La vitesse de dépôt de l'évaporation par faisceau d'électrons est un facteur crucial pour l'efficacité du processus.
Cette vitesse peut varier considérablement, allant de 0,1 nm par minute à 100 nm par minute.
La vitesse de dépôt élevée est principalement due au transfert direct de l'énergie du faisceau d'électrons au matériau cible.
Cette méthode est particulièrement efficace pour les métaux à point de fusion élevé.
Le procédé consiste à utiliser un faisceau d'électrons focalisé pour chauffer et évaporer les métaux.
La température des électrons au cours de ce processus est généralement d'environ 3 000 °C.
Une source de tension continue de 100 kV est utilisée pour accélérer les électrons vers le matériau cible.
Ce chauffage localisé au site de bombardement du faisceau sur la surface de la source garantit une contamination minimale.
Lorsque les électrons chauffés frappent le matériau de la source, leur énergie cinétique est convertie en énergie thermique.
Cette énergie thermique chauffe la surface de la source, ce qui entraîne la production de vapeur.
Lorsque les températures sont suffisamment élevées, la vapeur est produite et recouvre la surface du substrat.
Le processus est hautement contrôlable et reproductible.
Il est également compatible avec l'utilisation d'une source d'ions pour améliorer les caractéristiques de performance des couches minces.
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