Il existe plusieurs types de techniques de pulvérisation, les plus courantes étant la pulvérisation magnétron à courant continu et la pulvérisation réactive. Chaque technique présente des caractéristiques et des avantages uniques.
Pulvérisation magnétron à courant continu (CC) :
Dans cette méthode, une alimentation en courant continu est utilisée pour générer un plasma dans un environnement gazeux à basse pression. Le plasma est créé à proximité d'un matériau cible, généralement en métal ou en céramique, qui doit être pulvérisé. Le plasma provoque la collision d'ions gazeux avec la cible, délogeant les atomes de la surface et les éjectant dans la phase gazeuse. Le champ magnétique produit par l'ensemble magnétique contribue à augmenter la vitesse de pulvérisation et assure un dépôt plus uniforme du matériau pulvérisé sur le substrat. Le taux de pulvérisation peut être calculé à l'aide d'une formule spécifique qui prend en compte des facteurs tels que la densité du flux d'ions, le nombre d'atomes de la cible par unité de volume, le poids atomique du matériau de la cible, etc.Pulvérisation réactive :
Ce procédé implique la combinaison d'un gaz non inerte, tel que l'oxygène, et d'un matériau cible élémentaire, tel que le silicium. Le gaz réagit chimiquement avec les atomes pulvérisés dans la chambre, générant un nouveau composé qui sert de matériau de revêtement plutôt que le matériau cible pur d'origine. Cette technique est particulièrement utile pour créer des composés chimiques spécifiques dans le processus de dépôt.
En résumé, bien qu'il existe de nombreuses variantes de techniques de pulvérisation, les principaux types abordés ici sont la pulvérisation cathodique magnétron et la pulvérisation réactive. Chaque méthode est adaptée à des applications et à des matériaux spécifiques, offrant un contrôle précis du processus de dépôt à diverses fins industrielles et scientifiques.
