La température de dépôt du SiN (nitrure de silicium) par LPCVD se situe généralement entre 700 et 800°C. Cette plage est choisie pour garantir la formation d'une couche de nitrure de silicium dense, amorphe et chimiquement stable, ce qui est crucial pour diverses applications de semi-conducteurs.
Explication :
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Plage de température: Le dépôt de nitrure de silicium par LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) est effectué à des températures comprises entre 700 et 800 °C. Cette plage de températures est essentielle, car elle permet la formation d'une couche de nitrure de silicium dense, amorphe et chimiquement stable. Cette plage de température est critique car elle permet la réaction appropriée entre le dichlorosilane (SiCl2H2) et l'ammoniac (NH3) pour former du nitrure de silicium (Si3N4) et des sous-produits tels que l'acide chlorhydrique (HCl) et l'hydrogène (H2).
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Chimie des réactions: La réaction chimique impliquée dans le processus de dépôt est la suivante :
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[\text{SiCl}_2\text{H}_2 + 4\text{NH}_3 \rightarrow \text{Si}_3\text{N}_4 + 6\text{HCl} + 2\text{H}_2
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]Cette réaction nécessite des températures élevées pour se dérouler efficacement, ce qui garantit le dépôt d'une couche de nitrure de silicium de haute qualité.
Qualité du film déposé
: À ces températures, la couche de nitrure de silicium formée est amorphe, dense et présente une bonne stabilité chimique et thermique. Ces propriétés sont essentielles pour son utilisation dans la fabrication des semi-conducteurs, où elle sert de masque pour l'oxydation sélective, de masque dur pour les processus de gravure et de diélectrique dans les condensateurs.
