Les méthodes de dépôt de silicium comprennent principalement le dépôt physique en phase vapeur (PVD) et le dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ces procédés sont essentiels pour déposer de fines couches de silicium et de ses composés sur des substrats, dont l'épaisseur varie de quelques nanomètres à plusieurs micromètres.
Dépôt physique en phase vapeur (PVD) :
Le dépôt physique en phase vapeur est une méthode dans laquelle les matériaux sont vaporisés en phase gazeuse, puis condensés sur un substrat. Cette technique est souvent utilisée pour déposer des couches minces de métaux et de certains semi-conducteurs. Cependant, les détails spécifiques de l'application PVD pour le dépôt de silicium ne sont pas très détaillés dans la référence fournie.Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) :
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Le dépôt chimique en phase vapeur est une méthode plus couramment utilisée pour le dépôt de silicium. Elle implique la formation de films minces par le biais de réactions chimiques entre des précurseurs gazeux. La référence fournit des informations détaillées sur plusieurs types de films de silicium qui peuvent être déposés par CVD :
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Dépôt de dioxyde de silicium :
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Le dioxyde de silicium (SiO2) est déposé à l'aide de gaz précurseurs de silicium tels que le dichlorosilane ou le silane, combinés à des précurseurs d'oxygène tels que l'oxygène et l'oxyde nitreux. Le processus se déroule généralement à basse pression (de quelques millitorr à quelques torr). Cette méthode est essentielle pour créer des couches de passivation dans les cellules photovoltaïques.Dépôt de nitrure de silicium :
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Les films de nitrure de silicium sont formés à partir de silane et d'ammoniac ou d'azote. Ces films déposés par plasma ne sont pas des nitrures purs en raison de la présence importante d'hydrogène, qui influence les propriétés telles que l'absorption des IR et des UV, la stabilité, les contraintes mécaniques et la conductivité électrique.
Dopage du polysilicium :
Pour modifier les propriétés électriques du polysilicium, celui-ci est souvent dopé. La référence mentionne trois méthodes : le dopage au four, l'implantation ionique et le dopage in situ. Le dopage au four implique le prédépôt de dopants à partir d'un liquide, d'un solide ou d'un gaz, mais ne permet pas de contrôler le processus. L'implantation ionique est préférée pour son contrôle précis de la profondeur du dopage. Le dopage in situ consiste à ajouter des gaz dopants tels que le diborane ou la phosphine pendant le processus de dépôt, ce qui peut compliquer le contrôle du processus dans les réacteurs discontinus, mais est gérable dans les réacteurs à tranche unique.
Dépôt d'autres composés de silicium :
