Le procédé CVD à pression atmosphérique (APCVD) est une méthode de dépôt chimique en phase vapeur qui se déroule à une pression atmosphérique normale.
Il est utilisé pour le dépôt de divers oxydes sur un substrat.
Dans un système APCVD, la chambre de réaction fonctionne à la pression atmosphérique, soit 1 atm.
7 points essentiels à connaître sur le procédé CVD à pression atmosphérique
1. Compatibilité avec les procédés sans vide
Le procédé APCVD est compatible avec les procédés en ligne continus et sans vide.
Il convient donc aux applications de fabrication en gros volumes et sensibles aux coûts, telles que la fabrication de cellules photovoltaïques.
2. Polyvalence du dépôt
Il peut être utilisé pour déposer des films épitaxiés de silicium et de composés dans un réacteur à paroi froide.
Il peut également être utilisé pour créer des revêtements métallurgiques durs tels que TiC et TiN dans un réacteur à paroi chaude.
3. Taux de dépôt élevé
Le procédé APCVD a généralement une vitesse de dépôt élevée.
Cela signifie qu'il permet de déposer rapidement une couche de matériau sur une plaquette ou un substrat.
4. Longue durée de vie et performances optimales
Les films produits à l'aide de cette technique de dépôt ont une longue durée de vie.
Ils offrent des performances optimales dans diverses applications.
5. Comparaison avec d'autres procédés CVD
Outre la CVD à pression atmosphérique, il existe deux autres catégories de procédés CVD : la CVD à basse pression (LPCVD) et la CVD sous ultravide (UHVCVD).
Le procédé LPCVD fonctionne à une pression inférieure à la pression atmosphérique, ce qui réduit la probabilité de réactions indésirables en phase vapeur et améliore l'uniformité du film déposé.
L'UHVCVD, quant à elle, s'effectue à très basse pression, généralement inférieure à 10-6 Pa.
6. Différentes classifications des procédés CVD
Il existe également diverses classifications des procédés CVD basées sur le chauffage du substrat, les propriétés des matériaux et les types de plasma utilisés.
Il s'agit notamment de la CVD assistée par aérosol, de la CVD par injection directe de liquide, de la CVD assistée par plasma, de la CVD assistée par plasma micro-ondes, de la CVD hybride physico-chimique et de la CVD assistée par photo.
7. Polyvalence et efficacité
Dans l'ensemble, le procédé CVD à pression atmosphérique est une méthode polyvalente et efficace pour déposer des films d'oxyde sur des substrats.
Il offre des taux de dépôt élevés et une compatibilité avec les processus de fabrication continus sans vide.
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