L'avantage de la pulvérisation assistée par magnétisme, en particulier la pulvérisation magnétron, réside dans sa capacité à améliorer la vitesse de dépôt et l'efficacité du processus de pulvérisation, tout en permettant l'utilisation d'une large gamme de matériaux sans qu'il soit nécessaire de les faire fondre ou de les évaporer. Ce résultat est obtenu grâce à l'utilisation d'un champ magnétique qui confine les électrons près de la surface de la cible, augmentant ainsi la densité du plasma et le taux de collisions des ions avec le matériau cible.
Amélioration de la vitesse de dépôt et de l'efficacité :
La pulvérisation magnétron utilise un champ magnétique en conjonction avec un champ électrique pour confiner les électrons près de la surface de la cible. Ce confinement entraîne un mouvement cycloïde des électrons, ce qui augmente la longueur de leur trajet dans le plasma. Par conséquent, ces électrons ont plus d'occasions d'entrer en collision avec les molécules de gaz et de les ioniser, ce qui entraîne un taux d'ionisation plus élevé. Cette densité ionique plus élevée permet un processus de pulvérisation plus efficace, car davantage d'ions sont disponibles pour bombarder le matériau cible, ce qui entraîne un taux d'éjection d'atomes plus rapide et, par conséquent, un taux de dépôt plus élevé sur le substrat.Polyvalence dans l'utilisation des matériaux :
Contrairement à d'autres techniques de pulvérisation, la pulvérisation magnétron ne nécessite pas la fusion ou l'évaporation du matériau source. Cette caractéristique la rend adaptée à une large gamme de matériaux, y compris les composés et les alliages, qui peuvent être utilisés comme cibles tout en conservant leur composition. Le champ magnétique contribue à maintenir l'intégrité du matériau cible en l'empêchant de subir des processus à haute température susceptibles d'altérer ses propriétés.
Réduction de la pression des gaz et amélioration de la qualité du film :
Le confinement magnétique des électrons permet également d'utiliser le processus de pulvérisation à des pressions de gaz plus faibles. Cette réduction de la pression minimise l'incorporation de gaz dans le film déposé et réduit les pertes d'énergie dans les atomes pulvérisés. Par conséquent, les films produits par pulvérisation magnétron sont de haute qualité, avec moins de défauts et d'impuretés.
Protection du substrat :
