La technique de dépôt utilisée pour le dépôt de métaux peut varier en fonction des exigences spécifiques du dispositif semi-conducteur en cours de fabrication. Les principales techniques mentionnées dans la référence comprennent le dépôt électrochimique (ECD), le placage métallique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt par couche atomique (ALD), l'évaporation par faisceau d'électrons et la pulvérisation cathodique.
Dépôt électrochimique (ECD) et placage métallique :
Le dépôt électrochimique est spécifiquement utilisé pour créer le "câblage" en cuivre qui relie les dispositifs d'un circuit intégré. Cette technique est cruciale pour la formation de chemins conducteurs en microélectronique. Le placage métallique, qui est similaire à la DPE, est également utilisé pour déposer des métaux comme le cuivre, en particulier dans des applications telles que les vias à travers le silicium et l'emballage au niveau de la plaquette de silicium. Ces méthodes sont efficaces pour créer des couches conductrices qui font partie intégrante de la fonctionnalité électrique du dispositif.Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et dépôt de couches atomiques (ALD) :
Le dépôt en phase vapeur et le dépôt en phase atomique sont utilisés pour déposer de fines couches de matériaux avec une grande précision. La CVD implique la décomposition de produits chimiques sur la surface du substrat pour déposer un film, tandis que l'ALD n'ajoute que quelques couches d'atomes à la fois, ce qui permet un dépôt extrêmement précis et contrôlé. Ces techniques sont utilisées pour créer de minuscules connecteurs en tungstène et de minces barrières, qui nécessitent une précision et une uniformité élevées.
Évaporation par faisceau d'électrons :
L'évaporation par faisceau d'électrons utilise un faisceau d'électrons pour chauffer le matériau en question dans le vide, ce qui provoque sa vaporisation et son dépôt sur un substrat. Cette méthode est particulièrement utile pour le dépôt de métaux et d'alliages, car elle permet de traiter des matériaux ayant des pressions de vapeur différentes en contrôlant séparément les taux d'évaporation. L'évaporation par faisceau d'électrons est efficace pour déposer de minces films métalliques sur les surfaces, ce qui est essentiel pour les processus de métallisation dans la fabrication des semi-conducteurs.Pulvérisation :
La pulvérisation est une autre méthode utilisée pour déposer des métaux, en particulier des alliages. Elle implique l'éjection d'atomes d'un matériau cible solide par bombardement de particules énergétiques, généralement dans le vide. Cette technique est efficace pour les alliages car elle permet de déposer uniformément des matériaux aux propriétés différentes, surmontant ainsi les difficultés rencontrées dans les méthodes d'évaporation.
