En ce qui concerne les techniques de dépôt de couches minces, la pulvérisation par faisceau d'ions et la pulvérisation magnétron sont deux méthodes très répandues.
4 différences clés expliquées
1. Présence de plasma
Pulvérisation par faisceau d'ions :
- La pulvérisation par faisceau d'ions n'implique pas de plasma entre le substrat et la cible.
- Cette absence de plasma permet de déposer des matériaux sur des substrats sensibles sans risquer d'endommager le plasma.
Pulvérisation magnétron :
- Les systèmes de pulvérisation magnétron ont un plasma plus dense en raison d'une efficacité d'ionisation plus élevée.
- Ce plasma plus dense augmente le bombardement ionique de la cible, ce qui se traduit par des taux de pulvérisation et de dépôt plus élevés.
2. Inclusion de gaz de pulvérisation
Pulvérisation par faisceau d'ions :
- L'absence de plasma se traduit généralement par une moindre inclusion du gaz de pulvérisation dans le dépôt.
- Cela permet d'obtenir des revêtements plus purs.
Pulvérisation magnétron :
- Le plasma plus dense peut parfois entraîner une plus grande inclusion de gaz de pulvérisation.
- Toutefois, ce phénomène est généralement géré de manière à garantir la pureté des revêtements.
3. Polyvalence dans l'utilisation des cibles et des substrats
Pulvérisation par faisceau d'ions :
- Dans la pulvérisation conventionnelle par faisceau d'ions, il n'y a pas de biais entre le substrat et la cible.
- Cela permet d'utiliser des cibles et des substrats conducteurs et non conducteurs, ce qui élargit son champ d'application.
Pulvérisation magnétron :
- La pulvérisation magnétron peut être configurée de deux manières principales : La pulvérisation magnétron équilibrée (BM) et la pulvérisation magnétron non équilibrée (UBM).
- Chaque configuration offre des distributions de plasma différentes, ce qui affecte l'uniformité et la vitesse de dépôt.
4. Contrôle indépendant des paramètres
Pulvérisation par faisceau d'ions :
- La pulvérisation par faisceau d'ions offre l'avantage unique de contrôler indépendamment l'énergie des ions, le flux, les espèces et l'angle d'incidence sur une large gamme.
- Cela permet un contrôle précis du processus de dépôt.
Pulvérisation magnétron :
- La pulvérisation magnétron fonctionne à des pressions de chambre plus faibles (10^-3 mbar contre 10^-2 mbar) et à des tensions de polarisation plus faibles (~ -500 V contre -2 à -3 kV).
- Cela peut être avantageux pour certaines applications.
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