L'intensité du champ magnétique du magnétron varie généralement de 100 à 1000 Gauss (0,01 à 0,1 Tesla). Ce champ magnétique est crucial dans le processus de pulvérisation magnétron, car il influence la génération du plasma et l'uniformité du dépôt des matériaux sur le substrat.
Calcul de l'intensité du champ magnétique :
- L'intensité du champ magnétique dans un système de pulvérisation magnétron peut être calculée à l'aide de la formule suivante :
- [ B = \frac{\mu_0}{4\pi} \frac{M \times N}{r \times t} ]
- Où :
- ( B ) est l'intensité du champ magnétique.
- ( \mu_0 ) est la perméabilité de l'espace libre.
- ( M ) est l'aimantation de l'aimant.
( N ) est le nombre d'aimants.
( r ) est la distance entre le centre de la cible et les aimants.( t ) est l'épaisseur des aimants.
Cette formule permet de déterminer la configuration et l'intensité appropriées du champ magnétique afin d'optimiser le processus de pulvérisation. Le champ magnétique est conçu pour guider les ions gazeux, les faisant spiraler le long des lignes de champ, augmentant ainsi leurs collisions avec la surface de la cible. Cela permet non seulement d'augmenter le taux de pulvérisation, mais aussi de garantir un dépôt plus uniforme du matériau pulvérisé sur le substrat.Rôle du champ magnétique dans la génération du plasma :
Le champ magnétique produit par l'assemblage magnétique joue un rôle important dans le processus de génération du plasma. En amenant les ions gazeux à spiraler le long des lignes de champ, la probabilité de collisions avec la surface de la cible augmente, ce qui accroît le taux de pulvérisation. Ce mécanisme permet d'assurer un dépôt plus uniforme du matériau pulvérisé sur le substrat. Le plasma est généralement généré à l'aide d'une alimentation en courant continu pulsé, qui applique une tension élevée au gaz à une fréquence de plusieurs kHz. Cette alimentation pulsée permet non seulement de maintenir la stabilité du plasma, mais aussi de contrôler les propriétés du matériau pulvérisé.Impact sur les propriétés du plasma et du revêtement :
