La pulvérisation est une technique de dépôt sous vide utilisée pour déposer des couches minces de matériaux sur des surfaces. Elle implique la création d'un plasma gazeux dans une chambre à vide, qui accélère les ions dans un matériau source, provoquant la chute des atomes et leur dépôt sur un substrat. La principale différence entre la pulvérisation DC (courant continu) et RF (radiofréquence) réside dans la source d'énergie et la capacité à manipuler des matériaux isolants.
Pulvérisation DC :
La pulvérisation CC utilise une source de courant continu, qui n'est pas idéale pour les matériaux isolants, car ils peuvent accumuler des charges et interrompre le processus de pulvérisation. Cette méthode nécessite une régulation minutieuse des facteurs du processus tels que la pression du gaz, la distance cible-substrat et la tension afin d'obtenir des résultats optimaux. La pulvérisation DC fonctionne généralement à des pressions de chambre plus élevées (environ 100 mTorr) et nécessite des tensions comprises entre 2 000 et 5 000 volts.Pulvérisation RF :
La pulvérisation RF, quant à elle, utilise une source d'alimentation en courant alternatif, qui empêche l'accumulation de charges sur la cible, ce qui la rend adaptée à la pulvérisation de matériaux isolants. Cette technique permet de maintenir le plasma gazeux à des pressions de chambre beaucoup plus faibles (moins de 15 mTorr), ce qui réduit les collisions entre les particules de plasma chargées et le matériau cible. La pulvérisation RF nécessite des tensions plus élevées (1 012 volts ou plus) en raison de l'utilisation de l'énergie cinétique pour retirer les électrons des atomes de gaz, créant ainsi des ondes radio qui ionisent le gaz. L'application d'un courant alternatif à des fréquences de 1 MHz ou plus permet de décharger électriquement la cible pendant la pulvérisation, de la même manière que le courant circule dans le diélectrique de condensateurs en série.
