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Système de chambre de dépôt chimique en phase vapeur CVD Équipement Four tubulaire PECVD avec gazéificateur liquide Machine PECVD

Four CVD & PECVD

Système de chambre de dépôt chimique en phase vapeur CVD Équipement Four tubulaire PECVD avec gazéificateur liquide Machine PECVD

Numéro d'article : KT-PE12

Le prix varie en fonction de Spécifications et personnalisations


Température maximale
1200 ℃
Température de travail constante
1100 ℃
Diamètre du tube du four
60 mm
Longueur de la zone de chauffage
1x450 mm
Vitesse de chauffage
0-20 ℃/min
Distance de glissement
600mm
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Introduction

La machine PECVD à gazéificateur liquide dans un four tubulaire coulissant PECVD est un système polyvalent et haute performance conçu pour une large gamme d'applications de dépôt de couches minces. Elle comprend une source de plasma RF de 500W, un four coulissant, un contrôle précis du débit de gaz et une station de vide. Le système offre des avantages tels que la correspondance automatique du plasma, le chauffage et le refroidissement à haute vitesse, le contrôle de température programmable et une interface conviviale. Il est largement utilisé dans les environnements de recherche et de production pour le dépôt de couches minces dans diverses industries, notamment l'électronique, les semi-conducteurs et l'optique.

Applications

La machine PECVD à gazéificateur liquide dans un four tubulaire coulissant PECVD trouve ses applications dans :

  • Dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
  • Dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD)
  • Dépôt de couches minces
  • Fabrication de cellules solaires
  • Traitement des semi-conducteurs
  • Nanotechnologie
  • Science des matériaux
  • Recherche et développement

Différents systèmes CVD à température et configuration disponibles

Système PECVD coulissant avec gazéificateur liquide(1. Capteur de vide 2. Plasma RF 3. Four 4. Vanne de décharge 5. Vanne à battant 6. Courroie chauffante 7. Débitmètre 8. Gazéificateur liquide 9. Station de gaz 10. Armoire)
Système PECVD coulissant avec gazéificateur liquide(1. Capteur de vide 2. Plasma RF 3. Four 4. Vanne de décharge 5. Vanne à battant 6. Courroie chauffante 7. Débitmètre 8. Gazéificateur liquide 9. Station de gaz 10. Armoire)
Système PECVD coulissant avec four tubulaire double split
Système PECVD coulissant avec four tubulaire double split
Système PECVD split avec tube de grand diamètre
Système PECVD split avec tube de grand diamètre
Système PECVD MFC 4 canaux avec station de vide poussé
Système PECVD MFC 4 canaux avec station de vide poussé

Principe

La machine PECVD à gazéificateur liquide dans un four tubulaire coulissant PECVD utilise un plasma à basse température pour générer une décharge luminescente dans la cathode de la chambre de processus (plateau d'échantillons). La décharge luminescente (ou une autre source de chaleur) élève la température de l'échantillon à un niveau prédéterminé. Ensuite, des quantités contrôlées de gaz de processus sont introduites, subissant des réactions chimiques et plasmatiques pour former un film solide sur la surface de l'échantillon.

Caractéristiques

La machine PECVD à gazéificateur liquide dans un four tubulaire coulissant PECVD offre de nombreux avantages aux utilisateurs :

  • Génération de puissance améliorée pour les plaquettes de cellules solaires : La structure innovante du panier en graphite améliore considérablement la puissance de sortie des cellules solaires.
  • Élimination de la différence de couleur dans les cellules PECVD tubulaires : Cet équipement résout efficacement le problème de la variation de couleur dans les cellules PECVD tubulaires.
  • Large plage de puissance de sortie (5-500W) : La source de correspondance automatique du plasma RF offre une plage de puissance de sortie polyvalente, garantissant des performances optimales pour diverses applications.
  • Chauffage et refroidissement à haute vitesse : Le système coulissant de la chambre du four permet un chauffage et un refroidissement rapides, réduisant le temps de traitement. La circulation d'air forcée auxiliaire accélère encore le taux de refroidissement.
  • Mouvement coulissant automatisé : La fonction de mouvement coulissant en option permet un fonctionnement automatique, améliorant l'efficacité et réduisant l'intervention manuelle.
  • Contrôle précis de la température : Le contrôle de température programmable PID assure une régulation précise de la température, prenant en charge le contrôle à distance et centralisé pour plus de commodité.
  • Contrôle de débitmètre massique MFC de haute précision : Le débitmètre massique MFC contrôle précisément les gaz sources, assurant une alimentation en gaz stable et constante.
  • Station de vide polyvalente : La bride de vide en acier inoxydable avec plusieurs ports d'adaptation accueille diverses configurations de station de pompe à vide, garantissant un haut degré de vide.
  • Interface conviviale : Le contrôleur à écran tactile TFT CTF Pro de 7 pouces simplifie la configuration du programme et permet une analyse facile des données historiques.

Avantages

  • Source de correspondance automatique du plasma RF, large plage de puissance de sortie de 5 à 500W, sortie stable
  • Système coulissant de la chambre du four pour un chauffage rapide et un refroidissement de courte durée, un refroidissement rapide auxiliaire et un mouvement coulissant automatique sont disponibles
  • Contrôle de température programmable PID, excellente précision de contrôle et prise en charge du contrôle à distance et du contrôle centralisé
  • Contrôle de débitmètre massique MFC de haute précision, prémélange des gaz sources et vitesse d'alimentation en gaz stable
  • Bride de vide en acier inoxydable avec divers ports d'adaptation pour répondre à différentes configurations de station de pompe à vide, bonne étanchéité et haut degré de vide
  • CTF Pro utilise un contrôleur à écran tactile TFT de 7 pouces, une configuration de programme plus conviviale et une analyse des données historiques

Avantage de sécurité

  • Le four tubulaire Kindle Tech possède une protection contre les surintensités et une fonction d'alarme de surchauffe, le four coupera automatiquement l'alimentation
  • Le four intègre une fonction de détection de thermocouple, le four arrêtera le chauffage et l'alarme s'activera une fois une rupture ou une défaillance détectée
  • PE Pro prend en charge la fonction de redémarrage après panne de courant, le four reprendra le programme de chauffage du four lorsque l'alimentation sera rétablie après une panne

Spécifications techniques

Modèle de four KT-PE12-60
Température max. 1200℃
Température de travail constante 1100℃
Matériau du tube de four Quartz de haute pureté
Diamètre du tube de four 60mm
Longueur de la zone chauffante 1x450mm
Matériau de la chambre Fibre d'alumine japonaise
Élément chauffant Bobine de fil Cr2Al2Mo2
Vitesse de chauffage 0-20℃/min
Thermocouple Intégré type K
Contrôleur de température Contrôleur numérique PID/Contrôleur PID tactile
Précision du contrôle de température ±1℃
Distance de glissement 600mm
Unité plasma RF
Puissance de sortie 5 -500W réglable avec une stabilité de ± 1%
Fréquence RF 13,56 MHz ±0,005% de stabilité
Puissance réfléchie 350W max.
Adaptation Automatique
Bruit <50 dB
Refroidissement Refroidissement par air.
Unité de contrôle précis des gaz
Débitmètre Débitmètre massique MFC
Canaux de gaz 4 canaux
Débit MFC1 : 0-5 SCCM O2
MFC2 : 0-20 SCCM CH4
MFC3 : 0-100 SCCM H2
MFC4 : 0-500 SCCM N2
Linéarité ±0,5% F.S.
Répétabilité ±0,2% F.S.
 Tuyauterie et vanne Acier inoxydable
Pression de fonctionnement maximale 0,45 MPa
Contrôleur de débitmètre Contrôleur à bouton numérique/Contrôleur tactile
Unité de vide standard (en option)
Pompe à vide Pompe à vide à palettes rotatives
Débit de la pompe 4 L/S
Port d'aspiration de vide KF25
Manomètre à vide Manomètre à vide Pirani/à résistance de silicium
Pression de vide nominale 10 Pa
Unité de vide poussé (en option)
Pompe à vide Pompe à palettes rotatives + pompe moléculaire
Débit de la pompe 4 L/S + 110 L/S
Port d'aspiration de vide KF25
Manomètre à vide Manomètre à vide combiné
Pression de vide nominale 6x10-4 Pa
Les spécifications et configurations ci-dessus peuvent être personnalisées

Colis standard

No. Description Quantité
1 Four 1
2 Tube de quartz 1
3 Bride de vide 2
4 Bloc thermique de tube 2
5 Crochet de bloc thermique de tube 1
6 Gant résistant à la chaleur 1
7 Source de plasma RF 1
8 Contrôle précis des gaz 1
9 Unité de vide 1
10 Manuel d'utilisation 1

Configuration optionnelle

  • Détection et surveillance des gaz dans le tube, comme H2, O2, etc.
  • Surveillance et enregistrement indépendants de la température du four
  • Port de communication RS 485 pour le contrôle à distance par PC et l'exportation de données
  • Contrôle du débit des gaz d'insertion, comme débitmètre massique et débitmètre à flotteur
  • Contrôleur de température à écran tactile avec des fonctions conviviales polyvalentes
  • Configurations de station de pompe à vide poussé, comme pompe à vide à palettes, pompe moléculaire, pompe à diffusion

Avertissements

La sécurité des opérateurs est la question la plus importante ! Veuillez faire fonctionner l'équipement avec des précautions. Travailler avec des gaz inflammables, explosifs ou toxiques est très dangereux, les opérateurs doivent prendre toutes les précautions nécessaires avant de démarrer le équipement. Travailler en pression positive à l’intérieur des réacteurs ou des chambres est dangereux, l'opérateur doit suivre strictement les procédures de sécurité. Supplémentaire des précautions doivent également être prises lors de l'utilisation de matériaux réactifs à l'air, surtout sous vide. Une fuite peut aspirer de l'air dans l'appareil et provoquer un une réaction violente se produit.

Conçu pour vous

KinTek fournit un service et des équipements sur mesure aux clients du monde entier, notre travail d'équipe spécialisé et nos riches ingénieurs expérimentés sont capables de entreprendre les exigences en matière d'équipement matériel et logiciel sur mesure, et aider notre client à constituer l'équipement exclusif et personnalisé et solution!

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FAQ

Qu'est-ce Que La Méthode PECVD ?

Le PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) est un procédé utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs pour déposer des couches minces sur des dispositifs microélectroniques, des cellules photovoltaïques et des panneaux d'affichage. Dans le PECVD, un précurseur est introduit dans la chambre de réaction à l'état gazeux, et l'aide de milieux réactifs au plasma dissocie le précurseur à des températures beaucoup plus basses qu'avec le CVD. Les systèmes PECVD offrent une excellente uniformité de film, un traitement à basse température et un rendement élevé. Ils sont utilisés dans un large éventail d'applications et joueront un rôle de plus en plus important dans l'industrie des semi-conducteurs à mesure que la demande de dispositifs électroniques avancés ne cesse de croître.

Qu'est-ce Que Mpcvd ?

MPCVD signifie Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition et c'est un processus de dépôt de couches minces sur une surface. Il utilise une chambre à vide, un générateur de micro-ondes et un système de distribution de gaz pour créer un plasma composé de produits chimiques réactifs et des catalyseurs nécessaires. Le MPCVD est largement utilisé dans le réseau ANFF pour déposer des couches de diamant en utilisant du méthane et de l'hydrogène pour faire pousser de nouveaux diamants sur un substrat ensemencé de diamant. Il s'agit d'une technologie prometteuse pour produire de gros diamants de haute qualité à faible coût et elle est largement utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs et de la taille des diamants.

A Quoi Sert Le PECVD ?

Le PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) est largement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs pour fabriquer des circuits intégrés, ainsi que dans les domaines photovoltaïque, tribologique, optique et biomédical. Il est utilisé pour déposer des couches minces pour les dispositifs microélectroniques, les cellules photovoltaïques et les panneaux d'affichage. Le PECVD peut produire des composés et des films uniques qui ne peuvent pas être créés uniquement par des techniques CVD courantes, et des films qui présentent une résistance élevée aux solvants et à la corrosion avec une stabilité chimique et thermique. Il est également utilisé pour produire des polymères organiques et inorganiques homogènes sur de grandes surfaces, et du Diamond-like Carbon (DLC) pour des applications tribologiques.

Qu'est-ce Qu'une Machine Mpcvd ?

La machine MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) est un équipement de laboratoire utilisé pour développer des films de diamant de haute qualité. Il utilise un gaz contenant du carbone et un plasma micro-ondes pour créer une boule de plasma au-dessus du substrat de diamant, qui le chauffe à une température spécifique. La boule de plasma n'entre pas en contact avec la paroi de la cavité, ce qui rend le processus de croissance du diamant exempt d'impuretés et améliore la qualité du diamant. Le système MPCVD se compose d'une chambre à vide, d'un générateur de micro-ondes et d'un système de distribution de gaz qui contrôle le flux de gaz dans la chambre.

Quels Sont Les Avantages Du PECVD ?

Les principaux avantages du PECVD sont sa capacité à fonctionner à des températures de dépôt plus basses, offrant une meilleure conformité et une meilleure couverture des étapes sur des surfaces inégales, un contrôle plus strict du processus de couche mince et des taux de dépôt élevés. PECVD permet des applications réussies dans des situations où les températures CVD conventionnelles pourraient potentiellement endommager le dispositif ou le substrat en cours de revêtement. En fonctionnant à une température plus basse, le PECVD crée moins de contraintes entre les couches de film mince, permettant des performances électriques à haut rendement et une liaison à des normes très élevées.

Quels Sont Les Avantages De Mpcvd ?

Le MPCVD présente plusieurs avantages par rapport aux autres méthodes de production de diamants, tels qu'une pureté plus élevée, une consommation d'énergie moindre et la capacité de produire des diamants plus gros.

Quelle Est La Différence Entre ALD Et PECVD ?

L'ALD est un processus de dépôt de couches minces qui permet une résolution de l'épaisseur de la couche atomique, une excellente uniformité des surfaces à rapport hauteur/largeur élevé et des couches sans trous d'épingle. Ceci est réalisé par la formation continue de couches atomiques dans une réaction auto-limitante. Le PECVD, d'autre part, implique le mélange du matériau source avec un ou plusieurs précurseurs volatils à l'aide d'un plasma pour interagir chimiquement et décomposer le matériau source. Les processus utilisent de la chaleur avec des pressions plus élevées conduisant à un film plus reproductible où les épaisseurs de film pourraient être gérées par le temps/la puissance. Ces films sont plus stoechiométriques, plus denses et sont capables de produire des films isolants de meilleure qualité.

Les Diamants CVD Sont-ils Vrais Ou Faux ?

Les diamants CVD sont de vrais diamants et non des faux. Ils sont cultivés en laboratoire par un procédé appelé dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Contrairement aux diamants naturels qui sont extraits sous la surface de la terre, les diamants CVD sont créés à l'aide d'une technologie de pointe dans des laboratoires. Ces diamants sont 100% carbone et sont la forme la plus pure de diamants connus sous le nom de diamants de type IIa. Ils ont les mêmes propriétés optiques, thermiques, physiques et chimiques que les diamants naturels. La seule différence est que les diamants CVD sont créés dans un laboratoire et non extraits de la terre.

Quelle Est La Différence Entre Le PECVD Et La Pulvérisation ?

La PECVD et la pulvérisation sont toutes deux des techniques de dépôt physique en phase vapeur utilisées pour le dépôt de couches minces. Le PECVD est un procédé diffusif à gaz qui produit des films minces de très haute qualité tandis que la pulvérisation cathodique est un dépôt en ligne de mire. Le PECVD permet une meilleure couverture sur les surfaces inégales telles que les tranchées, les murs et une conformité élevée et peut produire des composés et des films uniques. D'autre part, la pulvérisation cathodique est bonne pour le dépôt de fines couches de plusieurs matériaux, idéales pour créer des systèmes de revêtement multicouches et multigradués. Le PECVD est principalement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs, les domaines tribologiques, optiques et biomédicaux, tandis que la pulvérisation cathodique est principalement utilisée pour les matériaux diélectriques et les applications tribologiques.
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Système de chambre de dépôt chimique en phase vapeur CVD Équipement Four tubulaire PECVD avec gazéificateur liquide Machine PECVD

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