La pulvérisation magnétron diffère des autres méthodes de pulvérisation, principalement en raison de l'utilisation d'un champ magnétique pour améliorer le processus de pulvérisation, ce qui entraîne des taux de dépôt plus élevés et une meilleure qualité de film. Cette méthode implique le confinement des électrons près de la surface de la cible, ce qui augmente la densité des ions et donc l'efficacité du processus de pulvérisation.
Efficacité et vitesse de dépôt accrues :
La pulvérisation magnétron utilise à la fois un champ électrique et un champ magnétique pour confiner les particules près de la surface de la cible. Ce confinement augmente la densité des ions, ce qui accroît la vitesse à laquelle les atomes sont éjectés du matériau cible. La formule du taux de pulvérisation dans la pulvérisation magnétron à courant continu met en évidence les facteurs qui influencent ce taux, tels que la densité du flux d'ions, les propriétés du matériau cible et la configuration du champ magnétique. La présence d'un champ magnétique permet d'utiliser le processus de pulvérisation à des pressions et des tensions plus faibles que les méthodes de pulvérisation conventionnelles, qui nécessitent généralement des pressions et des tensions plus élevées.Types de techniques de pulvérisation magnétron :
Il existe plusieurs variantes de la pulvérisation magnétron, notamment la pulvérisation magnétron à courant continu, la pulvérisation magnétron à courant continu pulsé et la pulvérisation magnétron à radiofréquence. Chacune de ces techniques présente des caractéristiques et des avantages uniques. Par exemple, la pulvérisation magnétron à courant continu utilise une alimentation en courant continu pour générer un plasma, qui est ensuite utilisé pour pulvériser le matériau cible. Le champ magnétique dans cette configuration permet d'augmenter la vitesse de pulvérisation et d'assurer un dépôt plus uniforme du matériau pulvérisé sur le substrat.
Confinement des électrons et du plasma :
