La pulvérisation cathodique est une technique de dépôt physique en phase vapeur (PVD) utilisée pour déposer des couches minces sur des substrats. Elle implique l'utilisation d'une tension de courant continu (CC) pour créer un plasma dans un environnement gazeux à basse pression, généralement de l'argon. Le processus implique le bombardement d'un matériau cible avec des ions argon, ce qui provoque l'éjection d'atomes de la cible et leur dépôt ultérieur sur un substrat, formant ainsi un film mince.
Mécanisme de la pulvérisation cathodique :
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Création d'un vide :
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Le processus commence par la création d'un vide dans la chambre de pulvérisation. Cette étape est cruciale pour plusieurs raisons : elle garantit la propreté et améliore le contrôle du processus en augmentant le libre parcours moyen des particules. Dans le vide, les particules peuvent parcourir de plus longues distances sans entrer en collision, ce qui permet aux atomes pulvérisés d'atteindre le substrat sans interférence, d'où un dépôt plus uniforme et plus lisse.Formation de plasma et bombardement ionique :
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Une fois le vide établi, la chambre est remplie d'un gaz inerte, généralement de l'argon. Une tension continue est appliquée entre la cible (cathode) et le substrat (anode), ce qui crée une décharge de plasma. Dans ce plasma, les atomes d'argon sont ionisés en ions argon. Ces ions sont accélérés vers la cible chargée négativement par le champ électrique et acquièrent ainsi de l'énergie cinétique.
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Pulvérisation du matériau cible :
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Les ions argon énergétiques entrent en collision avec le matériau cible, ce qui provoque l'éjection des atomes de la cible. Ce processus, connu sous le nom de pulvérisation cathodique, repose sur le transfert d'énergie des ions à haute énergie vers les atomes de la cible. Les atomes de la cible éjectés sont à l'état de vapeur et sont appelés atomes pulvérisés.Dépôt sur le substrat :
Les atomes pulvérisés traversent le plasma et se déposent sur le substrat, qui est maintenu à un potentiel électrique différent. Ce processus de dépôt aboutit à la formation d'un film mince sur la surface du substrat. Les propriétés du film, telles que l'épaisseur et l'uniformité, peuvent être contrôlées en ajustant des paramètres tels que la tension, la pression du gaz et la distance entre la cible et le substrat.
Contrôle et applications :
