Les matériaux déposés par PECVD comprennent une variété d'éléments et de composés, tels que le carbone sous forme de diamant et de films de type diamant, les métaux, les oxydes, les nitrures et les borures. Les films couramment déposés sont le polysilicium, les oxydes dopés et non dopés et les nitrures.
Résumé :
La PECVD est une technique de dépôt à basse température qui utilise le plasma pour améliorer le processus de dépôt. Elle permet de déposer une large gamme de matériaux, notamment des films à base de silicium, du carbone de type diamant et divers composés métalliques.
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Explication détaillée :
- Films à base de silicium :Polysilicium :
- Utilisé dans les dispositifs semi-conducteurs, le polysilicium est déposé par PECVD à basse température, ce qui est crucial pour maintenir l'intégrité du substrat.Oxyde de silicium et nitrure de silicium :
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Ces matériaux sont couramment utilisés comme isolants et couches de passivation dans les dispositifs microélectroniques. La PECVD permet de les déposer à des températures inférieures à 400°C, ce qui est bénéfique pour les substrats sensibles à la température.
- Carbone de type diamant (DLC) :
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Le DLC est une forme de carbone amorphe d'une grande dureté. Il est utilisé dans les applications nécessitant une grande résistance à l'usure et une faible friction. Le dépôt PECVD est efficace pour déposer du DLC en raison de sa capacité à gérer des chimies complexes à basse température.
- Composés métalliques :Oxydes, nitrures et borures :
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Ces matériaux sont utilisés dans diverses applications, notamment les revêtements durs, les isolants électriques et les barrières de diffusion. La capacité de la PECVD à déposer ces matériaux à basse température lui permet de s'adapter à une large gamme de substrats.
- Applications :
Les films PECVD font partie intégrante de nombreux dispositifs, servant d'encapsulants, de couches de passivation, de masques durs et d'isolants. Ils sont également utilisés dans les revêtements optiques, l'accord des filtres RF et comme couches sacrificielles dans les dispositifs MEMS.Correction et révision :
