Le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) est une technique polyvalente utilisée pour déposer une large gamme de matériaux, notamment l'oxyde de silicium, le dioxyde de silicium, le nitrure de silicium, le carbure de silicium, le carbone de type diamant (DLC) et le silicium amorphe. Cette méthode est particulièrement intéressante en raison de sa capacité à produire des films stœchiométriques très uniformes avec de faibles contraintes à des températures inférieures à 400°C.
Films à base de silicium :
La PECVD est largement utilisée pour déposer des films à base de silicium tels que l'oxyde de silicium, le dioxyde de silicium et le nitrure de silicium. Ces matériaux sont essentiels dans l'industrie des semi-conducteurs, où ils servent d'encapsulants, de couches de passivation, de masques durs et d'isolants. La basse température de dépôt (100°C - 400°C) de la PECVD est bénéfique pour les dispositifs sensibles à la température, car elle permet la formation de ces films sans endommager le substrat sous-jacent.Films à base de carbone :
Le carbone de type diamant (DLC) et d'autres films à base de carbone sont également déposés par PECVD. Ces matériaux sont connus pour leurs excellentes propriétés mécaniques et électriques, ce qui les rend appropriés pour des applications dans des revêtements résistants à l'usure, des revêtements optiques et comme couches protectrices dans divers appareils électroniques.
Autres matériaux :
La technologie PECVD a évolué pour inclure le dépôt de divers autres matériaux tels que les métaux, les oxydes, les nitrures et les borures. Ces matériaux sont utilisés dans un large éventail d'applications, depuis les dispositifs MEMS jusqu'à l'accord des filtres RF et comme couches sacrificielles. La capacité de la PECVD à traiter des molécules inorganiques et organiques élargit son champ d'application à différentes industries.
Progrès technologiques :
