Le dépôt de couches minces par pulvérisation cathodique implique la création d'une fine couche de matériau sur un substrat désiré. Ce processus est réalisé en appliquant un flux de gaz contrôlé, généralement de l'argon, dans une chambre à vide. Le matériau cible, qui est généralement un métal, est placé comme cathode et chargé d'un potentiel électrique négatif. Le plasma à l'intérieur de la chambre contient des ions chargés positivement qui sont attirés par la cathode. Ces ions entrent en collision avec le matériau cible, délogeant les atomes de sa surface.
Les atomes délogés, appelés matériaux pulvérisés, traversent ensuite la chambre à vide et recouvrent le substrat, formant un film mince. L'épaisseur du film peut varier de quelques nanomètres à quelques micromètres. Ce processus de dépôt est une méthode de dépôt physique en phase vapeur connue sous le nom de pulvérisation magnétron.
La pulvérisation cathodique est un type spécifique de méthode de pulvérisation où un courant continu (CC) est utilisé pour délivrer une tension à la cible métallique dans un gaz à basse pression, généralement de l'argon. Les ions du gaz entrent en collision avec le matériau cible, provoquant la pulvérisation d'atomes qui se déposent sur le substrat.
D'une manière générale, le dépôt par pulvérisation cathodique est une méthode largement utilisée pour créer des couches minces sur diverses surfaces, allant des appareils électroniques aux revêtements automobiles. Elle permet un contrôle précis de l'épaisseur et de la composition des films, ce qui la rend adaptée à un large éventail d'applications dans des secteurs tels que l'électronique, l'optique et la science des matériaux.
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