Dans le PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma), différents gaz sont utilisés en fonction de l'application spécifique et de la composition du film souhaitée. Parmi les gaz couramment utilisés, citons
1. Silane (SiH4) : Le silane est un gaz précurseur souvent utilisé dans les procédés PECVD pour déposer des films à base de silicium tels que le nitrure de silicium et l'oxyde de silicium. Il est mélangé à d'autres gaz pour contrôler les propriétés du film.
2. Ammoniac (NH3) : L'ammoniac est un autre gaz précurseur utilisé dans les procédés PECVD. Il est couramment utilisé en combinaison avec le silane pour déposer des films de nitrure de silicium. L'ammoniac permet de contrôler la teneur en azote du film.
3. Argon (Ar) : L'argon est un gaz inerte souvent utilisé comme gaz porteur ou diluant dans les procédés PECVD. Il est mélangé aux gaz précurseurs pour contrôler la réaction et assurer un dépôt uniforme du film.
4. Azote (N2) : L'azote est un autre gaz inerte qui peut être utilisé dans les procédés PECVD. Il est couramment utilisé comme gaz porteur ou diluant pour contrôler la réaction et empêcher les réactions indésirables en phase gazeuse.
5. Méthane (CH4), éthylène (C2H4) et acétylène (C2H2) : Ces gaz hydrocarbonés sont utilisés dans les procédés PECVD pour la croissance des nanotubes de carbone (NTC). Ils sont dissociés par le plasma pour générer des produits de carbone amorphe. Pour éviter la formation de produits amorphes, ces gaz sont généralement dilués avec de l'argon, de l'hydrogène ou de l'ammoniac.
Il est important de noter que les combinaisons spécifiques de gaz et les paramètres du procédé peuvent varier en fonction des propriétés souhaitées du film, du matériau du substrat et de la configuration de l'équipement. Les gaz mentionnés ci-dessus ne sont que quelques exemples couramment utilisés dans les procédés PECVD.
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