La vitesse de dépôt par pulvérisation est influencée par plusieurs facteurs, notamment les paramètres de pulvérisation, la vitesse de pulvérisation et les propriétés physiques du matériau cible. Il est difficile de la calculer avec précision en raison des nombreuses variables impliquées, et il est souvent plus pratique de mesurer l'épaisseur réelle du revêtement déposé à l'aide d'un moniteur d'épaisseur.
Paramètres de pulvérisation et vitesse de dépôt :
La vitesse de dépôt dans la pulvérisation est affectée par divers paramètres tels que le courant de pulvérisation, la tension de pulvérisation, la pression dans la chambre d'échantillonnage, la distance entre la cible et l'échantillon, le gaz de pulvérisation, l'épaisseur de la cible, le matériau de la cible et le(s) matériau(x) de l'échantillon. Chacune de ces variables peut influencer la quantité de matériau effectivement déposée sur la surface de l'échantillon. Par exemple, l'augmentation du courant ou de la tension de pulvérisation peut améliorer la vitesse à laquelle le matériau est éjecté de la cible, ce qui peut augmenter la vitesse de dépôt. Cependant, ces changements doivent être équilibrés avec la nécessité de maintenir un plasma stable et d'éviter d'endommager la cible ou l'échantillon.Vitesse de pulvérisation et vitesse de dépôt :
La vitesse de pulvérisation, qui est le nombre de monocouches par seconde pulvérisées sur la surface d'une cible, est un facteur clé dans la détermination de la vitesse de dépôt. Elle est calculée à l'aide de la formule suivante
[ \text{Taux de pulvérisation} = \frac{MSj}{pN_Ae} ]où ( M ) est le poids molaire de la cible, ( p ) est la densité du matériau, ( j ) est la densité du courant ionique, ( N_A ) est le nombre d'Avogadro et ( e ) est la charge électronique. Cette équation montre que la vitesse de pulvérisation dépend des propriétés physiques du matériau de la cible et de l'énergie appliquée pendant le processus de pulvérisation. Les atomes pulvérisés forment alors un film mince sur le substrat, la vitesse de dépôt étant influencée par l'efficacité avec laquelle ces atomes sont transférés de la cible au substrat.
Propriétés physiques du matériau cible :
