Four CVD & PECVD
Équipement de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma incliné pour le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) pour fours tubulaires
Numéro d'article : KT-PED
Le prix varie en fonction de Spécifications et personnalisations
- température de chauffage du porte-échantillon
- ≤800℃
- canaux de purge de gaz
- 4 canaux
- taille de la chambre à vide
- Φ500mm × 550 mm
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Introduction
Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) est un processus de dépôt de couches minces sous vide qui utilise des vapeurs ou des gaz comme précurseurs pour créer un revêtement. Le PECVD est une variation du dépôt chimique en phase vapeur (CVD) qui utilise du plasma au lieu de la chaleur pour activer le gaz ou la vapeur source. Comme les températures élevées peuvent être évitées, la gamme de substrats possibles s'étend aux matériaux à bas point de fusion – même les plastiques dans certains cas. De plus, la gamme de matériaux de revêtement qui peuvent être déposés s'élargit également. Le PECVD est utilisé pour déposer une grande variété de matériaux, y compris des diélectriques, des semi-conducteurs, des métaux et des isolants. Les revêtements PECVD sont utilisés dans une grande variété d'applications, y compris les cellules solaires, les écrans plats et la microélectronique.
Applications
Les machines de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) offrent une solution polyvalente pour diverses industries et applications :
- Éclairage LED : Dépôt de films diélectriques et semi-conducteurs de haute qualité pour les diodes électroluminescentes (LED).
- Semi-conducteurs de puissance : Formation de couches isolantes, d'oxydes de grille et d'autres composants critiques dans les dispositifs à semi-conducteurs de puissance.
- MEMS : Fabrication de couches minces pour les systèmes microélectromécaniques (MEMS), tels que les capteurs et les actionneurs.
- Revêtements optiques : Dépôt de revêtements antireflets, de filtres optiques et d'autres composants optiques.
- Cellules solaires à couches minces : Production de couches minces de silicium amorphe et microcristallin pour les dispositifs de cellules solaires.
- Modification de surface : Amélioration des propriétés de surface, telles que la résistance à la corrosion, la résistance à l'usure et la biocompatibilité.
- Nanotechnologie : Synthèse de nanomatériaux, y compris les nanoparticules, les nanofils et les couches minces.
Caractéristiques
La machine de revêtement par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) offre de nombreux avantages qui améliorent la productivité et fournissent des résultats exceptionnels :
- Dépôt à basse température : Permet la formation de films de haute qualité à des températures nettement inférieures à celles des méthodes CVD traditionnelles, ce qui le rend adapté aux substrats délicats.
- Débits de dépôt élevés : Maximise l'efficacité en déposant rapidement les films, réduisant le temps de production et augmentant le rendement.
- Films uniformes et résistants aux fissures : Assure des propriétés de film cohérentes et minimise le risque de fissures, conduisant à des revêtements fiables et durables.
- Excellente adhérence aux substrats : Assure une liaison solide entre le film et le substrat, garantissant des performances durables et empêchant la délamination.
- Capacités de revêtement polyvalentes : Permet le dépôt d'une large gamme de matériaux, y compris SiO2, SiNx et SiOxNy, pour répondre aux exigences d'applications diverses.
- Personnalisation pour les géométries complexes : S'adapte aux substrats aux formes complexes, assurant un revêtement uniforme et des performances optimales.
- Faible maintenance et installation facile : Minimise les temps d'arrêt et simplifie l'installation, améliorant la productivité et la rentabilité.
Spécifications techniques
| Porte-échantillon | Taille | 1-6 pouces |
| Vitesse de rotation | 0-20 tr/min réglable | |
| Température de chauffage | ≤800℃ | |
| Précision de contrôle | ±0,5℃ Contrôleur PID SHIMADEN | |
| Purge de gaz | Débitmètre | CONTRÔLEUR DE DÉBITMASSIQUE (MFC) |
| Canaux | 4 canaux | |
| Méthode de refroidissement | Refroidissement par eau en circulation | |
| Chambre à vide | Taille de la chambre | Φ500mm X 550mm |
| Port d'observation | Port de visualisation complet avec déflecteur | |
| Matériau de la chambre | Acier inoxydable 316 | |
| Type de porte | Porte à ouverture frontale | |
| Matériau du capuchon | Acier inoxydable 304 | |
| Port de pompe à vide | Bride CF200 | |
| Port d'entrée de gaz | Connecteur VCR φ6 | |
| Puissance plasma | Puissance source | Puissance CC ou puissance RF |
| Mode de couplage | Couplé par induction ou capacitif à plaque | |
| Puissance de sortie | 500W—1000W | |
| Puissance de polarisation | 500v | |
| Pompe à vide | Pré-pompe | Pompe à vide à palettes 15L/S |
| Port de pompe turbo | Bride CF150/CF200 620L/S-1600L/S | |
| Port de décharge | KF25 | |
| Vitesse de pompage | Pompe à palettes : 15L/s, Pompe turbo : 1200l/s ou 1600l/s | |
| Degré de vide | ≤5×10-5Pa | |
| Capteur de vide | Jauge de vide à ionisation/résistance/jauge de film | |
| Système | Alimentation électrique | 220V /380 50Hz CA |
| Puissance nominale | 5kW | |
| Dimensions | 900mm X 820mm X870mm | |
| Poids | 200kg |
Principe
Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) utilise le plasma pour stimuler les réactions chimiques pendant le dépôt, permettant la formation de films solides de haute qualité à basse température. En utilisant du plasma à haute énergie, les machines PECVD augmentent les vitesses de réaction et abaissent les températures de réaction. Cette technique est largement utilisée dans l'éclairage LED, les semi-conducteurs de puissance et les MEMS. Elle permet le dépôt de SiO2, SiNx, SiOxNy et d'autres films médians, ainsi que le dépôt à haute vitesse de films épais de SiO sur des substrats composites. Le PECVD offre une excellente qualité de formation de film, minimise les trous d'épingle et réduit les fissures, ce qui le rend adapté à la production de dispositifs de cellules solaires à couches minces de silicium amorphe et microcristallin.
Avantage
- Capacité à déposer divers matériaux : Le PECVD peut déposer une large gamme de matériaux, y compris le carbone de type diamant, les composés de silicium et les oxydes métalliques, permettant la création de films aux propriétés adaptées.
- Fonctionnement à basse température : Le PECVD fonctionne à basse température (généralement 300-450°C), ce qui le rend adapté aux substrats sensibles à la chaleur.
- Films minces de haute qualité : Le PECVD produit des films minces d'une uniformité exceptionnelle, d'un contrôle d'épaisseur précis et d'une résistance aux fissures.
- Excellente adhérence : Les films déposés par PECVD présentent une forte adhérence au substrat, garantissant durabilité et fiabilité.
- Revêtement conforme : Le PECVD permet le revêtement de géométries complexes, offrant une couverture et une protection uniformes.
- Débits de dépôt élevés : Le PECVD offre des débits de dépôt rapides, augmentant la productivité et réduisant le temps de production.
- Faible maintenance : Les systèmes PECVD sont conçus pour une faible maintenance, minimisant les temps d'arrêt et maximisant les temps de fonctionnement.
- Installation facile : L'équipement PECVD est relativement facile à installer et à intégrer dans les lignes de production existantes.
- Conception rigide : Les systèmes PECVD sont construits avec des conceptions robustes, assurant stabilité et performances durables.
- Longue durée de vie : Les systèmes PECVD sont conçus pour la longévité, offrant une solution rentable pour les besoins de dépôt de couches minces à long terme.
Avertissements
La sécurité des opérateurs est la question la plus importante ! Veuillez faire fonctionner l'équipement avec des précautions. Travailler avec des gaz inflammables, explosifs ou toxiques est très dangereux, les opérateurs doivent prendre toutes les précautions nécessaires avant de démarrer le équipement. Travailler en pression positive à l’intérieur des réacteurs ou des chambres est dangereux, l'opérateur doit suivre strictement les procédures de sécurité. Supplémentaire des précautions doivent également être prises lors de l'utilisation de matériaux réactifs à l'air, surtout sous vide. Une fuite peut aspirer de l'air dans l'appareil et provoquer un une réaction violente se produit.
Conçu pour vous
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FAQ
Qu'est-ce Que La Méthode PECVD ?
Qu'est-ce Que Mpcvd ?
A Quoi Sert Le PECVD ?
Qu'est-ce Qu'une Machine Mpcvd ?
Quels Sont Les Avantages Du PECVD ?
Quels Sont Les Avantages De Mpcvd ?
Quelle Est La Différence Entre ALD Et PECVD ?
Les Diamants CVD Sont-ils Vrais Ou Faux ?
Quelle Est La Différence Entre Le PECVD Et La Pulvérisation ?
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Produits
Équipement de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma incliné pour le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) pour fours tubulaires
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