Les inconvénients du dépôt par faisceau d'ions comprennent une petite zone cible, de faibles taux de dépôt, ainsi qu'une complexité et un coût élevés de l'équipement. En outre, il est difficile d'obtenir une épaisseur uniforme sur de grandes surfaces, et il peut y avoir des problèmes de chauffage du substrat et de tension du film.
Petite zone cible et faibles taux de dépôt :
Le dépôt par pulvérisation d'un faisceau d'ions se caractérise par une zone cible de bombardement relativement petite, ce qui affecte directement la vitesse de dépôt. Cette méthode n'est pas efficace pour déposer des films de grande surface avec une épaisseur uniforme. Les vitesses de dépôt pour les diélectriques sont particulièrement faibles, allant de 1 à 10 Å/s, ce qui peut nuire à l'efficacité du processus, en particulier dans les applications à haut débit.Complexité et coût élevés de l'équipement :
L'équipement utilisé pour la pulvérisation par faisceau d'ions est complexe et nécessite des systèmes sophistiqués pour gérer le faisceau d'ions et le processus de dépôt. Cette complexité augmente non seulement l'investissement initial, mais aussi les coûts opérationnels permanents. Le coût élevé du système et sa complexité peuvent constituer un obstacle important pour les organisations qui envisagent cette technologie, en particulier celles qui ont des contraintes budgétaires.
Défis liés à l'uniformité et au chauffage du substrat :
Il est souvent difficile d'obtenir un bombardement ionique uniforme sur la surface du substrat, ce qui entraîne des variations dans les propriétés du film sur toute la surface. Cette non-uniformité peut affecter la qualité et les performances des films déposés. En outre, le matériau cible énergétique peut provoquer un échauffement excessif du substrat, ce qui peut l'endommager ou affecter négativement les propriétés du film.
Problèmes liés à la contrainte du film et à l'incorporation de gaz :
