Les procédés de dépôt chimique sont un ensemble de techniques utilisées pour déposer des couches minces ou épaisses de matériaux sur un substrat. Ces procédés sont essentiels dans diverses industries, notamment l'électronique et l'optique, pour créer des revêtements qui modifient les propriétés du substrat. Les principaux types de dépôt chimique sont le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt par couches atomiques (ALD).
Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) :
- Le dépôt en phase vapeur est un procédé dans lequel des précurseurs gazeux sont transportés jusqu'à la surface d'un substrat où ils subissent des réactions chimiques pour former une couche solide. Le processus comporte plusieurs étapes :Transport des espèces gazeuses en réaction :
- Les gaz contenant les éléments chimiques souhaités sont introduits dans la chambre de dépôt et transportés jusqu'au substrat.Adsorption des espèces :
- Les espèces gazeuses adhèrent à la surface du substrat.Réactions hétérogènes catalysées par la surface :
- Des réactions chimiques se produisent à la surface, facilitées par le substrat ou des catalyseurs supplémentaires.Diffusion en surface des espèces vers les sites de croissance :
- Les espèces réactives se déplacent à travers la surface pour former une couche uniforme.Nucléation et croissance du film :
- Les molécules nouvellement formées commencent à se regrouper, formant un film continu.Désorption des produits de réaction gazeux :
Les sous-produits de la réaction sont éliminés de la surface et transportés hors de la chambre.
Les techniques de dépôt en phase vapeur peuvent varier, comme le dépôt chimique en phase vapeur à pression atmosphérique (APCVD), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) et le dépôt chimique en phase vapeur assisté par aérosol, chacune étant adaptée à des applications et à des matériaux spécifiques.Dépôt par couche atomique (ALD) :
L'ALD est une version plus contrôlée de la CVD, dans laquelle le processus de dépôt est divisé en cycles autolimités, ce qui permet un contrôle précis de l'épaisseur et de l'uniformité de la couche déposée. Chaque cycle implique généralement deux gaz précurseurs ou plus qui sont introduits de manière séquentielle. Le premier précurseur s'adsorbe sur la surface, saturant tous les sites disponibles, suivi par l'introduction d'un second précurseur qui réagit avec le premier. Ce processus est répété pour obtenir l'épaisseur de couche souhaitée, atome par atome.
Autres méthodes de dépôt :
