Les deux principales méthodes de dépôt sont le dépôt physique en phase vapeur (PVD) et le dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
1. Dépôt physique en phase vapeur (PVD) : Dans le dépôt en phase vapeur, une vapeur est créée en chauffant ou en pulvérisant un matériau solide et la vapeur se condense sur un substrat pour former un film mince. La vapeur est composée d'atomes et de molécules qui se condensent simplement sur le substrat sans subir de réaction chimique. Les méthodes de dépôt en phase vapeur comprennent l'évaporation et la pulvérisation.
2. Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) : Dans le dépôt chimique en phase vapeur, une vapeur subit une réaction chimique à la surface du substrat pour former un film mince. La réaction est généralement initiée en faisant réagir un fluide précurseur avec le substrat. Les méthodes de dépôt en phase vapeur comprennent le dépôt en bain chimique, la galvanoplastie, l'épitaxie par faisceau moléculaire, l'oxydation thermique et le dépôt en phase vapeur assisté par plasma (PECVD).
Le dépôt en phase vapeur (PVD) et le dépôt en phase vapeur (CVD) sont tous deux utilisés pour créer des films minces de différents matériaux sur divers substrats. Le choix entre les deux méthodes dépend de facteurs tels que le coût, l'épaisseur du film, la disponibilité du matériau source et le contrôle de la composition. Le PVD convient aux situations où une simple condensation d'atomes ou de molécules suffit, tandis que le CVD est préféré lorsqu'une réaction chimique est nécessaire pour former la couche mince souhaitée.
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