La pulvérisation et l'évaporation par faisceau d'électrons sont deux méthodes utilisées dans le dépôt physique en phase vapeur (PVD) pour créer des couches minces.
Toutefois, ces deux techniques ont des processus et des caractéristiques différents.
5 points clés à prendre en compte
1. Processus de dépôt
La pulvérisation cathodique consiste à utiliser des atomes de plasma énergisés, généralement de l'argon, pour frapper un matériau source chargé négativement.
Ces atomes énergisés provoquent la rupture des atomes du matériau source et leur adhésion à un substrat, formant ainsi un film mince.
La pulvérisation se produit à l'intérieur d'un champ magnétique fermé et se fait dans le vide.
En revanche, l'évaporation par faisceau d'électrons utilise un faisceau d'électrons pour se concentrer sur un matériau source, produisant des températures très élevées qui vaporisent le matériau.
Ce processus se déroule également dans une chambre à vide ou une chambre de dépôt.
2. La température
La pulvérisation est réalisée à une température plus basse que l'évaporation par faisceau d'électrons.
3. Vitesse de dépôt
L'évaporation par faisceau d'électrons a généralement une vitesse de dépôt plus élevée que la pulvérisation, en particulier pour les diélectriques.
4. Couverture du revêtement
La pulvérisation fournit une meilleure couverture de revêtement pour les substrats complexes.
5. Applications
L'évaporation par faisceau d'électrons est plus couramment utilisée pour la production de lots en grande quantité et les revêtements optiques en couches minces.
La pulvérisation cathodique est utilisée dans les applications qui requièrent un haut niveau d'automatisation.
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