Le processus de pulvérisation est une technique sophistiquée utilisée pour déposer des couches minces sur différents substrats. Voici une description détaillée des sept étapes clés du processus :
1. Chambre à vide
La chambre de dépôt est mise sous vide à une pression d'environ 10-6 torr.
La création d'un environnement sous vide est cruciale pour la propreté et le contrôle du processus.
Il permet d'allonger le parcours libre moyen, ce qui contribue à obtenir un dépôt plus uniforme et plus régulier.
2. Introduction du gaz de pulvérisation
Des gaz inertes tels que l'argon ou le xénon sont introduits dans la chambre.
Ces gaz seront utilisés pour créer un environnement plasma.
3. Génération du plasma
Une tension est appliquée entre deux électrodes placées dans la chambre, générant une décharge lumineuse.
Cette décharge crée un plasma composé d'électrons libres et d'ions positifs.
4. Ionisation du gaz de pulvérisation
Dans le plasma, les électrons libres entrent en collision avec les atomes du gaz de pulvérisation, ce qui entraîne la séparation des électrons des atomes du gaz.
Il en résulte la formation d'ions positifs dans le gaz de pulvérisation.
5. Accélération des ions positifs
Sous l'effet de la tension appliquée, les ions positifs du gaz de pulvérisation accélèrent vers la cathode, qui est l'électrode chargée négativement.
Cette accélération est induite par les champs électriques présents dans la chambre.
6. Érosion de la cibleLes ions positifs accélérés entrent en collision avec le matériau cible, qui est la source du matériau de revêtement.Ces collisions provoquent l'éjection ou la pulvérisation d'atomes du matériau cible.7. Dépôt de couches mincesLes atomes pulvérisés traversent la chambre de dépôt sous vide et se déposent sous la forme d'un film mince sur la surface du substrat.
