Le processus de dépôt chimique en phase vapeur par plasma à haute densité (HDPCVD) est une technique sophistiquée utilisée dans la fabrication des semi-conducteurs.
Il permet de déposer des couches minces à des températures plus basses avec une qualité et une densité plus élevées par rapport aux méthodes conventionnelles de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD).
Ce procédé est particulièrement efficace pour combler les lacunes diélectriques microscopiques, telles que celles que l'on trouve dans l'isolation des tranchées peu profondes (STI) et les couches diélectriques intermédiaires dans les technologies avancées des semi-conducteurs.
Qu'est-ce que le procédé de dépôt chimique en phase vapeur par plasma à haute densité ? 5 étapes clés expliquées
1. Préparation et installation
Le processus commence par la préparation d'un substrat semi-conducteur et son placement dans une chambre de traitement spécialisée.
2. Génération d'un plasma à haute densité
De l'oxygène et un gaz source de silicium sont introduits dans la chambre pour générer un plasma à haute densité.
Ce plasma est formé à l'aide d'une source de plasma à couplage inductif, qui est plus efficace que le plasma à couplage capacitif utilisé dans la PECVD.
3. Dépôt et gravure simultanés
L'aspect unique de la HDPCVD est sa capacité à effectuer un dépôt et une gravure simultanés dans la même chambre.
Ceci est possible en contrôlant le flux d'ions et l'énergie de manière indépendante, ce qui permet de remplir des espaces à haut rapport d'aspect sans former de vides ou d'étranglements.
4. Contrôle de la température
Le substrat est chauffé à une température comprise entre 550 et 700 degrés Celsius pendant le processus, ce qui garantit des conditions optimales pour le dépôt et la gravure du film.
5. Injection de gaz
Divers gaz, dont l'oxygène, les gaz sources de silicium (comme le silane ou le disilane) et les gaz de gravure (comme le fluorure de silicium) sont soigneusement injectés dans la chambre pour faciliter les processus de dépôt et de gravure.
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