Les méthodes de dépôt de l'oxyde d'indium et d'étain (ITO) comprennent le dépôt par laser pulsé (PLD), la galvanoplastie et la pulvérisation. Chaque méthode présente des conditions et des avantages spécifiques.
Dépôt par laser pulsé (PLD) :
Le dépôt par laser pulsé est une méthode polyvalente qui permet de déposer des films d'ITO à des températures allant de la température ambiante à 400 °C, ce qui la rend adaptée à divers substrats, notamment les plastiques, le verre et d'autres matériaux. Le dépôt s'effectue dans un environnement d'oxygène avec une pression de 5 à 50 mTorr. La densité d'énergie laser généralement utilisée se situe entre 0,75 et 1,5 J/cm². Cette méthode ne nécessite pas de traitement thermique supplémentaire et est particulièrement avantageuse pour les substrats qui ne peuvent pas supporter des températures élevées, car elle préserve leur forme et leurs propriétés.Placage électrolytique :
La galvanoplastie est l'une des plus anciennes méthodes de dépôt de couches minces. Dans ce procédé, le substrat est immergé dans un bain chimique contenant des atomes de métal dissous. Un courant électrique est appliqué, provoquant le dépôt des atomes de métal sur le substrat. Cette méthode a été largement utilisée pour diverses applications, notamment le dépôt d'ITO pour sa haute conductivité et sa transparence optique. L'électrodéposition permet de déposer de l'ITO à des températures relativement basses, ce qui la rend adaptée à une grande variété de substrats, en particulier le verre.
Pulvérisation :
La pulvérisation implique l'utilisation d'une cible de pulvérisation d'ITO, qui est un semi-conducteur céramique noir-gris formé en mélangeant de l'oxyde d'indium et de la poudre d'oxyde d'étain dans un rapport spécifique. La cible est bombardée avec des particules à haute énergie, ce qui provoque l'éjection des atomes de la cible et leur dépôt sur le substrat. Cette méthode est connue pour sa capacité à produire des films minces uniformes de haute qualité et est largement utilisée dans l'industrie électronique pour des applications nécessitant un dépôt précis et contrôlé d'ITO.
