Le dépôt par pulvérisation est une méthode populaire pour créer des couches minces, mais il est généralement plus lent que le dépôt par évaporation.
Pourquoi le dépôt par pulvérisation est plus lent que le dépôt par évaporation ? 4 raisons principales expliquées
1. Dommages causés au substrat par le plasma
La pulvérisation cathodique utilise un plasma qui génère des atomes à grande vitesse qui bombardent le substrat.
Ce bombardement peut endommager le substrat et ralentir le processus de dépôt.
En revanche, le dépôt par évaporation implique l'évaporation d'atomes à partir d'une source, ce qui se traduit généralement par un nombre plus faible d'atomes à grande vitesse.
2. Introduction d'impuretés
La pulvérisation fonctionne sous un vide moins poussé que le dépôt par évaporation, ce qui peut introduire des impuretés dans le substrat.
Le plasma utilisé dans la pulvérisation a une plus grande tendance à introduire des impuretés que les conditions de vide plus élevées utilisées dans le dépôt par évaporation.
3. Température et vitesse de dépôt plus faibles
La pulvérisation est réalisée à une température plus basse que l'évaporation par faisceau d'électrons, ce qui affecte la vitesse de dépôt.
La pulvérisation a une vitesse de dépôt plus faible, en particulier pour les diélectriques.
Cependant, la pulvérisation fournit une meilleure couverture de revêtement pour les substrats plus complexes et est capable de produire des films minces d'une grande pureté.
4. Contrôle limité de l'épaisseur du film
Le dépôt par pulvérisation permet des vitesses de dépôt élevées sans limitation d'épaisseur, mais il ne permet pas un contrôle précis de l'épaisseur du film.
En revanche, le dépôt par évaporation permet un meilleur contrôle de l'épaisseur du film.
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