La pulvérisation RF est un procédé de revêtement spécialisé qui implique plusieurs paramètres clés pour garantir un dépôt de couches minces efficace et de haute qualité.
4 facteurs clés expliqués
Source d'alimentation et tension
La pulvérisation RF utilise une source d'alimentation en courant alternatif.
Cette source fonctionne à une fréquence spécifique de 13,56 MHz.
Cette fréquence permet d'éviter l'accumulation de charges sur les matériaux cibles.
La tension crête à crête est fixée à 1000 V.
Cette tension est essentielle pour maintenir le plasma et assurer une pulvérisation efficace.
Densités d'électrons et pression de la chambre
Les densités d'électrons dans la pulvérisation RF varient de 10^9 à 10^11 cm^-3.
Ces densités influencent l'ionisation du gaz et l'efficacité globale du processus de pulvérisation.
La pression de la chambre est réglée entre 0,5 et 10 mTorr.
Cette pression plus faible réduit les collisions entre les gaz ionisés et améliore l'efficacité du processus de dépôt.
Un environnement à faible pression permet d'obtenir un dépôt plus uniforme et mieux contrôlé.Adéquation des matériaux et vitesse de dépôt
