La principale différence entre la pulvérisation et l'évaporation réside dans la méthode de dépôt des matériaux. La pulvérisation implique l'utilisation d'ions énergétiques qui entrent en collision avec une cible, provoquant le détachement d'atomes et leur dépôt sur un substrat, tandis que l'évaporation consiste à chauffer le matériau source jusqu'à sa température de vaporisation, ce qui provoque sa transformation en vapeur et sa condensation sur un substrat.
Processus de pulvérisation :
La pulvérisation, un procédé connu sous le nom de dépôt physique en phase vapeur (PVD), utilise des atomes de plasma énergisés (généralement de l'argon en raison de sa nature inerte). Ces atomes sont chargés positivement et sont dirigés vers un matériau cible chargé négativement. Sous l'impact de ces ions, des atomes du matériau cible sont arrachés (pulvérisés) et déposés sur un substrat, formant ainsi un film mince. Ce processus se déroule sous vide et à des températures inférieures à celles de l'évaporation. La pulvérisation est avantageuse car elle permet d'obtenir une meilleure couverture du revêtement sur des substrats complexes et de produire des films minces d'une grande pureté. Le procédé bénéficie également d'un champ magnétique fermé, qui piège mieux les électrons, ce qui améliore l'efficacité et la qualité du film.Processus d'évaporation :
L'évaporation, en particulier l'évaporation thermique, consiste à chauffer un matériau source à une température supérieure à son point de vaporisation. Le matériau se transforme alors en vapeur, qui se condense ensuite sur un substrat, formant un film mince. Cette méthode peut être réalisée au moyen de diverses techniques telles que l'évaporation thermique résistive et l'évaporation par faisceau d'électrons. Contrairement à la pulvérisation cathodique, qui fonctionne dans un environnement plasma avec des températures et des énergies cinétiques élevées, l'évaporation repose sur la température du matériau source, ce qui implique généralement des énergies cinétiques plus faibles et réduit donc le risque d'endommager le substrat.
Comparaison et application :
