Le dépôt de couches minces par la méthode de pulvérisation cathodique consiste à créer une fine couche de matériau sur le substrat souhaité.
Ce processus est réalisé en appliquant un flux de gaz contrôlé, généralement de l'argon, dans une chambre à vide.
Le matériau cible, qui est généralement un métal, est placé comme cathode et chargé d'un potentiel électrique négatif.
Le plasma à l'intérieur de la chambre contient des ions chargés positivement qui sont attirés par la cathode.
Ces ions entrent en collision avec le matériau cible, délogeant les atomes de sa surface.
Les atomes délogés, connus sous le nom de matériau pulvérisé, traversent ensuite la chambre à vide et recouvrent le substrat, formant un film mince.
L'épaisseur du film peut varier de quelques nanomètres à quelques micromètres.
Ce processus de dépôt est une méthode de dépôt physique en phase vapeur connue sous le nom de pulvérisation magnétron.
5 points clés à connaître sur le dépôt de couches minces par la méthode de pulvérisation cathodique
1. Introduction au dépôt par pulvérisation cathodique
Le dépôt par pulvérisation cathodique consiste à créer une fine couche de matériau sur le substrat souhaité.
2. Flux de gaz et chambre à vide
Le processus est réalisé en appliquant un flux de gaz contrôlé, généralement de l'argon, dans une chambre à vide.
3. Matériau cible et potentiel électrique
Le matériau cible, généralement un métal, est placé comme cathode et chargé d'un potentiel électrique négatif.
4. Plasma et collisions ioniques
Le plasma à l'intérieur de la chambre contient des ions chargés positivement qui sont attirés par la cathode.
Ces ions entrent en collision avec le matériau cible, délogeant les atomes de sa surface.
5. Formation d'une couche mince
Les atomes délogés, connus sous le nom de matériau pulvérisé, traversent ensuite la chambre à vide et recouvrent le substrat, formant un film mince.
L'épaisseur du film peut varier de quelques nanomètres à quelques micromètres.
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