L'avantage du dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD) par rapport au dépôt chimique en phase vapeur à pression atmosphérique (APCVD) réside principalement dans sa capacité à fonctionner à des températures plus basses et à fournir des taux de dépôt plus uniformes.
Températures de fonctionnement plus basses :
La LPCVD peut fonctionner à des températures plus basses que la CVD ou l'APCVD traditionnelles. Ceci est particulièrement avantageux lorsque l'on travaille avec des matériaux dont le point de fusion est plus bas, comme l'aluminium, qui peut être déposé sans risque de faire fondre ou d'endommager les couches déposées précédemment. La possibilité d'opérer à des températures plus basses réduit également la contrainte thermique sur le substrat, ce qui peut améliorer les performances et la fiabilité des dispositifs.Des taux de dépôt plus uniformes :
La LPCVD utilise une pression réduite pour faciliter une vitesse de dépôt plus uniforme sur le substrat. La pression plus faible dans la chambre de dépôt, obtenue par l'utilisation d'une pompe à vide, réduit le libre parcours moyen des molécules de gaz, ce qui réduit les réactions en phase gazeuse. Il en résulte un processus de dépôt plus contrôlé et plus uniforme, ce qui se traduit par une meilleure qualité et une meilleure uniformité du film. En revanche, l'APCVD, qui fonctionne à la pression atmosphérique, peut souffrir de non-uniformités dues à un flux de gaz plus rapide et à la présence de poussières ou de particules susceptibles d'affecter le processus de dépôt.
Autres considérations :
