Le mécanisme de la pulvérisation réactive implique une réaction chimique entre les atomes pulvérisés à partir d'une cible métallique et les molécules de gaz réactif diffusées à partir d'un gaz de décharge sur le substrat. Cette réaction produit des couches minces composées, qui servent de matériau de revêtement sur le substrat.
Lors de la pulvérisation réactive, un gaz non inerte, tel que l'oxygène ou l'azote, est introduit dans la chambre de pulvérisation avec un matériau cible élémentaire, tel que le silicium. Lorsque les molécules de métal de la cible atteignent la surface du substrat, elles réagissent avec les molécules de gaz réactif pour former un nouveau composé. Ce composé est ensuite déposé sous forme de film mince sur le substrat.
Les gaz réactifs utilisés dans le processus, tels que l'azote ou l'oxygène, réagissent chimiquement avec les molécules de métal à la surface du substrat, ce qui entraîne la formation d'un revêtement dur. Le procédé de pulvérisation réactive combine les principes de la pulvérisation conventionnelle et du dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Il implique l'utilisation d'une grande quantité de gaz réactif pour la croissance du film, l'excès de gaz étant pompé. La pulvérisation des métaux est plus rapide que celle des composés, qui est plus lente.
L'introduction d'un gaz réactif dans la chambre de pulvérisation, tel que l'oxygène ou l'azote, permet de produire des films d'oxyde ou de nitrure, respectivement. La composition du film peut être contrôlée en ajustant les pressions relatives des gaz inertes et réactifs. La stœchiométrie du film est un paramètre important pour optimiser les propriétés fonctionnelles, telles que la tension dans le SiNx et l'indice de réfraction du SiOx.
La pulvérisation réactive nécessite un contrôle approprié des paramètres tels que la pression partielle des gaz de travail (ou inertes) et des gaz réactifs afin d'obtenir les dépôts souhaités. Le processus présente un comportement de type hystérésis, ce qui rend nécessaire la recherche de points de travail idéaux pour un dépôt de film efficace. Des modèles, tels que le modèle Berg, ont été proposés pour estimer l'impact du gaz réactif sur les processus de pulvérisation.
En résumé, la pulvérisation réactive est une variante du processus de pulvérisation plasma dans laquelle une réaction chimique se produit entre les atomes pulvérisés et les gaz réactifs, ce qui entraîne le dépôt de films minces composés sur un substrat. La composition du film peut être contrôlée en ajustant les pressions relatives des gaz inertes et réactifs.
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