Comprendre les différences entre le dépôt physique en phase vapeur (PVD) et le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est essentiel pour toute personne impliquée dans les processus de dépôt de couches minces.
5 points clés à comprendre
1. Méthode de création de vapeur
Dans le cas du dépôt en phase vapeur, la vapeur est créée par des moyens physiques tels que le chauffage ou la pulvérisation.
Le dépôt en phase vapeur (CVD) implique des réactions chimiques de précurseurs gazeux sur la surface du substrat pour former un film mince.
2. Nature du processus de dépôt
Le PVD implique l'ionisation de molécules de gaz, qui se dissocient ensuite en atomes et se condensent pour former un film mince.
Le dépôt en phase vapeur (CVD) implique l'introduction d'un gaz dans une chambre de réaction où il réagit chimiquement avec un matériau solide pour créer un film mince.
3. Aspects clés de chaque procédé
L'aspect essentiel du dépôt en phase vapeur est que la formation de la vapeur et le dépôt sont des processus purement physiques, sans réaction chimique.
La caractéristique essentielle de la CVD est la réaction chimique qui se produit à la surface du substrat et qui conduit à la formation du film.
4. Adaptation à des applications spécifiques
Le dépôt en phase vapeur est généralement utilisé pour des films minces de quelques nanomètres à quelques micromètres et n'est pas adapté aux films plus épais ou aux structures tridimensionnelles.
Le dépôt en phase vapeur (PVD) peut être plus polyvalent en fonction de la technique spécifique utilisée.
5. Techniques de dépôt en phase vapeur (PVD) et de dépôt en phase vapeur (CVD)
Dans le cadre du dépôt en phase vapeur, les techniques comprennent l'évaporation par canon électronique, l'évaporation par arc cathodique, la pulvérisation et l'épitaxie par faisceau moléculaire.
Les techniques de dépôt en phase vapeur comprennent le dépôt en phase vapeur thermique (conventionnel) et le dépôt en phase vapeur activé par plasma (PECVD).
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