La vitesse d'évaporation par faisceau d'électrons peut varier en fonction de plusieurs facteurs.
Selon les références fournies, la vitesse de dépôt de l'évaporation par faisceau d'électrons peut aller de 0,1 μm/min à 100 μm/min.
Cette vitesse de dépôt est considérée comme élevée par rapport à d'autres techniques de dépôt physique en phase vapeur (PVD).
5 points clés à connaître sur la vitesse d'évaporation par faisceau d'électrons
1. Aperçu du processus
Le processus d'évaporation par faisceau d'électrons consiste à générer un faisceau d'électrons intense à partir d'un filament et à le diriger vers le matériau source dans un environnement sous vide.
L'énergie du faisceau d'électrons est transférée au matériau source, de sorte que les atomes de sa surface ont suffisamment d'énergie pour quitter la surface et traverser la chambre à vide.
Ces atomes recouvrent alors un substrat placé au-dessus du matériau qui s'évapore.
2. Distances de travail
Les distances de travail moyennes pour l'évaporation par faisceau d'électrons sont généralement comprises entre 300 mm et 1 mètre.
La technique a été développée au fil du temps pour améliorer l'efficacité et éviter des problèmes tels que les courts-circuits dus au dépôt du matériau évaporé sur les isolants des filaments.
3. Matériaux appropriés
L'évaporation par faisceau d'électrons est particulièrement adaptée aux matériaux ayant un point de fusion élevé, tels que les métaux comme le tungstène et le tantale.
Le faisceau d'électrons peut chauffer le matériau source à des températures avoisinant les 3 000 °C, provoquant son évaporation ou sa sublimation.
Le processus est très localisé, se produisant au point de bombardement du faisceau sur la surface de la source, ce qui minimise la contamination par le creuset.
4. Dépôt réactif
L'ajout d'une pression partielle de gaz réactif, tel que l'oxygène ou l'azote, pendant le processus d'évaporation permet le dépôt réactif de films non métalliques.
Cela signifie que l'évaporation par faisceau d'électrons peut également être utilisée pour recouvrir des substrats avec des matériaux qui réagissent avec le gaz introduit.
5. Avantages de l'évaporation par faisceau d'électrons
Globalement, l'évaporation par faisceau d'électrons est une technologie de dépôt éprouvée qui offre des taux de dépôt élevés, une grande efficacité d'utilisation des matériaux et la capacité de déposer des revêtements denses et de grande pureté.
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