entraînant une réaction chimique à la surface du substrat pour former un film cristallin solide.

Détachement du produit solide de la surface du substrat, avec introduction continue du gaz de réaction pour permettre au film cristallin de continuer à croître.Frittage :

2. Le frittage est une méthode courante de production de céramiques de carbure de silicium. Elle implique la consolidation de la poudre de carbure de silicium sous l'effet de la chaleur et de la pression sans faire fondre le corps entier. Le processus peut être amélioré par l'ajout d'adjuvants de frittage ou l'utilisation d'atmosphères spécifiques. Les principales étapes sont les suivantes
3. Préparation d'une poudre de SiC de haute pureté.

Compactage de la poudre pour lui donner la forme souhaitée.Chauffage de la poudre compactée dans une atmosphère contrôlée à une température inférieure à son point de fusion, généralement entre 2000°C et 2300°C, afin d'obtenir une densification par diffusion atomique.

1. Liaison par réaction :
3. Cette méthode implique la réaction d'un silicium fondu avec du carbone pour former du SiC. Le processus comprend

Le mélange d'une source de carbone avec de la poudre de SiC pour former un corps vert.

Infiltration du corps vert avec du silicium fondu à des températures élevées (supérieures à 1500°C).